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功能材料 2009年第11期杂志 文档列表

功能材料杂志研究与开发

GZO／Ag／GZO多层薄膜制备、结构与光电特性的研究1767-1769

摘要：采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO／Ag／GZO（ZnO掺杂Ga2O3简称GZO）多层薄膜。X射线衍射谱表明GZO／Ag／GZO多层薄膜是多晶膜，GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构，最佳取向为（002）方向；Ag层是立方结构，具有（111）取向。在GZO层厚度一定的情况下，研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响。研究发现，当Ag层厚度为10nm时，3层膜的电阻率为9×10^-5Ω^-1·cm，在可见光范围内平均透过率达到89．7％，薄膜对应的品质因子数值为3．4×10^-2Ω^-1。

Ce^3＋激活的锂-6玻璃闪烁体发光及核物理性能的研究1770-1772

摘要：选取Ce^3＋为激活剂离子，锂-6和硼-10为靶核核素分别研制了可用于热中子探测的玻璃闪烁体，并系统研究了其发光性能及部分核物理性能。研究结果表明，Ce^3＋激活的锂-6玻璃闪烁体具有较长的发射波长（390nm），较短的衰减时间（46．9ns）以及良好的7射线甄别性能和温度效应，是探测热中子优良的玻璃基质材料。靶核核素与激活剂离子在锂-6玻璃闪烁体中均有一较佳的浓度范围，浓度过大将产生不同程度的淬灭效应。

1，2，4，5-四取代苯的合成与荧光性质1773-1776

摘要：通过Wittig-Horner反应合成了两个四取代苯：1，2，4，5-四（4-N，N-二苯氨基苯乙烯基）苯（TDASB）和1，2，4，5-四[-4-N，N-二（4-溴苯基）氨基苯乙烯基]苯（TDBSB）。目标化合物结构经过红外光谱、核磁共振谱、质谱和熔点确证，测定了它们在不同溶剂中的紫外光谱和荧光光谱。TDASB和TDBSB在二氯甲烷中的最大吸收峰分别位于400和396nm，最大发射峰分别为493和491nm，荧光寿命分别为1．7022、3．633和1．2810、4．8473ns，讨论了Stokes位移与溶剂极性的关系．

光热敏微胶囊的感光特性研究1777-1779

摘要：采用界面聚合技术制备了新型光信息记录材料光热敏微胶囊。利用红外光谱技术及热显影技术对光热敏微胶囊的感光特性进行了研究。在傅里叶红外光谱中根据C=C键在1634cm^-1处振动吸收峰强度的变化，研究了囊内预聚物TMPTA单体在光引发剂184作用下随曝光时间改变的光固化特性。实验结果表明预聚物TMPTA聚合时，C=C键在1634cm-1处振动吸收峰随曝光时间的延长逐渐变小，即预聚物的固化程度随曝光时间延长逐渐增大。利用热显影技术研究了光热敏微胶囊影密度随曝光时间的变化，研究结果发现随曝光时间的延长显影密度逐渐降低，说明囊内预聚物固化程度的增大加强了对染料前体的包襄作用，从而降低了显影剂与染料前体的结合机会。

新型含铱共聚物的合成及表征1780-1782

摘要：利用2-对甲苯基吡啶（ptpy）、对乙烯基苯甲酸（VBA）和三水合氯化铱（IrCl3·H2O）配位，得到了铱配合物单体Ir（ptpy）2（VBA），再将其与乙烯基咔唑共聚制得了一种含铱配合物的新型聚合物。通过元素分析、FT-IR光谱和。HNMR谱等对Ir（ptpy）-2（VBA）和聚合物的结构进行了表征。凝胶色谱仪（GPC）测试结果表明，聚合物的数均分子量（Mo）为8230。此外还研究了Ir（ptpy）2（VBA）和聚合物的紫外一可见（UV-vis）吸收光谱和光致发光（PL）光谱。光致发光光谱测试结果表明，聚合物在固态时，主体咔唑基团向客体铱配合物基团有着较为有效的能量转移。聚合物在501nm处有较强的金属配合物三重态的磷光发射峰，是一种绿色磷光材料。

长余辉材料Sr4Al14O25：Eu^2＋，Nd^3＋的溶胶凝胶法制备及性能研究1783-1786

摘要：首次研究了以Nd^3＋离子为辅助激活剂，对Eu^2＋掺杂的发光材料Sr4Al14O25：EU2＋余辉性能的影响。用溶胶凝胶法合成了Eu2＋，Nd^3＋共掺杂的S44Al14O25：Eu^2＋，Nd^3＋发光粉末，并用扫描电镜、X射线衍射计、荧光分光光度计、余辉亮度测试仪、热释光剂量计等手段对粉末样品进行了表征。结果表明，在1350℃得到了单一的Sr4Al14O25相，粉末颗粒平均粒度在1μm左右。Eu^2＋，Nd3＋共掺杂的Sr4Al14O25：Eu2＋，Nd^3＋发光粉末有402和485nm两个发射峰，与Eu2＋单掺杂的St4A114O25：Eu2＋相比，发射峰位置没有变化，但适量的掺杂可以大大提高余辉时间和余辉亮度，余辉时间可达18h以上。最后通过对热释光谱的分析解释了双掺杂发光粉余辉性能增强的原因，适宜深度的陷阱可以有效存储光能，增强余辉的时间和强度。

高铁粉煤灰对水泥基材料吸波特性的影响1787-1790

摘要：采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）分析粉煤灰中铁组分矿物组成和分布形态，对高铁粉煤灰颗粒电磁参数及复合高铁粉煤灰水泥浆体的吸波性能进行了试验研究。结果表明，粉煤灰中富集在球形颗粒表面的各种微细氧化铁晶体，是高铁粉煤灰产生电磁损耗的物质基础；高铁粉煤灰颗粒具有较高的介电常数和一定的磁导率，是以介电损耗型为主的电磁波有效损耗介质；高铁粉煤灰水泥基复合材料在2～8GHz波段范围内具有吸波性能，其最小反射率为-13．01dB，同时吸波能力可能与材料电导率有关。

Ni-Fe合金磁致伸缩波导丝特性研究1791-1793

摘要：化学成分对磁致伸缩波导丝的性能产生重要影响。中频感应熔炼技术制备出Ni-Fe磁致伸缩合金铸锭，研究了Ni、Fe含量对合金磁性能、相结构以及合金金相的影响，并分析产生变化的原因。研究表明，提高Ni含量为43％时，合金的磁致伸缩系数最高、磁性γ相强度增强，而矫顽力变化不明显。

基于链化分析的磁流变弹性体剪切模量模型1794-1797

摘要：磁流变弹性体是一种磁流变材料，由高分子橡胶基体掺杂微米级的铁磁性颗粒固化而成。基于磁性物理学理论，从磁流变弹性体在磁场作用下铁磁性固体颗粒极化成链的微观结构出发，探讨磁流变流体中固体颗粒间的相互作用机理，分析研究颗粒间的相互作用力，建立了一种微观力学模型，可用于分析磁流变流体在外加磁场作用下剪切模量及其影响因素的作用效果，揭示磁流变效应的微结构机理，为磁流变弹性体的性能优化、工程开发及应用提供理论依据。

相分离Gd5Ge4合金的低温磁化行为及温度依赖性研究1798-1801

摘要：系统研究了Gd5Ge4合金的晶体结构和低温磁化行为。结果表明，Gd5Ge4具有相分离特征，低温下出现反铁磁（AFM）和铁磁（FM）共存现象。由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变。在外磁场诱导下，在4．2K以下发生AFM-FM磁转变，并导致台阶式磁化现象发生，但仅发生在第一次外加磁场增加过程中，表现出磁不可逆性。随磁场升高，在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为，并在5572kA／m下均达到饱和磁化。在温度50～60K温区，磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的，更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性。

溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响1802-1804

摘要：采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜，研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明，基片与靶间距为72mm，溅射功率为75W，溅射气压为0．5Pa，薄膜厚度为120nm时，GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477．6kA／m，克尔角为0．413°。

磁控溅射镀Al对NiCrAlY合金层循环氧化性能的影响1805-1807

摘要：通过磁控溅射手段在NiCrAlY合金表面成功制备了1层Al膜，并比较了镀Al粘结层和不镀Al粘结层在1200℃循环氧化的性能。结果表明，磁控溅射镀Al，制得表面Al膜厚度在2gm左右，NiCrAlY合金层内部的组分并无变化。这层Al膜有助于在表面形成1层分布连续、排列紧密的α—Al2O3层，降低了合金层的循环氧化增重速率，延长了涂层开裂脱落时间，使NiCrAlY合金表现出了比较好的抗循环氧化性能。

Ba0．7Sr0．3TiO3及其含Pb弥散相铁电体介电性能的研究1808-1811

摘要：用固相反应法制备了Ba0．7Sr0．3TiO3及其含Pb钛酸锶钡（BPST）陶瓷，运用修正的Smolenski的成分起伏理论和居里外斯定律，结合介电常数温度谱，研究了钙钛矿结构的BST及铅取代的钛酸锶铅钡（BPST）的弥散相，对其相变行为进行了分析，得出了的一些铁电模型参数。结果表明，该系列样品在弥散相变区的弥散指数α为1.29～1．88，相变区间为13．4～22．8℃；在顺电相其居里常量为1．25×10^5～1．47×10^5K数量级。当Pb含量为0．1（即Ba0．7Sr0．3TiO3）时，居里峰较宽，弥散相明显，故具有较高的调谐温度稳定性。另外铅的加入提高了铁电体的相变温度，从44℃上升到175℃。

磁控溅射Ni56Mn27Ga17高温形状记忆薄膜的马氏体相变与组织结构1812-1814

摘要：采用磁控溅射方法制备了Ni56Mn27Ga17高温形状记忆合金薄膜，研究了薄膜的马氏体相变行为和组织结构。试验结果表明，Ni56Mn27Ga17薄膜马氏体相变开始温度高达584K，该薄膜室温下为非调制四方结构马氏体。透射电镜观察进一步表明，其马氏体亚结构为（111）Ⅰ型孪晶。

常压条件下制备SnO2纳米线及其光学性能研究1815-1817

摘要：在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO2纳米线，X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构。在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰。研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO2纳米线的形成过程中起重要的作用。

Fe78Si9B13非晶合金晶化过程的电阻变化研究1818-1821

摘要：采用直流四端接线法测量Fe78Si9B13非晶合金在等温退火和升温过程中的电阻变化。结果表明，当温度高于693K时非晶结构易被热效应所影响。与DSC法相比较，直流电阻四端接线法的优点是能够反映出晶化的形核阶段。但是RT曲线上所反映的晶化第二阶段的特征不明显，晶化第二阶段产物Fe3B的电阻率比第一阶段产物Fe3B的高可能是造成这一现象的原因。

冶金法提纯工业硅的研究1822-1824

摘要：以冶金级硅为原料进行了制备高纯多晶硅锭的研究，自行设计了真空感应熔炼与定向凝固设备、电子束熔炼设备。通过酸洗、真空感应熔炼与第一次定向凝固、电子束熔炼、真空感应熔炼与第二次定向凝固等组合步骤对工业硅进行提纯。利用电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-AES）进行成分分析，实验结果表明，定向凝固有效去除了金属杂质，电子束对蒸汽压高的元素，尤其是磷元素的去除作用明显。Al的浓度降低到了0．4×10^-6，Fe、Ca、Ti、Mn、Cu、Zn等金属杂质的浓度降到了0．1×10^-6以下，P含量降低到1．5×10^-6。

Cu-10Cr-0．4Zr原位复合材料的微观组织与性能1825-1828

摘要：制备了Cu-10Cr和Cu-10Cr-0．4Zr合金，并经冷变形形成了原位复合材料，观察了Zr的添加对合金铸态组织、复合材料的纤雏形貌，研究了Zr的添加和冷变形率对拉伸强度以及导电率的影响。研究表明，在Cu-10Cr舍金中添加的0．4％Zr，Cr析出相的直径由15～80μm细化到10～20μm；在相同的冷拔应变下，Cu-10Cr-0．4Zr复合材料较Cu-10Cr材料具有了更高的基体晶格阻力、更加细小均匀的纤维相以及纤维间距，使得Cu-10Cr-0．4Zr复合材料的强度更高。当冷拔应变达到6．2时，Cu-10Cr-0．4Zr原位复合材料抗拉强度高达1089MPa，而Cu-10Cr材料的抗拉强度仅为887MPa。在相同冷拔应变下，Cu-10Cr材料的导电率比Cu-10Cr-0．4Zr材料中的导电率略高。随着材料冷拔应变的增加，决定复合材料电阻率的基体材料内位错散射电阻转变成界面散射电阻，复合材料的电导率逐渐下降。