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摘要:生物纳米复合材料是纳米复合材料研究的新热点。在介绍生物纳米复合材料主要制备方法的基础上,阐述了淀粉基及蛋白质基纳米复合材料的研究现状,分析展望了生物纳米复合材料在包装领域的应用前景与需解决的问题。
摘要:介电/半导体功能集成薄膜,主要是指将具有电、磁、声、光、热等功能特性的介电功能材料(主要是氧化物类介电功能材料)与硅、砷化镓或氮化镓等典型半导体类功能材料,以单层薄膜或多层薄膜的形式生长(甚至外延生长)在一起而形成的人工新材料,这类新材料有可能具有多功能一体化和功能特性之间的相互调制及耦合等特点,可望在新型电子和光电子器件中获得应用。介绍了介电/半导体功能集成薄膜产生的背景;从集成铁电薄膜与器件、HK/半导体集成薄膜与器件以及极性氧化物/GaN功能集成薄膜与器件等3个方面,分别介绍了介电/半导体功能集成薄膜的应用;概括介绍了介电/半导体功能集成薄膜的制备方法及特性调控。
摘要:以自制立方硅氧烷(OPS)为”核“,合成4种立方硅氧烷多枝分子实现了有机/无机分子杂化。在800nmTi蓝宝石激光器泵浦下开孔z扫描技术测得多枝分子sample3、4具有明显的双光子吸收,吸收系数分别为1.4×10^-11和2.0×10^-11cm/W;CCD光谱仪记录到两样品的上转换荧光峰位在600nm左右。经过立方硅氧烷杂化的多枝分子热分解温度最高可达377℃。
摘要:采用溶胶-凝胶/燃烧合成法制备了不同Dy^3+掺量的Y3Al5O12发光体。分析了基质晶体结构、Dy^3+掺量、Re^3+的电荷半径比(Z/r)对Dy^3+发光强度及发光颜色的影响。结果表明,Dy^3+:Y3Al5O12样品的激发主峰位于353nm(6H 15/2→6P7/2)附近;由于Dy^3+所占据的Y^3+位置具有D2对称性,具有一个反演对称中心,使得Dy^3+的发射光谱以481nm蓝光发射为发射主峰,但黄蓝光发射强度之比(Y/B)随Dy^3+离子浓度的变化很小。
摘要:研究了0.5%(原予分数)B对Fe83 Ga17合金室温力学性能的影响及(Fe81 Ga19)99.5 B0.5轧制薄片磁致伸缩性能。结果表明,少量B添加提高了Fe-Ga合金的室温塑性,实现(Fe81 Ga19)99.5 B0.5合金的轧制成形。热处理对(Fe81 Ga19)99.5 B0.5合金薄片材料磁致伸缩性能有很大影响。在同一热处理制度条件下,磁致伸缩性能随变形量的增加而减小;对于变形量为93.5%的样品,同一热处理时间,样品磁致伸缩性能随热处理温度的升高而增加,同一热处理温度时,样品磁致伸缩性能都表现出先升高后降低的变化趋势,样品在1300℃保温2h后,磁致伸缩性能最好,达到1.65×10^1。热处理对(Fe81 Ga19)99.5 B0.5合金薄片材料磁致伸缩性能的影响归因于对样品织构的影响。具有{100}〈012〉织构样品的磁致伸缩性能最高,而{111}〈110〉和{111{〈112〉织构对应的磁致伸缩性能较低。
摘要:采用共沉淀法,以P123表面活性剂为模板剂,以无水乙醇为溶剂,分别制备了介孔ZnS前躯体和ZnS:Mn^2+电致发光材料。选择合适的退火温度,对退火后的样品进行了电致发光性能的研究。结果表明,介孔前躯体具有较高的比表面积、较窄的孔径分布和较高的孔隙率;煅烧后的ZnS:Mn^2+较纯ZnS的电致发光性能有了显著的改善。
摘要:采用低温共沉淀法直接合成红色荧光粉CaCO2:Eu^3+,利用X射线衍射(XRD),电子扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL-PLE)等仪器对样品的结构、形貌和发光性质进行表征。同时,研究了反应温度和Eu^3+离子掺杂量对样品性能的影响。结果表明:通过改变工艺条件可以合成球形、立方体和针状等不同形貌的样品。Eu^3+作为发光中心进入到文石型或方解石型CaCO3的晶格中,其最佳掺杂量1.0%(摩尔分数)。激发峰主要由电荷迁移态和Eu卧离子的特征激发跃迁组成。发射峰以电偶极跃迁。D0→R为主,Eu^3+离子未处于严格对称的格位。样品的形貌,结晶度和物相均对发光强度有较大的影响,光滑的针状的文石型样品的发光强度最高。反应温度不同,样品的发光强度不同,其最佳的反应温度为60℃。
摘要:磁流变弹性体是磁流变材料中新的一员,它是由可磁化的铁磁性颗粒和橡胶基在外加磁场下固化而成的,固化后铁磁性颗粒在基体中形成链状等有序结构,因此其力学、电学、磁学等性质可由外加磁场控制。目前限制磁流变弹性体的大规模应用的一个重要因素是其磁致效应还不能够满足工程需要,制备出具有更大磁致效应的磁流变弹性体材料是当前的紧迫任务之一。在磁流变弹性体链化模型的基础上,引入斜链夹角的正态分布,采用偶板子法从理论上分析了诸多因素对磁流变弹性体磁致效应的影响,包括颗粒链的初始倾斜角、外加磁场强度、剪应变大小等,为材料的制备和性能的优化提供理论上的帮助。
摘要:设计和研究了一种Ni-34Mo-0.5Si—Zr新型无磁定膨胀合金,该合金具有适宜的膨胀系数(9.70×10^-6/℃)、极低的磁导率,同时,该合金也是良好的耐腐蚀材料,研究了Ni-34Mo-0.5Si-Zr舍金的膨胀性能、机械性能、焊接性能以及相关的物理性能和力学性能,研究表明,Ni-34Mo-0.5Si-Zr合金是电真空领域的良好封接材料。
摘要:研究了直流电场下钛酸钙系电流变液在静态剪切模式下的力学响应,得到了材料在静态剪切模式下的应力应变关系,讨论了材料温度、电压和剪切应变对应力的影响,以理论推导和实验数据拟合的方法得出了剪切应力与剪切应变、温度以及电场强度等参数的半经验数学关系式。理论值对比实验结果表明,剪切应力表达式与实验结果符合较好,可以用于预测材料在静态剪切模式下的剪切应变,温度和电场强度对剪切应力的影响。
摘要:采用自制纳米三氧化钨粉末为原料,以淬火工艺制得纳米基三氧化钨陶瓷。通过I-V特性测量、显微结构和相结构分析,研究了在不同的温度下淬火三氧化钨陶瓷的伏安特性,结果表明较低温度淬火可以使样品的非线性系数提高到10.93,但随着淬火温度(开始淬火温度)的提高,样品的非线性系数急剧下降,当高于900℃淬火时,样品的电学行为转变为线性,非线性系数约为1。对其进行阻抗谱测量,结合相结构与电学行为的关系,认为相结构的不同造成晶界电阻及势垒的不同,改变了电输运特性,从而使其电学行为改变。
摘要:利用Suzuki缩聚反应,合成了以1,3,6,8-(N-己基)咔唑为核的新型超支化聚对苯撑共聚物。用红外、核磁共振对聚合物的结构进行测定,表明咔唑以及吡啶单元成功引入聚合物中。聚合物可溶于四氢呋喃、氯仿和甲苯等有机溶剂。用凝胶渗透色谱法测得超支化聚合物的分子量在40000~110000之间,分子量随着1,3,6,8-(N-己基)咔唑含量的增加逐渐增加。超支化聚合物在溶液和薄膜状态下的吸收峰分别位于315-334nm和402~410nm之间。随着支化咔唑单元含量的增加,超支化聚合物的吸收峰均发生一定程度的蓝移。超支化聚合物在溶液和薄膜状态下的最大发射峰分别位于402-410nm和402-415nm之间,并且随着引入的支化咔唑单元含量的增加,分子内发生更加有效的分子内电荷转移,PL光谱发生略微的红移。
摘要:按Zr和W的原子比为1:2.1,通过固相反应技术,在1200℃加热24h,然后在冰水中快速冷却,得到立方晶相的ZrW2O8产物,XRD分析表明产物的纯度很高,基本上没有杂项,对样品的电学性能进行了测试,用物性测量系统PPMS测量了在T=39800A/m下样品的磁化率(M)随温度的变化,经过分析表明,样品在15和250K左右出现的磁化率明显变化和WO3的相转变温度吻合。
摘要:通过常温超声波辅助化学镀方法制备Ni包覆Cr3C2陶瓷粉体,以其作为增强相的粉芯材料通过高速电孤喷涂制备FeNiCr/Ni包覆Cr3C2涂层。采用光学显微分析、场发射扫描电镜分析(FE—SEM)、能谱分析(EDS)以及显微硬度测试方法,研究Ni包覆Cr3C2陶瓷粉体对涂层组织结构及性能的影响。试验结果表明:Ni包覆Cr3C2陶瓷粉体能改善涂层中各相之间的结合状态,显著减少涂层的氧化物和孔隙率,并提高涂层与基体的结合强度、抗热震性和抗高温冲蚀性能。
摘要:静电纺再生丝素纤维具有在水中易溶胀、结构稳定性和力学性能差等缺陷。在前期研究聚酰胺6/66对静电纺丝素纤维的结构和性能改进效果的基础上,以多壁碳纳米管(MwNTs)增强静电纺丝素/聚酰胺6/66复合纳米纤维。研究发现,随着MWNTs含量的增加复合纤维毡的颜色由白色变成黑色,纤维直径逐渐减小,并且都在90nm以下。MWNTs的加入,还有效地提高了纤维的结晶度、热稳定性以及纤维毡的拉伸力学性能。
摘要:介绍了利用磁控溅射和一种液氮冷却装置,制备非晶态WO3薄膜、非晶态LiNbO3薄膜和纳米微晶态NiOx薄膜的有效方法。进而,使用这种液氮冷却装置,采用全程基片冷却方法,制备了单基片无机全固态智能窗——G|ITO|NiOx|LiNbO3|WO3|ITO器件。实验结果表明,在400800nm的可见光范围内,该器件经过1000次循环后,它的漂白态透射率为63.0%,而着色态透射率为10.6%,这一初步工作表明,基片冷却方法应该是制备有优异性能的无机全固态电致变色智能窗的有效方法。
摘要:压电作动器的迟滞非线性不同程度的影响了作动器的性能,降低了系统的稳定性,甚至使得系统不稳定,尤其在振动主动控制应用中,要求系统具有极强的实时性,否则由于相位滞后控制效果将会受到严重影响。在研究了各种迟滞非线性模型和补偿算法的基础上,采用PI迟滞算子对压电作动器建立一个纯现象的模型来准确描述其迟滞现象,参数的线性不等式约束保证了求解的唯一性和模型的可逆性。在此基础上利用PI逆模型设计补偿器来补偿迟滞非线性。仿真结果证明了控制算法的正确性和有效性,并有效抑制了迟滞的影响,保证了理想的跟踪精度。
摘要:以目前最常用的LTCC材料为基础,选择Al2O3为片式熔断器基体材料。系统研究在不同烧结温度下的Al2O3-Bi2O3陶瓷基体,通过X射线衍射和扫描电镜分析了不同温度下样品的相组成及密度变化,指出形成这种相结构的可能影响因素;测试了不同频率下样品的介电性能。结果表明,Bi2O3的掺杂可以提高Al2O3陶瓷的烧结活性,进而大大降低了陶瓷的烧结温度,密度在900℃达到最大值3.7g/cm^3,陶瓷样品的主晶相为α—Al2O3,没有杂相存在,且断口形貌分布均匀没有明显的气孔存在,同时总结出了介电常数和介质损耗的变化规律。