SPS制备纳米晶Bi0.75Er0.25O1.5固体电解质
摘要：以分析纯Bi2O3和Er2O3为原料,采用反向滴定共沉淀法合成Bi和Er的氢氧化物前驱体,并对共沉淀的pH值条件进行了分析。将该前驱体在500℃焙烧3h后得到Bi0.75Er0.25O1.5的纳米粉体,高温XRD结果表明该粉体主要为β相,谢乐公式计算平均晶粒尺寸为10nm,并且随温度升高在650℃转变为δ相。通过热力学计算,确定了SPS下烧结Bi0.75Er0.25O1.5陶瓷适宜的温度和氧分压条件,最后在测试温度为500℃保温1min得到了相对密度达到96%的δ相纳米晶的Bi0.75Er0.25O1.5陶瓷,平均晶粒尺寸为18nm。一种调节极板和粉尘之间粘结力的涂层材料
摘要：以调节粉尘和极板间粘结力为目的,通过建立数学模型,推导由于介电常数不同而导致电介质受力的情况,得出电介质受力方向的规律。计算选取适当的涂层材料,自行设计实验设备,通过实验证实了涂层对粘结力的调节作用。等离子体稳定性对曲面金刚石膜生长的影响
摘要：采用直流等离子体喷射化学气相沉积（DCPJCVD）制备曲面金刚石膜,等离子体稳定性对金刚石膜生长十分重要。研究表明,曲面金刚石膜长时间生长,阳极积聚石墨碳点,等离子体流动受阻失稳,金刚石膜含较多杂质。通过对阳极除碳处理,可维持稳定的等离子体、稳定的电子温度Te、均匀的活性原子及原子基团密度。制备的金刚石膜经SEM、Raman等表征,发现曲面金刚石膜致密、晶粒均匀,仅发现金刚石特征峰,制备的曲面金刚石膜质量较高。降低PVF胶粘剂游离甲醛含量的研究
摘要：通过聚乙烯醇与甲醛缩合反应温度、时间、pH值以及改性剂的研究,获得了制备粘接强度不下降、游离甲醛含量只有0.26%、优质环保聚乙烯醇缩甲醛（PVF）胶粘剂的最佳工艺条件。硅衬底Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的慢正电子束研究
摘要：对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散。镍基合金制备PDC复合界面特性研究
摘要：在高温高压条件下（HTHP,5.2～5.6GPa,1350～1450℃）,以镍基合金为烧结助剂（触媒）,采用熔渗法制备了质地均匀的D-D结合生长型金刚石复合片（polycrystalline diamond compact,PDC）。采用OM、SEM、XRD和EDS等考察了PDC界面的组织形貌、成分及结合层的元素分布特点,并对其界面生长的复合机理进行了探讨。实验结果表明,镍基合金助剂均匀熔渗透了金刚石层和碳化钨基底层;金刚石层形成了致密相互交错的D-D成键的网状结构;复合界面以过渡层形式存在。pH值对ADP晶体（100）面生长的影响
摘要：通过对40℃、不同pH值和过饱和度下ADP晶体（100）面法向生长速度的研究,发现在同一过饱和度下,改变pH值后晶面的生长速度明显加快。实验数据显示,在过饱和度较低时,（100）面的生长以螺旋位错生长机制为主;过饱和度较高时,以二维成核生长机制为主,而且pH值的改变会促使ADP晶体在较低的过饱和度下就从位错生长机制向二维成核生长机制转变。利用实验数据计算出了不同pH值下、二维成核生长机制控制晶体生长时的台阶棱边能。最后,运用原子力显微镜（AFM）非实时观察了不同过饱和度、不同pH值下生长的ADP晶体（100）面的微观形貌,发现与正常pH值相比,在较低的过饱和度下,pH=2.5和5.0的晶面上就出现了二维核。焙烧时间对钛酸钙光催化性能的影响
摘要：以CaCO3和TiO2为原料,焙烧温度为1500℃,焙烧时间分别为2、4、6、8、10h的条件下焙烧得到CaTiO3。应用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶红外变换光谱仪（FT-IR）、紫外-可见光漫反射光谱仪（UV-Vis）对焙烧后的物料进行了表征。实验结果表明,焙烧时间对合成CaTiO3的纯度影响很小;焙烧时间的延长使得CaTiO3微观形貌从不规则多边形向光滑曲面形变化,颗粒团聚现象越来越明显,堆积密实,尺寸增大;焙烧时间对钛酸钙光吸收能力的影响很小。在光催化性能评价实验中,随着焙烧时间的延长,亚甲基蓝的降解率和降解速率降低,反应速率常数最多可降低接近50%;钛酸钙降解亚甲基蓝溶液比较符合一级反应动力学特征。含硼铁精矿粉/环氧树脂复合材料射线屏蔽性能研究
摘要：以我国特有的含硼矿物经选矿后得到的含硼铁精矿粉作为中子吸收体与低粘度环氧树脂E51相复合,制备了一种低成本含硼铁精矿粉/环氧树脂复合屏蔽材料。测试了这种复合材料对慢中子和^60Coγ射线的屏蔽性能,确定了满足射线屏蔽性能的含硼铁精矿粉与树脂的最佳配比范围。证明了以含硼铁精矿粉作为原料制备复合射线屏蔽材料是可行的。结果表明,3种配比的复合屏蔽材料其慢中子宏观截面均超过了宏观截面为Σ=0.158cm^-1,以B4C为中子吸收体的铅硼聚乙烯屏蔽材料B201。此复合屏蔽材料的宏观截面最大值为Σ=0.1882cm^-1,具备较好的慢中子屏蔽能力;对^60Coγ射线的线性减弱系数最大值为μ=0.0772cm^-1,屏蔽性能介于水和混凝土之间。Fe^3＋/Al^3＋-TiO2复合光催化剂的制备及其光催化性能研究
摘要：以钛酸四正丁酯为先驱物,采用溶胶-凝胶法制备铁铝共掺杂的TiO2（Fe^3＋/Al^3＋-TiO2）复合光催化剂,并用XRD、UV-Vis等进行表征,系统研究煅烧温度、光催化体系中的盐对Fe^3＋/Al^3＋-TiO2复合光催化剂在自然光条件下光催化降解甲基橙性能的影响。结果表明,Fe^3＋/Al^3＋-TiO2光催化降解甲基橙的性能随着煅烧温度的升高而增强,催化体系中的HCO3-和NO2-使Fe^3＋/Al^3＋-TiO2复合光催化剂的催化活性有所降低。Fe3O4/木材复合材料的制备及磁性
摘要：以FeCl3和FeCl2混合液为浸渍溶液,以普通云南杉木为基体,在常温条件下,采用原位化学合成法制备出Fe3O4/木材复合材料。用X射线衍射仪、红外光谱仪及扫描电镜对复合材料的结构进行了表征,用振动样品磁强计研究了材料的磁性能。结果表明,木材中生成Fe3O4晶粒的平均粒径为14nm,但有一定团聚,木材空隙中的部分铁氧体增大到0.5～2.5μm;合成的Fe3O4与木材间有较强的相互作用,影响了复合材料的磁性能;浸渍溶液浓度对材料的磁性能具有一定影响,当浸渍溶液中Fe离子总浓度为1.2mol/L时材料磁性最强,浸渍溶液浓度过高或过低都会引起材料磁性能的降低;木材的纤维结构对材料磁性能也有一定影响,当外加磁场方向平行于材料纤维方向时,材料的剩余磁化强度要大于磁场方向垂直纤维方向时材料的剩余磁化强度。碱性纳米SiO2溶胶在化学机械抛光中的功能
摘要：纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光（CMP）过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识。但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提。纳米SiO2溶胶的表面效应使其表面存在大量的羟基,在CMP过程中纳米SiO2表面羟基与碱反应生成硅酸负离子,硅酸负离子再与硅反应来降低纳米SiO2的表面能量,同时达到除去硅的目的。综上所述,碱性纳米SiO2在CMP的过程中不仅起到了磨料的作用,同时参加了化学反应,在此基础上提出了在碱性条件下纳米SiO2与硅的反应机理。用PECVD制备高抗腐蚀性能SiN_x薄膜的工艺研究
摘要：研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积（PECVD）生长工艺。通过X射线光电子能谱（XPS）、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液（70℃、33.3%KOH溶液）中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜。CdS/TiO2纳米管阵列的制备及其光电催化活性研究
摘要：利用阳极氧化法和电沉积法制备CdS修饰的TiO2纳米管阵列。应用FE-SEM、XRD、DRS和LSV（线性伏安扫描）对该阵列的形貌、晶型、光学性质和光电性能进行表征,并研究该阵列降解亚甲基蓝的光电催化活性。结果表明,CdS以颗粒形式存在于TiO2纳米管阵列表面,CdS/TiO2纳米管阵列在可见光处有较强吸收,有较大光响应电流,其光电催化活性优于纯TiO2纳米管阵列。锶磷灰石多孔陶瓷动物体内降解的实验研究
摘要：采用溶液反应方法制备含5%（原子分数）锶的羟磷灰石（Sr-HA）原料,经干压成型、烧结后制得孔隙率约35%的圆片状多孔体,植入新西兰大白兔脊柱两侧背脊肌中,以纯羟磷灰石试样作为实验对照;通过扫描电镜、四环素荧光标记法观察种植体试样表面生物降解性和与周围软组织之间界面状况以及四环素荧光分布,评价锶磷灰石多孔陶瓷在动物软组织内的生物降解性、对组织生长的引导性等生物学行为。结果显示,锶磷灰石种植试样3个月时表面可见由于晶体降解而呈现出大量凹陷结构,凹陷结构的边缘较中心点的降解更为明显和快速;6个月时可观察到凹陷样结构处有明显的从外向内吸收特征,并且可观察到大量的强亮色条索状、团状荧光带,连成一片。而羟磷灰石对照组材料表面仅见少量的降解,四环素荧光呈点状弥散样,荧光强度较低。说明锶磷灰石具有良好的组织亲和性和组织引导性;与羟磷灰石相比,锶磷灰石的降解速度快,降解程度高。锶磷灰石可能具有诱导骨基质形成的作用。硫化锑单晶纳米带的水热制备、表征及性能研究
摘要：运用水热法大量制备出了高长径比的硫化锑（Sb2S3）纳米带。十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作为形貌控制剂在纳米带的形成过程中起了至关重要的作用,运用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电镜（HRTEM）等对所得产物进行了系统的表征,结果表明制备出的Sb2S3纳米带是沿[001]晶面方向生长的,带的宽度在1μm以内,长度可达几十个微米。对Sb2S3纳米带的生长机理和光学性质进行了初步的讨论和研究。不同pH下3-吡啶取代类中氮茚化合物的荧光行为
摘要：合成了3个具不同取代基的3-吡啶取代类中氮茚化合物a、b和c,研究了它们在不同pH值缓冲溶液中荧光性能的变化。发现,3个化合物能发射强烈的蓝色荧光,且随着溶液pH值的增大,其荧光强度均有所增强,荧光发射波长也均有所红移,但增强、红移程度很不一样。其中,c、a的荧光强度可分别增强200、150倍;而b、a的荧光发射波长可分别红移49、30nm。纳米Zn/Fe3O4水解制备纳米ZnFe2O4
摘要：用干法室温振动研磨方法制备纳米Zn粉,化学沉淀法制备纳米Fe3O4,纳米Zn和Fe3O4水解制备纳米ZnFe2O4。TEM和XRD检测显示经11h研磨的Zn粉粒度分布在10～20nm之间,纳米Fe3O4的粒度分布在20nm左右,水解产物纳米ZnFe2O4,形貌为方形片状,粒子尺度约为20nm。研究结果表明纳米Zn/Fe3O4摩尔比为1.5∶1,反应温度为300℃是最佳反应条件,可见用振动研磨方法制备的纳米Zn颗粒具有优良的性能,能使化学反应在较低温度下快速完成,且制备方法简单易行,便于批量化生产。
