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功能材料 2008年第12期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

超滤／微滤膜的结构控制与性能1941-1945

摘要：膜材料是膜技术的核心，膜材料制备过程中的结构控制对膜性能起着决定性的作用。首先简要介绍了近年来国内外UF／MF膜技术与产业的现状，在此基础上综述了研究组近年来在TIPS法制备聚乙烯（PE）中空纤维微孔膜、双向拉伸法制备聚四氟乙烯（PTFE）微孔膜、熔融一纺丝法制备聚偏氟乙烯（PVDF）微孔膜、溶液相转化法制备PVDF超滤膜的膜结构控制和表面改性方面取得的研究进展。

纳米粒度仪在无机功能材料研究中的应用1946-1948

摘要：纳米粒度仪是表征纳米材料颗粒大小及其分布的重要仪器。综述了近年来纳米粒度仪在纳米级催化材料及催化载体、磁性材料、光电材料及其它无机功能材料研究中最新的应用进展，提出了其存在的局限性和今后的研发方向。

功能材料杂志研究与开发

助熔剂对YAG：Tb荧光粉发光性能和形貌的影响1949-1952

摘要：助熔剂在荧光粉合成中有重要的作用。系统地研究了一元和多元助熔剂对荧光粉发光性能和颗粒形貌的影响。实验结果表明，合适的助熔剂能有效地促进单相YAG的合成；利于发光离子进入晶格，提高荧光粉的发光强度；改善荧光粉颗粒的形貌，降低高温合成中荧光粉的硬度，减轻后处理的难度。

光子晶体用二氧化硅胶体球的改性制备及其自组装1953-1955

摘要：采用一步法制备了表面接枝甲基丙烯酰氧基三甲氧基硅烷（MPS）的单分散SiO2胶体球，并通过垂直沉积法在40℃、60％相对湿度下组装出有序性较好的密排结构的SiO2光子晶体。傅立叶红外光谱（FT—IR）和X射线光电子能谱（XPS）结果证明SiO2胶体球表面接枝上了MPS；扫描电子显微镜（SEM）结果表明改性后SiO2胶体球平均粒径为284nm，单分散性较高，平均标准偏差〈5％；制备出的光子晶体是面心立方（fcc）紧密堆积结构；吸收光谱表明，所制备的光子晶体在（111）方向具有光子晶体的带隙特性，带隙中心波长为646nm。

草酸-聚苯乙烯对化学光源发光效率的影响研究1956-1958

摘要：以双（2，4，5-三氯-6-正丁烷氧羰基苯基）草酸酯（简称CPPO）和红色荧光剂罗丹明B为研究体系，分别讨论了抑制剂草酸、聚合物添加剂聚苯乙烯以及二者共同作用对过氧草酸酯类体系发光效率的影响。结果表明，加入草酸和聚苯乙烯的复合添加剂后，体系的发光寿命显著延长，发光强度接近于标准体系，发光效率最高。

一种新型磷光铜（Ⅰ）配合物及其高效绿光有机龟致发光器件1959-1960

摘要：研制出了一种新型的Cu（Ⅰ）配合物ECu（DPEphos）（PyPPN）]BF4（CuL1L2），其中二DPEp—hos和PyPPN分别表示（2-二苯基膦基）苯基醚和吡啶并[1’，2＇．2，3]吡嗪[5，6-f]1，10-菲罗啉，并制备了结构为ITO（20Ω）／2-TNATA（20nm）／NPB（40nm）／CBP：8％CuL1L2（30nm）／BCP（20nm）／Alq3（20nm）／LiF（1nm）／Al（100nm）的掺杂式有机发光二极管（OLED）。掺杂式器件在530nm处有较强的金属配合物三重态的绿光电致磷光（ELECTROPHOS—PHORESCENCE，EPL）发射，最大亮度为2388cd／m^2，在电流为0．1mA时，器件的最大电流效率达到11．4cd／A，据我们所知，该OLED器件的EL性能是目前报道Cu（Ⅰ）磷光配合物的EPL器件中最高的。

静磁场下磁流变液微结构形态稳定性分析1961-1964

摘要：作为磁偶极流体系统，磁流变液丰富的微结构形态及构成这些微结构的基本胞元决定了磁流变液在磁场一力场作用下的磁流变效应。对外加静磁场下具有单链、多链密排、正方、面心立方和体心立方胞元的微结构系统的磁势能进行了分析，结果表明具有体心立方胞元的微结构的平均磁势能较低，而具有正方胞元的微结构的平均磁势能较高。基于最小势能原理可知，静磁场下磁流变液中的颗粒容易形成具有体心立方胞元和多链密排胞元的微结构。

高能球磨Gd5Si1.8Ge1.8Si0．4合金的磁性能及相组成1965-1967

摘要：采用电弧熔炼的方法制备了具有一级磁晶相变Gd5Si1.8Ge1.8Si0.4母合金，然后在不同时间条件下对其进行高能球磨，并研究球磨时间对该磁热合金的磁性能及相组成的影响。粉末XRD结果显示球磨没有改变Gd5Si2Ge2相，但拓宽了相应的布拉格衍射峰，这表明球磨后的合金的晶粒尺寸较小。另外，球磨后的合金中形成了一些非晶相。随着晶粒尺寸和磁畴的减小，与母合金相比，希望其滞后现象减小。

氧分量对柔性衬底上WOx薄膜性能的影响1968-1970

摘要：通过射频磁控溅射方法，在柔性PET衬底上低温沉积电致变色WOx薄膜。利用X射线衍射（XRD）、紫外-可见光分光光度计、X射线光电子能谱（XPS）分析所制备薄膜的微观结构、透光率、O元素的结合状态。结果表明，各氧分量下制备的WOx薄膜均为非晶态；氧分量0时制备的薄膜着、退色态透光率变化范围达到25％左右，具有较好的电致变色性能；XPS分析表明氧分量8％时氧空位含量最低，随着氧分量的继续增大，氧空位含量也增大。

丝网印刷制备钡铁氧体永磁厚膜的研究1971-1973

摘要：采用丝网印刷方法制备钡铁氧体永磁厚膜，研究了热压烧结对钡铁氧体厚膜性能的影响。XRD结果表明，在常压烧结和热压烧结的样品中均有明显的BaFe12O19衍射峰。与常压烧结相比，热压烧结的样品表面孔洞明显减少，致密性得到了很大的提高。并且热压烧结的样品磁性能也有明显的提高，其剩磁比可达0．71，矫顽力达到304．1kA／m，而常压烧结样品剩磁比和矫顽力仅为0．51和278．8kA／m。

采用空气气氛合成的锂镍钴氧正极材料的性能1974-1977

摘要：用控制结晶法合成了类似球形、颗粒细小的（Ni0.8Co0．2）2（OH）2CO3·4H2O前驱体，对前驱体二次干燥后，再与LiOH·H2O混合、研磨高温烧结，在空气气氛下合成了LiNi0.8Co0.2O2正极材料。采用正交实验对反应时间及锂配比因素进行了优化；同时也进行了XRD、EIS及SEM等相关表征研究。结果表明：在750℃下烧结时，当Li／（Ni＋Co）配比为1．05，烧结15h时得到的锂镍钴氧化合物性能最优；在0．1C，2．7～4．3V的条件下充放电，首次放电比容量达到179．2mAh／g。循环10次后容量变为167mAh／g，容量保持率为93％。

In^3＋、Ga^3＋掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究1978-1981

摘要：将BiGaO3和BiInO3分别引入BiScO3-Pb—TiO3（BSPT）体系，并通过氧化物合成法制备了0．075BiGaO3-（0．925-z）BiScO3-xPbTiO3（BGSPTx，x=0．58～O．62）和0．075BilnO3-（0．925-x）BiScO3-xPb-TiO3（BISPTx，x=0．61～0．65）压电陶瓷。X射线衍射分析表明，BiGaO。和BilnO。的替换掺杂均不影响BSPT体系的钙钛矿结构。随着PbTiO3含量的增加，BGSPTx和BISPTx陶瓷由三方钙钛矿结构逐渐变到四方结构，其三方-四方准同型相界分别位于x=0．60和x=0．62附近。在准同型相界附近，BGSPT。陶瓷的压电常数d33,机电耦合系数kp为分别为350pC／N和52．0％，而BISPT。的d33高达475pC／N，kp为52．3%。介电常数的温度特性测试表明，掺入Ga抖可以有效地提升BSPT体系的居里温度，其MPB组分（x=0．60）居里温度高达472℃，而掺入In^3＋对BSPT体系的居里温度影响则不明显。

C／SiC-SiB4复合材料的制备及氧化行为1982-1984

摘要：在多孔C／SiC中渗入SiB4微粉后，采用先驱体浸渍裂解（PIP）结合化学气相渗透（CVI）法进行致密化制备C／SiC—SiB4复合材料。利用XRD、EDS、SEM分析了材料的组分及微结构。研究了材料在500～1000℃静态空气的氧化行为，并与致密C／SiC复合材料的氧化行为进行了比较。结果表明，SiB4主要渗入到纤维柬间，它与随后PIP及CVI法引入的SiC较好地结合在一起。在氧化过程中，SiB。起自愈合作用，它能减缓碳纤维和界面的氧化。在600～900℃氧化10h后，C／SiC—SiB4的失重率均比致密C／SiC小，抗弯强度没有明显降低，且均比致密C／SiC高。

Ta／BDD薄膜材料电极在检测苯胺中的应用1985-1988

摘要：制作钽衬底掺硼金刚石薄膜材料电极（Ta／BDD），并利用此薄膜材料电极为工作电极通过阴极溶出伏安法检测水中的苯胺。用热丝化学气相沉积（HFCVD）方法沉积Ta／BDD薄膜电极，扫描电镜和拉曼光谱表明电极具有良好的物理性质，循环扫描测试表明电极具有宽的电势窗口4．1V（-1．8～＋2．3Vvs SCE）和低背景电流，此特性对于电化学检测有着明显的优势。发现苯胺在氧化处理的Ta／BDD电极上有可逆的氧化还原峰，检测过程中未发生电极钝化现象。Ta／BDD电极在酸性介质中苯胺检测效果较明显，苯胺在1～40μmol／L范围内浓度与溶出峰电流值有较好的线性关系。

硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响1989-1991

摘要：合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料。实验发现，不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响。合成产物的形貌通过扫描电子显微镜（SEM）观察，结构通过粉末衍射法（XRD）测定。结果表明，合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系，表面积越大，合成产率越高。合成温度和时间则决定了合成产物中α-SiC和β—SiC的比例。辉光放电质谱（GDMS）测量了合成产物的杂质含量，表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求。

TiO2／ZnO纳米复合薄膜溶胶-凝胶法制备与表征1992-1993

摘要：采用溶胶-凝胶法在普通载玻片表面制备了TiO2／ZnO纳米复合薄膜并进行了SEM、XRD和EDS分析与表征。结果表明，复合薄膜微观结构和结晶化程度都强烈依赖于钛相对百分含量；随着钛含量减少，薄膜微裂纹消失，由晶化相趋向于玻璃态后又逐步趋向于结晶态。

退火温度对ZnO：Al透明导电薄膜结构和性能的影响1994-1996

摘要：采用溶胶-凝胶法（sol—gel）在普通载玻片上制备了ZnO：Al薄膜，在200～600℃下退火。利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明，退火温度在300℃以上，薄膜开始结晶，400℃以上，薄膜出现明显结晶，且沿（002）方向择优取向，随着退火温度升高，（002）峰的强度逐渐增强，晶粒尺寸逐渐增加；薄膜在可见光范围内的透过率均〉85％以上，退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高，光学带隙在3．32～3．54eV，且随着温度的升高而降低；薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低，但是仍较高，在10^3Ω·cm量级。

Pt／YSZ电极烧制工艺研究1997-2001

摘要：借助交流阻抗谱测试技术和扫描电镜，研究了Pt／YSZ电极烧制工艺条件对其性能的影响。研究表明，制作Pt／YSZ电极时烧结温度越高，电极阻抗越大，氧传感器响应越慢，但O2的电极还原反应速率控制步骤（〉600℃，吸附氧原子Oatm在Pt表面向YSZ的扩散过程；〈500℃，气相O2分子在Pt／YSZ界面附近的解离吸附过程）未发生变化；电极烧结的升／降温速率对电极阻抗和氧传感器响应时间有显著影响，降温速率增大还会使电极反应激活能发生突变（〉600℃，激活能由169kJ／mol突然增至（217±4）kJ／mol）；当Pt／YSZ电极工作温度〈500℃时，其最优烧制工艺为烧结温度700℃，升／降温速率0．5～1℃／min。