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功能材料 2008年第10期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

超分子模板孔隙材料的研究现状与展望1589-1594

摘要：对超分子化学的概念、特征及超分子有序体进行了简单的说明。综述了利用囊泡、表面胶团、溶致液晶、混合表面活性剂等超分子模板方法制备孔隙SiO2膜、薄片、分子筛、新型沸石类介孔材料及其它非硅基孔隙材料的制备方法和形成机理，指出了存在的问题，提出了利用超分子膜板法制备孔隙材料的发展前景。

功能材料杂志研究与开发

掺铒TeO2-Nb2O5-ZnO系统玻璃的上转换发光性能1595-1597

摘要：稀土离子掺杂碲酸盐系统玻璃是一类应用前景良好的上转换发光材料。研究了含铒TeO2-Nb2O5-ZnO系统玻璃在980nm抽运下的上转换光谱，结果发现存在3个上转换荧光谱带，分别对应于^2H11／2→^4I15／2、^4S3／2→^4I15／2和^4F9／2→^4I15／2，而且Er^3＋含量的增加可明显提高材料在530、550和660nm附近的发光性能。少量的ZnO引入既可以大幅提升材料的上转换发光强度，又能保持铌碲酸盐玻璃良好的化学稳定性。材料的发光机制主要是激发态吸收（ESA）和能量转移（ET），最大声子能量的降低是上转换发光增强的主要原因。

溴代吲哚啉螺苯并吡喃的合成及光致变色性质1598-1600

摘要：合成了6，8-二溴-1’，3’，3＇-三甲基螺（[2H]苯并吡喃-2，2，-吲哚啉），用核磁共振氢谱、红外光谱、元素分析和熔点进行表征，并用X射线衍射仪进行物相分析。该化合物在丙酮中经365nm的紫外光照射，分子由团环变成开环结构，廒色由无色变成蓝色，再用红外光照射或置于暗处，颜色变回到无色，表明目标化合物具有良好的光致变色性能。

纳米发光材料Re（Nd，Yb）：GdAlO3的合成、结构及发光性能1601-1604

摘要：采用共沉淀方法，以Gd2O3、Al（NO3）3·9H2O、Nd2O3（Yb2O3）为原料、氨水为沉淀剂，合成了Nd：GdALO3（5％（原子分数））和Yb：GdAlO3（5％（原子分数））纳米多晶粉末，采用X射线衍射（XRD）和Rietveld精修方法对晶体结构进行了研究，采用场发射扫描电镜（FESEM）对晶体的形貌进行了研究，同时对晶体的发射光谱进行了测量。XRD结果表明，在较低的煅烧温度和较短的煅烧时间下（1000℃，保温3h）可获得纯Nd：GdAlO3和Yb：GdAlO3晶相，同时晶粒尺寸随着煅烧温度的升高而增大。Rietveld精修结果表明半径较大的Nd^3＋离子的掺杂，使GdAlO3晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势。FESEM结果表明，颗粒大小均在纳米尺寸范围之内，且具有较好的分散性。在Nd：GdAlO3晶体的发射光谱中，在927、1077和1335nm附近出现的3个发射峰分别对应于Nd^3＋的^4F3／2→^4I9／2、^4F3／2→^4I11／2和^4F3／2→^4I13／2跃迁；在Yb：GdAlO3晶体中，主要发射峰波长位于979、997和1028nm处，其中1028nm处为最强发射峰，对应于Yb^＋的^2F5／2→^2F7／2跃迁。

生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响1605-1607

摘要：采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。

脲醛树脂电子墨水微胶囊的制备与固化研究1608-1611

摘要：以改进的两步原位聚合法制备脲醛（UF）树脂电子墨水微胶囊，比较了不同系统改性剂和不同固化方式对微胶囊表面形貌及固化性能的影响。结果表明，采用氯化钠、明胶和间苯二酚为系统改性剂可以控制脲醛树脂胶粒在油水界面富集凝结，改善微胶囊的表面光滑度和致密性；调节室温下的酸处理时间，可控制脲醛树脂微胶囊的囊壁厚度，采用氯化铵做微胶囊固化剂，调节体系温度可有效控制氯化铵与甲醛的反应速度，即可得到表面光滑、干燥后不坍塌、不破损的脲醛树脂电子墨水微胶囊。

磁控溅射温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响1612-1614

摘要：在不同的沉积温度下，用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响。沉积态的XRD、AFM结果表明，随着沉积温度的升高，Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变，晶粒的尺寸增大；650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能。

超细镍粉／微米镍粉复合电磁屏蔽涂料的研究1615-1617

摘要：在水溶液中制备了大量的直径约为0．5／1m的超细镍粉，将其与微米镍粉以不同的比例进行复合作为导电填料制备电磁屏蔽涂料。结果表明当超细镍粉与微米镍粉的比例适当时（质量比=1：1），得到的涂料在130MHz～1．5GHz频段内具有比纯微米镍粉涂料更好的电磁屏蔽性能（40～55dB）。

磁控溅射基片低温冷却法制备NiOx纳米微晶薄膜1618-1621

摘要：利用自行设计的基片液氮低温冷却装置，用金属Ni靶在Ar＋O2气氛反应条件下，利用磁控溅射制备纳米微晶结构NiOx膜的方法，薄膜的XRD谱和扫描电子显微图像（SEM）表明，该方法实现了在溅射参数完全相同的条件，纳米Ni晚薄膜结构连续可控、可调节。

电磁屏蔽材料中聚苯胺对屏蔽效能的影响及机理1622-1624

摘要：金属材料与导电聚苯胺复合形成屏蔽组分有效提高了复合电磁屏蔽材料的高频电磁屏蔽效能，从而扩展了屏蔽材料的屏蔽带宽。以金属Ni粉／导电聚苯胺复合屏蔽组分为例，分析了在复合电磁屏蔽材料中聚苯胺的对屏蔽效能的贡献及作用机理。结果表明聚苯胺的加入与基体树脂相溶形成基体导电网络，有效阻碍了高频电磁波的穿透，可能是提高高频效能的主要原因。

钢基表面磁控溅射法3C—SiC薄膜制备研究1625-1627

摘要：采用磁控溅射的方法溅射SiC靶材所制备的碳化硅薄膜由于制备过程中碳易被溅射气体带走而很难形成结构较好的晶态结构。采用纯物理方法实时增碳又非常困难，实验采用先对衬底升温射频磁控溅射沉积碳化硅，然后再用直流法在表面沉积碳——两步法在钢基体表面制备薄膜。对所制备的薄膜结构采用X射线衍射和傅立叶红外吸收光谱表征；并通过扫描电镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明，通过这种方法所得出的薄膜在XRD图像中显示了很明显的3DSiC的晶态峰，在红外分析中也得到了其相应的吸收峰。

B4C晶体的结构与C原子占位研究1628-1631

摘要：设计了多种B4C结构模型，并对模型进行了结构优化，计算了各模型结构的单点能。结果表明，B4C的稳定结构为CBC（B11C），即它由C-B-C三原子链和B11C二十面体组成，B11C中C原予为极地占位。由于双极地占位的B10C2＋B12结构能量与B11C结构相差较小，在通常材料制备条件下，B4C晶体中有少量B10C2＋B12结构的存在是可能的。计算结果表明，B11C中极地C原子占位分布为有序化时能量较低，当B4C晶体在能量最低的平衡态时C原子在B11C二十面体中的占位应有一定的有序性。

闪锌矿CdSe纳米晶的可控合成及其与MEH—PPV共混光电池的器件性能研究1632-1634

摘要：采用溶剂热方法制备了闪锌矿CdSe纳米颗粒，利用TEM、XRD、荧光分析仪对其形貌、结构及光学性能进行了表征。结果表明，纳米颗粒的直径在3～5nm左右，为闪锌矿结构；其吸收峰在600nm左右，并与合成CdSe纳米晶所用的羧酸盐的链长略有差别；将CdSe与MEH-PPV（聚苯乙烯撑）共混，发现有明显的荧光淬灭现象；共混材料制成光电池器件，在模拟太阳光照射下获得了0．85％的能量转化效率。

不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响1635-1637

摘要：采用分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜，为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度，采用低温GaSb作为缓冲层。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出，当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时，GaSb外延层中的位错密度最小，晶体质量最好。此外，缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响。

超声电化学沉积ZnO薄膜及其机理研究1638-1640

摘要：采用超声电化学沉积生长了C轴取向的ZnO薄膜，并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计研究了样品的晶体结构、表面形貌以及光学性能。结果表明，常规电化学沉积生长的ZnO薄膜为纳米柱状结构，随着沉积电压的增加，c轴取向率呈极值变化，热退火可提高这种薄膜的透射率。超声电化学沉积生长的ZnO薄膜，在1．5V低沉积电压下仍为柱状结构，但比未加超声电化学法沉积的样品具有更好的C轴取向，沉积电压增加到2．0V时样品则变为麦粒状结构，热退火后其透射率几乎不变。

微薄板塑性成形本构关系研究1641-1645

摘要：尺寸效应的影响使得传统的成形理论和变形机制不再适用于微塑性成形。在考虑尺寸效应对微薄板成形性能影响的基础上，对已有的CuZn36黄铜薄板微拉伸实验结果进行处理，提出了一种研究微塑性成形本构关系的方法。根据弹性和塑性变形过程，分阶段分析了t／d（板厚／晶粒大小）对屈服强度和切线模量的影响，修正了双线性弹塑性本构关系，获得了考虑尺寸效应的微塑性成形本构关系。借鉴宏观增量本构关系，结合微拉伸实验，采用Mises屈服准则和随动强化模型，得出适合微塑性成形的弹塑性增量本构方程，为微塑性成形的理论研究和实际应用奠定了基础。

0Cr18Ni9Ti金属橡胶过滤介质的压力损失特性1646-1648

摘要：压力损失是过滤器最重要的性能指标之一，它标志着过滤器对流体流动的阻碍程度。当压力损失超过一定范围，会引起过滤器工作状态的明显恶化。为此，结合理论分析与实验的方法，推导出清洁流体流过金属橡胶过滤介质时的压力损失表达式。研究表明该表达式准确地反映出金属橡胶过滤介质压力损失的影响因素及其相互关系，为设计和优化金属橡胶过滤器提供可靠的理论依据。

Mg2Sn热电粉体的低温固相反应合成及工艺控制1649-1652

摘要：为了解决传统方法制备Mg2X（X=Si、Ge、Sn）基热电材料过程中带来Mg的氧化，挥发，碳化等问题，引进低温固相反应法，成功合成了MgzSn粉体，用DTA、XRD、SEM、EDS等分析手段对合成的粉体物相和形貌进行了表征，并系统研究了合成工艺对粉体制备的影响。结果表明：通过改变升温制度可以抑制Mg氧化；调节预压力大小可以有效抑制Sn析出，控制Mg过量可以补偿Mg的挥发；本实验条件下，当Mg过量0．0025mol、预成型压力20MPa、823K下保温8h时，可以得到单相Mg2Sn热电化合物粉体。