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功能材料 2008年第05期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

镁基可降解硬组织生物材料的研究进展705-708

摘要：介绍了镁与人体健康的关系及镁基生物材料的优势。简要介绍了镁基硬组织生物材料的发展及其最新研究进展，包括镁基硬组织生物材料生理环境下的腐蚀降解、表面改性、生物相容性和多孔镁骨植入材料、镁添加剂生物材料、镁基复合材料等。还讨论了镁基生物材料存在的问题。

远红外功能材料的发展与应用709-712

摘要：综合国内外文献资料介绍了远红外辐射的机理的，重点介绍了国内外远红外功能材料方面的研究现状以及与此相关的文献、专利情况；提出对我国的丰富的矿物材料进行改性等深加工，从而制备性能优良的远红外功能材料，最后展望了远红外功能材料的应用领域与发展趋势。

功能材料杂志研究与开发

（Gd1-x，Prx）2O2S闪烁陶瓷粉体的合成及光致发光研究713-716

摘要：以Gd2O3、Pr6O11和H2SO4为原料，通过H2还原法合成不同浓度Pr^3＋离子掺杂的（Gd1-x，Prx）2O2S闪烁陶瓷粉体。利用DTA-TG-DTG、FT-IR、XRD、SEM、光致发光（PL）光谱等测试手段对合惩的粉体进行了表征。研究表明，将Gd2O3和Pr6O11与稀H2SO4在100℃加热搅拌，制备出2Gd2O3·（Gd1-x，Prx）2（SO4）3·12H2O前躯体。前驱体在750℃煅烧2h可获得（Gd1-x，Prx）2O2SO4粉体，该粉体在H2气氛下750℃还原1h可以转化为具有疏松和多孔蜂窝状结构的单相（Gd1-x，Prx）2O2S闪烁陶瓷粉体。（Gd1-x，Prx）2O2S粉体在307nm的紫外光激发下呈现绿光发射，主发射峰位于511nm，归属于Pr^3＋离子的^3Po-^3H4跃迁。发光强度随Pr^3＋离子浓度的变化而变化，当Pr^3＋离子的摩尔分数为1．000％时，粉体具有最高的发光强度。

Er：YSGG激光晶体的晶体结构和光谱性能717-720

摘要：测量了30％（原子分数）Er：YSGG晶体的晶胞参数：a=b=c=（1．24640±0．00065）nm，α=β=γ=90°。用Rietveld方法对X射线衍射谱进行了精修，给出了处于96h位置的O原子分数坐标（z，y，z）=（-0．031433±0．000780、0．058253±0．000792、0．155358±0．000776），并计算了氧配位多面体中的阴阳离子间距和夹角，结果表明Er^3＋／Y^3＋处于畸变十二面体的中心。另外还研究了该晶体在室温下的吸收光谱和荧光光谱的性质。在200-1700nm波段内，Er：YSGG晶体吸收谱带主要为Er^3＋离子的特征吸收，计算了Er^3＋在966、790nm处的吸收截面；测量了966、790和488nm为激发波长时的室温发射光谱，当激发波长为966nm时发射谱带强度较大。另外，以1534nm为监测波长得到室温下的激发光谱，研究结果表明Er：YSGG激光晶体适合于InGaAs二极管激光器的泵浦。

Er2Sn2O7的水热合成及光催化活性研究721-723

摘要：采用水热法制备了Er2Sn2O7纳米颗粒，并用TEM、XRD、IR、Raman等技术对其进行了表征。结果表明：Er2Sn2O7纳米颗粒的粒径约为20nm左右，且尺寸分布均匀。以紫外光为光源，甲基橙为目标降解物，研究了该纳米催化剂的光催化活性，结果显示其具有较高的催化效率。另外，对甲基橙催化降解后的产物进行了UV-vis、IR、Fluorescence表征分析，并初步探索了甲基橙分子在该实验条件下的光催化降解机理。

衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响724-726

摘要：在60Pa的高氧压气氛中，用脉冲激光沉积法以Si（111）为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD结果表明，所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜。随衬底温度的升高，ZnO薄膜（002）衍射峰的半高宽不断减小，从0．227～0．185°。对（002）衍射峰的2θ值分析表明，650℃下生长的ZnO薄膜几乎处于元应力的状态，而在较低或较高温度下生长的薄膜中都存在着一定程度的c轴压应力。室温PL谱测试说明在650℃生长的ZnO薄膜具有最强的紫外发射峰和最窄的UV峰半高宽（83meV）。在700℃得到的样品PL谱中，检测到一个位于3．25eV处的低能发射峰。经分析，该峰可能是来自于施主-受主对（DAP）的跃迁。

AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究727-729

摘要：用MOCVD技术在（0001）蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性。结果表明，缓冲层材料和结构对AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格材料是一种准二维生长模式。XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性。利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对AlN／Al0．3Ga0．7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93．5％的反射率。

溅射Si／Ge多层膜及其发光誊性研究730-732

摘要：采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光（PL）对样品进行表征。结果表明，2．0～2．3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的；1．77～1．84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷；1．53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光。

沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响733-736

摘要：使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜。研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响，并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系。X-ray衍射结果表明：沉积电位在-600～-700mV之间均可得到立方相CdSe，晶粒尺寸随沉积电位降低而增大。原子力显微镜观察表明，沉积电位较高时，粒子聚集为块状或柱状，沉积电位较低时，粒子呈现不均匀团聚。透射光谱测试显示：在350-850nm波段范围内，随沉积电位降低，透过率降低，吸收边红移。所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大，且随晶粒尺寸的增大而减小，表现出明显的量子尺寸效应。

聚苯胺性状及其含量对镍粉／聚苯胺涂层屏蔽性能的影响737-739

摘要：系统分析了金属粉末／聚苯胺复合电磁屏蔽材料中导电聚苯胺的性状，体积分数对微观结构和电磁屏蔽效能的影响。从二次掺杂的导电聚苯胺的电磁性能讨论了聚苯胺对电磁屏蔽效能的贡献。研究了二次掺杂聚苯胺性状对电磁屏蔽涂层微观结构形貌以及与金属粉末的复合效应对电磁屏蔽效能的贡献。研究的结果表明导电聚苯胺的加入有利于增加电磁屏蔽材料对于高频电磁波的电磁屏蔽效能，但是对低频部分的电磁波的屏蔽效能与纯金属粉末电磁屏蔽材料相比有所降低，这可能是由于聚苯胺加入导致的导电组分分布不均匀所引起的。实验结果表明胶状体聚苯胺和粉末状聚苯胺在电磁屏蔽涂料基体树脂中具有完全不同的形态，分析了对电磁屏蔽效能的影响。

不同退火条件对Fe73．5Si13．5B9Cu1Nb3-xAlx磁导率的影响740-743

摘要：用Al部分替代Nb制备了Fe73．5Si13．5B9Cu1Nb3-xAlx非晶条带，通过4种不同的退火方式得到其纳米晶样品，采用阻抗分析仪测量各样品的复数磁导率，并分析了退火方式对初始磁导率的影响。研究发现，经退火后，样品（除x=3．0）的磁导率有明显改善，明显高于经同样退火处理的Finemet配方的样品；对于不同退火方式，性能最好的样品Al含量不尽相同；对于不同Al含量的样品，有各自不同的最佳退火方式；对于x=3．0、完全不含Nb的样品，经随炉升温或降温退火后，仍然有较高的磁导率。研究结果表明，在Finemet配方中，用适量Al替代Nb，经适当退火后，样品的磁导率得到明显改善，从而提供了一条研制低成本高磁导率纳米晶合金的可能的途径。

Pt的含量对[Fe／Pt]n多层膜磁性能的影响744-746

摘要：采用射频磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了不同膜层结构的[Fe／Pt]n多层膜，经不同温度真空热处理后，得到L10有序结构的FePt薄膜。实验结果表明，[Fe／Pt]n多层膜结构可以有效降低FePt薄膜的有序化温度，350℃退火30min后其平行膜面矫顽力可达1．6×10^5A／m；多层膜结构中，Pt层厚度与Fe层厚度相同时，矫顽力最大，当Fe、Pt层厚度比偏离1：1时，在Fe／Pt接触处易产生Fe3Pt和FePt3软磁相；Pt层和Fe层厚度相等且总厚度相同的情况下，Fe、Pt单层厚度越薄，有序化温度越低，且对应的矫顽力大。

Mn掺杂LiFePO4的结构及电化学性能研究747-750

摘要：利用高温固相反应法在惰性气氛下合成了掺Mn的LiFePO4正极材料。考察了Mn^2＋的掺杂浓度对于目标化合物结构及其电化学性能的影响。应用XRD、循环伏安和恒流充放电等方法对产物进行了结构表征和性能测试。结果表明，产物具有单一的橄榄石型结构，Mn^2＋掺杂并未影响目标产物的结构，而是与LiFePO4形成了LiFe1-yMnyPO4（y为Mn的掺杂浓度）固溶体。目标产物具有优良的电化学性能。充放电测试表明，在0．1C倍率下放电，LiFe0．5Mn0．5PO4材料的首次放电比容量达129．1mAh／g，在4．1及3．5V处各存在一个放电平台。充放电循环20次循环后，容量仍保持在120．9mAh／g。利用循环伏安测试分析了Mn的改性效果及锂离子在目标化合物中脱嵌的过程。

常压干燥法制备的炭气凝胶的电化学性能研究751-753

摘要：采用常压干燥法制备了炭气凝胶，对所制得的炭气凝胶进行了电化学性能的测试，并与日本进口的超级电容器用超级活性炭进行比较。实验结果表明，炭气凝胶具有优良的电容性能，电双层比电容量和高扫描速度下（100mV／s）的质量比电容量分别达到21μF／cm^2和89F／g，高于日本进口超级电容器用超级活性炭。

Co^2＋取代对NiZn铁氧体材料截止频率fr的影响754-756

摘要：采用普通陶瓷工艺制备Ni0．25Cu0．4CoxZn0.35-xFe2O4（x=0．05、0．10、0．15、0．20）铁氧体材料。首先研究了Co^2＋离子取代对材料截止频率fr的影响，结果表明随着Co^2＋离子含量的增多，材料的截止频率不断升高。然后在主配方Ni0．25Cu0．4Co0．15Zn0．2Fe2O4中掺入不同含量的PbO，并在不同温度烧结下，考察了PbO含量和烧结温度对材料截止频率的影响，结果发现，加入PbO使得材料的烧结温度降低，从而改变材料内部的微观结构，使得材料的晶粒更加细化、均匀且气孔率较低，最终制备出可应用于射频领域的细晶粒宽频带NiZn铁氧体材料，得到一种相对起始磁导率μi为7时截止频率fr为700MHz的低磁导率高截止频率材料。

CuO掺杂对10NiO-NiFe2O4复合陶瓷导电性能的影响757-760

摘要：利用冷压-烧结技术制备了CuO掺杂的10NiO-NiFe2O4复合陶瓷，研究了CuO掺杂量对10NiO-NiFe2O4复合陶瓷物相组成、显微结构、致密度及导电率的影响。结果表明：当CuO掺杂量为0～12．5％（质量分数）时，烧结样品中主要含有NiO、Cu和NiFe2O4、CuO在氮气气氛下分解为金属Cu，在烧结温度下为液相促进了致密化烧结；1473K烧结时，8．75％CuO掺杂样品的相对密度最大，达到94．43％，比未掺杂样品的相对密度提高了18．16％；当CuO掺杂量为4％时，在1233K温度下样品达到最大导电率5．169S／cm，是未掺杂样品的导电率1．026S／cm的5倍。

RF溅射钕掺杂ZnO薄膜工艺与结构研究761-763

摘要：通过射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了未掺杂和Nd掺杂ZnO薄膜，研究了衬底温度、氧分压以及Nd不同掺杂浓度等工艺参数对薄膜的影响。薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测，表明制备的薄膜为ZnO：Nd纳米多晶薄膜，其表面形貌粗糙，不同沉积条件对薄膜生长有很大的影响。在纯氩气氛中、衬底温度为300℃的条件下，ZnO：Nd薄膜具有c轴择优取向。

钢筋钝化膜在含缓蚀剂的模拟混凝土孔隙液中的电化学特性764-766

摘要：应用线性极化法、Mott-Schottky曲线研究了钢筋钝化膜在含有亚硝酸钠和D-葡萄糖酸钠复合缓蚀剂的模拟混凝土孔隙液中的电化学特性。结果表明，复合缓蚀剂的加入，使钢筋在含有氯离子的模拟混凝土孔隙液中耐蚀性提高；在外加亚硝酸钠的模拟混凝土孔隙液中，钢筋钝化膜在一定的电位区间内呈现n型半导体特性并具有单一施主浓度，而D-葡萄糖酸钠加入则增大了施主浓度。此外，钢筋钝化膜的耐蚀性和半导体性质受溶液中氯离子浓度的影响较大，加入一定浓度的氯离子可使钝化膜的施主浓度增大，耐蚀性降低。