快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
作者：王从杰; 陈诺夫; 魏立帅; 陶泉丽; 贺凯; 张航; 白一鸣; 陈吉堃
摘要：采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。
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关键词：
- 硅基锗薄膜
- 常规热退火
- 快速光热退火
- 光量子效应
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