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摘要:综述了氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展,分析了粉体特性对压敏电阻微观结构和电性能的影响以及粉体制备中存在的问题。对粉体的制备方法和应用前景进行了展望,指出化学法合成复合粉体和高能球磨法制备纳米粉体是氧化锌压敏陶瓷粉体的两个主要发展趋势。
摘要:通过Stille偶合反应合成了2,7位二噻吩基取代的新型芴类衍生物并首次应用固相聚合法合成出聚-2,7-二噻吩基芴。在25℃测得聚合物的特性粘度为0.68dl/g。通过棱磁共振(^1H-NMR)、红外光谱(FTIR)对单体和聚合物的结构进行了表征确认,同时研究了聚合物的光学、结晶态形貌及热学性能。研究发现,2,7-二噻吩基芴在研磨过程中发生了聚合反应且其偶合发生在e,e′位置。
摘要:采用射频溅射法在SnO2衬底上生长了NiOx薄膜,制备的薄膜是非理想化学计量的微晶薄膜。研究了氧分压对NiOx薄膜的溅射速率、表面形貌和光学电学特性的影响。研究结果显示,O2分压在1:10时,可得到最快的沉积速率;低的氧分压沉积的薄膜表面比较疏松;随着氧含量的增加,方块电阻呈上升趋势,当氧分压达到一定值时,膜电阻又开始下降;随着氧分压的升高,颜色会逐渐加深,透射率降低。
摘要:将二胺单体6FHP、二酐单体6FDA和双酚A二酐缩聚合成新型三单体共聚型含氟聚酰亚胺FAPI。用红外光谱、凝胶色谱、差热热重仪、棱镜耦合仪、万能力学机等对FAPI的光学和力学等性能进行了表征。结果表明,三单体缩聚后得到的FAPI重均分子量Mw高达19743.2,分散度最低达到1.2735;共聚物具有高热稳定性,玻璃化转变温度高达234℃;在光通讯波段1550nm处的传输损耗最低达到0.316dB/cm;柔韧性好,断裂伸长率高达152.5%,机械强度高达127.980MPa。与二单体含氟聚酰亚胺FPI相比,FA- PI的热稳定性更高、力学性能显著提高,而传输损耗仍较低,综合性能优异。
摘要:采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究。结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si—C键振动减弱,Si-O基团的振动增强。样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度。
摘要:用脉冲激光沉积法在LaAlO3衬底上制备了La0.88Te0.12MnO3-δ(LTeMnO)薄膜。X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻率-温度关系显示样品发生了金属绝缘体转变和庞磁电阻效应,转变温度为278K;在0.4T的磁场下,其磁电阻最大值为16.9%,对应的温度为223K。在绿激光作用下,光致电阻率变化最大值为13.2%;原因可能是激光作用影响了体系中载流子的浓度,进而影响了体系的自旋。
摘要:应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态。由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比。最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm。
摘要:以商业蒸馏Gd为原料,采用非自耗电弧炉在氩气保护下熔炼了Gd5Si4Cx(x=0.35、0.5、0.7)系列合金,随后将合金在钼丝炉进行1300℃,1h热处理。研究了高温热处理对Gd5Si4Cx磁致冷合金组织结构与磁热性能的影响。粉末XRD结果表明,热处理后的Gd5Si4Cx系列合金主相均为正交的Gd5Si4型结构,并含有少量的GdSi相。利用振动样品磁强计测量的合金的磁性能的结果表明,Gd5Si4Cx(x=0.35、0.5、0.7)系列合金的居里温度分别为302、294、217K。相对于铸态合金分别下降了5、3、25K。在1.5T外加磁场变化时居里温度附近的最大磁熵变分别是2.36、1.87、0.72J/(kg·K)。相对于铸态合金分别提高了16%、13%、24%。
摘要:树脂基磁致伸缩复合材料是由Terfenol-D颗粒分散在树脂基体内形成的一类复合材料,颗粒的分散均匀性以及颗粒与基体界面的粘结紧密性是影响其性能的两个重要因素。由于颗粒与基体润湿性差,机械搅拌制备的磁致伸缩复合材料,普遍存在分散不均,孔隙率高等缺点。高强度超声在液态树脂中传播时,会产生空化、声流等非线性声学效应,对促进颗粒分散和改善固液界面具有一定的作用。以环氧树脂为基体,分别采用机械搅拌法和高能超声法制备了Terfenol-D颗粒体积含量为50%的树脂基磁致伸缩复合材料。对两种材料进行了SEM分析及力学和磁致伸缩性能测试。实验结果表明,较之机械搅拌法,超声分散法制得的磁致伸缩复合材料具有颗粒分散均匀,孔隙率低,颗粒与基体的界面结合性好,弹性模量高,磁致伸缩应变大等优点。
摘要:用Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶粉体,加入一定量的塑化剂,通过模压成型方法制备磁粉芯。实验结果表明,在一定粒度范围内,磁导率μ随粉体粒度增大而增大,品质因数Q,随着粒度的增大而减小,且在一定频率范围内,μ呈现良好的频率稳定性;塑化剂质量百分含量α越大,μ越小。当α=6.5%时,μ达到最大值31.8。0~300kHz范围内,α与Q成反比;300~1000kHz范围内,α与Q成正比例关系;磁导率μ随着成型压力的增加而提高,相反,压力越大,Q值越小;磁导率随着磁粉芯测试温度的提高逐渐减小,0≤f≤700kHz范围内.温度升高,Q降低,700kHz≤f≤1000kHz范围内时,温度升高,Q值升高;随退火温度的增加,μ和Q均呈现先增大后减小的趋势。
摘要:对外加磁场、应力场共同作用下的铁磁形状记忆合金多晶的磁力学特性进行了实验测试与研究,分别获得了两种组分Ni52Mn27Ga21和Ni54Mn25Ga21多晶样品在不同磁场倾角下、不同预加应力下的磁化曲线和磁滞回线;以及不同外加磁场及磁场倾角下的应力应变曲线和磁致应变曲线等磁力学特性曲线。结果表明铁磁形状记忆合金多晶沿样品轴向所测的饱和磁化强度随磁场倾角的增大而减小,施加预应力并不显著影响样品的磁化曲线和磁滞回线;各种角度时不同磁场对两种多晶样品的应力应变关系影响均很小。
摘要:采用柠檬酸溶胶凝胶法制备了稀土W型六角铁氧体Ba0.8La0.2Co2Fe16O27粉晶,用DSCTGA、FTIR、XRD、SEM分析了样品的形成过程、微观形貌、粒径和晶体结构,根据微波矢量网络分析仪测试的样品在2~18GHz微波频率范围的电磁参数计算了电磁损耗角正切及微波反射率。研究结果表明,煅烧2h能得到单一的W型相Ba0.8La0.2Co2Fe16O27;晶粒为六角块状结构,大小均为200nm左右;Ba0.8La0.2Co2Fe16 O27样品厚度为1.9mm时,12GHz位置处吸收峰为16.2dB,10dB频宽为4.0GHz;微波吸收主要由磁损耗引起。
摘要:采用低功率直流反应磁控溅射法,在Si衬底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、荧光分光光度计研究了沉积温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,合适的村底温度有利于提高ZnO薄膜结晶质量;在室温下测量样品的光致发光谱(PL),观察到波长位于440nm左右和485nm左右的蓝色发光峰及527nm左右微弱的绿光峰,随村底温度升高,样品的PL谱中蓝光强度都明显增大,低功率溅射对其蓝光发射具有很重要的影响。综合分析得出440nm左右的蓝光发射应与Zn;有关,485nm附近的蓝先发射是由于氧空位形成的深施主能级上电子跃迁到价带顶的结果,而527nm左右的较弱的绿先发射主要来源于导带底到氧错位缺陷能级的跃迁。生长温度主要是通过改变薄膜中缺陷种类及浓度而影响着ZnO薄膜的发光特性的。
摘要:通过化学镀方法在直径为90μm的铜丝上制备了NiCoP/Cu复合结构丝,研究了驱动电流幅值和频率对复合丝的巨磁阻抗效应和磁场灵敏度的影响。研究发现驱动电流幅值增加时能显著增强复合丝巨磁阻抗效应和增加磁场灵敏度。电流大小和频率会改变GMI曲线峰值对应磁场H_p。结果可以用磁化过程和非线性效应来解释。
摘要:通过射频磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的生长了Nd0.67Pb0.33MnO3薄膜。用X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其结构及磁电特性进行了研究。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为α=3.846nm。居里温度为158K。在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变,导电特性由金属特征向半导体特征过渡。此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的。磁电阻在居里点附近达到极大值,当H=1.0T时,磁电阻的极大值为28.5%。输运性质表明,T〈TMI时,电阻率满足公式: ρ(T)=ρ0+ρ1T^2+ρ2T^5 此输运机制是由电子散射造成的;当T〉TMI时,符合小极化子模型,输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的。
摘要:在第一性原理框架理论下应用KKR-CPA- LDA方法计算了Zn0.9O1-xCo0.1体系(x=0~10%)下的电子结构、磁矩分布和3种不同的状态下的能量。结果表明:(1)在不同的氧空位缺陷的条件下,材料都显示半金属特性;(2)随着氧空位缺陷的增加,掺杂体系的能量逐渐升高,稳定性逐渐变弱,说明了基态条件下,Zn0.9O1-xCo0.1掺杂体系中的氧空位缺陷是不容易形成的,这个和文献报道的是一致的;(3)根据计算结果可以推断,在Zn0.9O1-xCo0.1体系中,磁性原子的磁矩随着氧空位缺陷的增加,体系的饱和磁化强度降低,符合双交换理论。
摘要:在V=15m/s淬速下制备Sm(Co0.68Fe(0.20) Cu0.08Zr0.04)z(z=10、12)合金的快淬薄带,对薄带的相结构和微现形貌进行了研究。薄带自由表面SEM分析表明,微观组织由取向生长的胞柱晶束呈编织状构成,当z=10时,一个胞柱晶尺寸大约为(1~1.5)μm×(15~25)μm,而一个胞柱晶束的尺寸大约为(18~13)μm×(15~25)μm,当z值由10增大至12时,胞柱晶束变窄、变短.薄带自由表面XRD和EDAX分析显示,z=10的合金快淬薄带的微观组织以1:7H结构为主,伴有少量的2:17H结构,而z=12的合金快淬薄带相结构是2:17H.取向生长的胞柱晶的c轴[001]在薄带平面内取向,每一束胞柱晶内各柱晶的c轴是互相平行的,而不同胞柱晶束的c轴取向不同。
摘要:采用CHI660C电化学工作站测试了Al- 5Zn-0.5Bi和Al-5Zn-0.5Bi-0.06Sn合金在3%NaCl溶液中的极化曲线和电化学阻抗谱(EIS),考察了合金的电化学性能。结果表明,Al-5Zn-0.5Bi中添加0.06%的Sn元素后,自腐蚀电位Ecorr升高0.017V,耐腐蚀性能有所增强。等效电路RS(RPC)(QRD(RaL))较好地拟合了Al-5Zn-0.5Bi系合金在3%NaCl溶液中的EIS谱,基本反映了该铝合金的电化学腐蚀过程。随着合金在3%NaCl溶液中漫泡时间的延长,腐蚀产物膜增厚并部分脱落,主要形成点蚀。另外,腐蚀产物更容易在含Sn合金氧化膜缺陷处形成,阻碍了腐蚀介质中Cl^-向其内部扩散,从而减缓了点蚀和自腐蚀速度,有助于提高该合金材料作为牺牲阳极的电流效率。