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功能材料 2008年第04期杂志 文档列表

功能材料杂志研究与开发

硼酸对Sr2Al6O11：Eu^2＋微波合成及荧光性质的影响529-532

摘要：在微波场作用下合成了Sr2Al6O11：Eu^2＋x％（质量分数）（H3BO3）（x=0、1．5、3、5、7、9）系列蓝色光致发光材料。X射线粉末衍射（XRD）结果表明，未加硼酸作助熔剂时，产品的主相为SrAl2O4硼酸在x=1．5～9之间产品的主相都为Sr2Al6O11。扫描电镜（SEM）观测结果：适量硼酸的加入有助于晶体的形成，硼酸的量为0时，产物为颗粒，硼酸量为x=1．5时，开始出现棒状晶体，当硼酸量为x=5时，产物主要为棒状晶体，当硼酸量x〉7时，产品明显团聚。荧光光谱显示：随硼酸量的增加，产品发光强度先增强后减弱，硼酸加入量为x=7，发光强度最高。Eu^2＋在Sr2Al6O11中存在两个发光中心，发射峰分别位于456．7nm（Eu^2＋1）和483．4nm（Eu^2＋2）。当硼酸量〉7％（质量分数）时，发射峰红移，归因于硼酸对两种位置Eu^2＋的发光性能有不同的影响。

Er^3＋离子掺杂透明的LaF3-SiO2纳米玻璃-陶瓷的上转换发光533-535

摘要：采用溶胶-凝胶法成功制备了一系列Er^3＋掺杂的透明纳米LaF3^-SiO2玻璃-陶瓷样品，并研究了其上转换发光性质与发光机制。研究得到了Er^3＋浓度对上转换发光的影响规律，拟合了上转换荧光强度与LD工作电流的关系，发现所得结果与理论值能够很好地一致。在980nm激光二极管激发下，获得了发射波长为520、540、660nm的有效上转换发光。在较低的功率泵浦下，540nm波长的绿光波段发射最强，其发光主要过程是处于^4F7／2态的Er^3＋离子能量大部分被弛豫到^4S3／2态，再由此激发态跃迁到基态^4I15／2态所致。

4H-吡咯并[1，2-a]苯并咪唑羧酸酯类化合物的合成及其荧光性能的研究536-539

摘要：合成了一系列含不同取代基的4H-吡咯并[1，2-a]苯并咪唑羧酸酯类化合物，比较在不同有机溶剂中其紫外、荧光光谱变化情况，借以探索其微观结构与光学性能的某些关系。

磁场（0．8T）环境中聚苯胺宏观掺杂动力学行为探讨540-543

摘要：在恒定磁场（0．8T）环境下，采用乳液法合成复合磺酸掺杂聚苯胺（PAn），探讨了PAn的掺杂机理，并对聚合过程中PAn．的宏观掺杂动力学行为进行了研究。研究结果表明：外加磁场能明显提高苯胺聚合的反应速率，其取向作用能使PAn分子链更加伸展，有利于掺杂以及分子链的增长，具有更快的掺杂速率、更高的掺杂程度、特性粘度和溶解率，且掺杂主要发生在反应初始阶段。粒径分析结果表明磁场环境下合成的PAn粒子其粒径更小，分布更窄。

溅射方法对FePt：Ag颗粒膜磁性能及微观结构的影响544-546

摘要：分别采用共溅射和多层膜溅射方法制备了FePt；Ag颗粒膜。样品的磁性能和微观特性分别用振动样品磁强计（VSM）、磁力显微镜（MFM）和透射电镜（TEM）进行了表征。研究结果表明：多层膜溅射制备的FePt：Ag颗粒膜能在较低的退火温度下发生有序化相变；而共溅射制备的FePt：Ag颗粒膜经过相同的退火条件后，具有更高的矫顽力，及更细、分布更均匀的晶粒和磁畴结构。

一步法制备针状Fe3O4547-549

摘要：在磁场诱导下一步制备针状Fe3O4，考察了影响产品成分的主要因素，得到了最佳工艺条件。探讨了磁场对Fe3O4生长过程的影响，结果表明，磁场对粒子形貌影响显著，随着磁场强度增大，粒子由球形转变为针形，且产品中针形粒子比率增加；在0．35T磁场下，Fe3O4形貌变化过程为：絮状→六方片状→米粒状→针状。

溶胶凝胶法合成镍铜锌铁氧体纳米晶磁性研究550-552

摘要：用溶胶-凝胶制备了系列Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4铁氧体微粉。借助于TGDTA、XRD、SEM、VSM技术，对干凝胶的热分解过程、产物的物相、微观结构和磁性能进行研究。结果表明，Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4铁氧体微粉经800℃烧结后可以转变成尖晶石相。磁滞回线表明，Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4在低温和室温都出现了交换偏置场，这可以用纳米晶的表面的掺杂和结构缺陷导致表面原子的磁结构自旋无序来解释。

微波辅助polyol法制备纳米金属镍及磁性研究553-556

摘要：采用微波辅助polyol法成功地制备了直径范围在5～10nm、100～180nm的单分散Ni球，对其磁性进行了测量分析。用XRD和EDAX，接着用TEM和MFM分别对制备的样品进行测试，并用VSM和SQUID进一步讨论了铁磁／反铁磁的界面耦合效应。XRD显示该样品是面心立方结构，EDAX数据表明制备过程中镍球被轻微氧化，MFM和TEM观察结果显示样品金属镍是比较理想的球型，VSM测试结果表明Ni纳米球具有典型的铁磁性。

磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒557-558

摘要：使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂，通过氨化溅射在Si（111）衬底上的Ga2O3／Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜，X射线衍射，透射电子显微镜，高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态，结构和成分。研究结果表明，合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。最后讨论了GaN纳米棒的生长机理。

离子液体在中孔炭中的电化学性能研究559-562

摘要：对以离子液体（1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐）做电解液，热固性酚醛树脂为前驱体添加纳米硅颗粒制备的中孔炭做电极构成的电化学双电层电容器的电化学行为进行了探讨。循环伏安和恒流充放电测试结果表明，离子液体在中孔炭中表现为优秀的电化学行为，大电流充放电时具有良好的电容特性，其比电容在1mA／cm^2时为120F／g，充放电效率达92％，表明中孔炭非常适合离子液体电解液。

歧化氢压对Nd12．5Fe80．4-xCoxGa0.5Zr0.1B6．5各向异性HDDR磁粉性能的影响563-566

摘要：主要研究了d—HDDR工艺及添加合金元素Co对Nd12．5Fe80.4--xCoxGa0.5Zr0.1B6．5（x=0、4、8、12、15）合金磁性能的影响规律。结果表明，氢压是HD—DR磁粉吸氢歧化产生磁各向异性的重要敏感因素，0．025MPa的歧化氢压对提高磁粉的各向异性具有最好的效果，磁能积达到：Br=1．252T，jHc=768．7kA／m，（BH）max=253．4kJ／m^3，DOA=0．58。（合金元素Co的添加有益于HDDR磁粉磁性能改善，在0～15％（原子分数），随着Co含量增加d—HDDR磁粉的磁能积逐渐增大。

Nd13Fe80．1-xTixB6．5Zr0.1Cu0.3永磁合金磁性能研究567-569

摘要：HDDR（氢化-歧化-脱氢-再结合）工艺是制备各向异性Nd2Fe14B基磁粉的有效方法。主要研究了改进的d-HDDR工艺及添加合金元素Ti对Nd13F080.1-xTixB6．5Zr0．1Cu0．3（x=0、1．0、2．0）合金磁性能的影响规律。结果表明，d—HDDR工艺中吸氢氢压和歧化时间是促使材料产生磁各向异性的关键；合金元素Ti使NdFeB合金矫顽力显著提高，其作用主要体现在两方面：一方面是在晶界间形成低熔物，抑制晶粒长大、细化晶粒，改善富Nd相的组织结构，使富Nd相沿边界更加均匀地分布；另外，Ti元素使Nd2Fe14B晶界平直而清晰，主相晶粒表面各向异性提高，反磁化畴难以形核，从而使矫顽力提高，其最佳添加量为1．0％（原子分数）。成分为Nd13Fe79.1Ti1．0B6．5Zr0.1Cu0．3的20合金经d-HDDR工艺处理，其最佳磁性能为：Br=1．39T；Hc=1006kA／m；（BH）max=169．66kJ／m^3；DOA=0．797。

乳状液膜法处理含铬废水的研究570-573

摘要：采用以磷酸三丁酯（TBP）为载体、T152为表面活性剂、磺化煤油为膜溶剂、液体石蜡为膜增强剂、NaOH为内相试剂的乳状液膜体系提取分离废水中的铬（Ⅵ）。在探明料液PH值、内水相NaOH浓度、T152浓度、载体用量以及乳水比和油内比对提取效率影响的基础上，确立了最适分离条件。结果表明，含铬（Ⅵ）废水经处理后，去除率达99％以上，铬（Ⅵ）残留量〈0．5mg／L，能达到排放标准。

新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用574-577

摘要：通过一种简便可行的合成工艺，成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体：无水硝酸钛、硝酸锆和硝酸铪。以这些无水金属硝酸盐为前体，采用化学气相沉积（CVD）工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数（high—k）氧化物薄膜：TiO2、ZrO2和HfO2薄膜。这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积，无需引入氧化气体，且沉积温度较低，可避免低介电常数界面层生成，在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势。

模板渗透法制备氧化锌纳米管阵列578-579

摘要：采用溶胶-凝胶法，以醋酸锌和氢氧化锂为主要原料制备了纳米氧化锌溶胶；再以其为构造单元在阳极氧化铝模板（AAO）中通过减压渗透法制备了氧化锌纳米管阵列。同时利用透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和能谱（EDS）对所得的氧化锌纳米颗粒、纳米管进行了分析。结果表明，所得的氧化锌纳米颗粒，粒径为2～5nm，分布较窄，属于纤锌矿型六方晶系；所得氧化锌纳米管，阵列结构规整，外径约为300nm，壁厚约为50nm，长度可以达到5μm以上。

甲基化对多孔SiO2增透薄膜光学稳定性能的影响580-583

摘要：分别通过引入甲基三乙氧基硅烷（MTES）、二甲基二乙氧基硅烷（DMDES）以及六甲基二硅氮烷（HMCS）组分对SiO2悬胶体进行改性，得到不同甲基化的多孔SiO2改性薄膜。研究了改性薄膜的光学稳定性，抗激光破坏性能以及机械抗擦性能。结果表明，HMDS改性薄膜的光学稳定性最好而机械抗擦性较弱，MTES与DMDES改性薄膜的光学稳定性较低而机械抗擦性良好且均与改性组分的含量有关，甲基化改性薄膜的抗激光破坏性能比未改性薄膜的有所降低。

SiCp／Al复合材料抗弯性能研究584-585

摘要：利用空气气氛下的无压渗透法制备了高体积分数的SiCp／Al复合材料，研究了颗粒粒径、基体舍金成分、预处理工艺对复合材料抗弯性能的影响，并采用SEM观测了复舍材料抗弯断口形貌。结果表明，SiCp／Al复合材料的抗弯强度随着SiC颗粒粒径减小而增大；基体材料的强度越高，复合材料的抗弯强度越高；复合材料整体上表现出脆性断裂的特征。

图案化厚膜多孔硅制备与表征586-589

摘要：图案化多孔硅是微电子、微机械、光电子器件的重要组成部分。实验以含Si3N4保护层的光刻单晶硅片为基底，采用电化学阳极氧化法制备图案化厚膜多孔硅，分析阳极氧化前后Si3N4保护层表面形貌变化特征和光刻尺寸对图案化多孔硅宽度、膜层厚度的影响规律，表征图案化多孔硅的结构、组成与发光性能。结果表明，氧化前Si3N4保护层局部区域出现枝晶，阳极氧化后形成不均匀孔状结构；制备的图案化多孔硅膜厚62～83μm，其横向扩展程度和膜层厚度均随光刻尺寸增大呈减小趋势；图案化多孔硅微结构含大量不规则裂纹和硅柱，新鲜制备的表面含Si—Hx键，其光致发光峰值波长650nm。