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功能材料 2007年第A02期杂志 文档列表

功能材料杂志特邀报告

Sip/Al复合材料导电性能研究及理论计算437-440

摘要：摘要：采用挤压铸造专利技术制备了电子封装用Sip/LG5、Sip/LD11、Sip/Al-Si2O,3种可回收再利用的、高体积分数环保型复合材料，探讨了Sip/Al复合材料导电性能的影响因素，并采用理论模型对复合材料电导率进行了理论计算。结果表明，Sip/Al复合材料导电率可达4．42MS/m；Si-A1界面平直、干净、没有反应物产生；基体合金相同时，复合材料的电导率随着增强体颗粒含量增加而下降；颗粒含量相同时，电导率随着基体中合金元素量增加而下降；颗粒大小对电导率影响不明显；复合材料经过退火处理后电导率有所升高。与复合材料电导率的实测值相比较，P.G模型的计算结果和测量值比较接近。

新型微波介质陶瓷材料与元件的研制441-444

摘要：报告本课题组承担的863计划项目“新型微波介质陶瓷材料与元件的研制”，在实验工作中不仅采用传统的固相反应法而且利用共沉淀和水热合成等溶液反应技术，还采用凝胶浇注成型复杂形状的微波陶瓷元件，并利用流延成型技术制备大尺寸微波集成陶瓷基板等；研制成功具有高电容率和品质因子并接近于零的谐振频率温度系数的系列化微波介质陶瓷；开发成功多种微波介质元器件，包括：介质谐振器、介质滤波器、GPS片式天线、微波电容器、通信电缆滤波接头和微波集成基板等。

CBS玻璃/堇青石陶瓷复合材料制备与性能445-448

摘要：采用电子陶瓷工艺制备了一系列钙硼硅玻璃／堇青石陶瓷复合材料，堇青石含量分别为50％，60％，70％和80％（质量分数）。对复合材料进行了X射线衍射分析、扫描电镜（SEM）观察和性能测试。结果表明：复合材料的介电常数和热膨胀系数随陶瓷含量的增加而减小，显微硬度随陶瓷含量的增加而增加。堇青石的加入抑制了钙硼硅玻璃中石英的析出，并生成了新相钙长石，其数量随堇青石和烧结温度的增加而增加，但它没有恶化复合材料的物理性能。所制得的复合材料具有高的相对密度（≥96％）、低的介电常数（～6）、低的介电损耗（0.3％～0．5％）、低的热膨胀系数（4．2×10^-6℃^-1～5．2×10^-6℃^-1）和低的烧结温度（≤950℃），有望用作介电材料和基板材料。

片式聚吡咯铝电解电容器的研究进展449-452

摘要：综述聚吡咯固体片式铝电解电容器的研究进展，介绍聚吡咯固体片式铝电解电容器性能的影响因素以及改进措施，展望今后聚吡咯固体片式铝电解电容器的发展前景。

烧结条件对La、Mn掺杂BaTiO3基PTCR材料性能的影响453-455

摘要：采用低温固态反应合成了La、Mn掺杂纳米钛酸钡基固溶体粉体，研究了各种烧结条件对其PTC材料性能的影响。实验表明，随着烧结温度的升高，材料的室温电阻先减后增，而升阻比基本呈先增后减的变化规律。随着保温时间的增长，材料的室温电阻也呈现先减后增的规律，且电阻温度系数逐渐增大。当烧结温度为1330℃，保温时间为30min时，制得了室温电阻率为72．97Ω·cm，升阻比和电阻温度系数分别为5．55×10^4和18.41％/℃的性质优良的PTC陶瓷材料。同时，对于各种变化规律给予了一定的理论解释。

B位Cr替代对BiFeO3介电特性的影响456-458

摘要：采用传统的固相反应法制备了BiFe1-xCrO3（x=0，0．01，0．1,0．3，0．5）系列陶瓷样品，运用X射线衍射仪对样品进行结构分析发现，随着Cr含量的增加BiFeO3的微观结构发生了改变；利用HP3458A型万用表在室温下测量样品的电阻率随Cr含量的变化关系发现适当的Cr替代可以在一定程度上提高样品的电阻率；室温下利用HP4294A型阻抗分析仪在100Hz～100kHz的频率范围内测试样品的介电性能随频率的变化关系，结果表明介电常数岛随着Cr替代量的增加先增大然后又减小，而tanδ则随着Cr替代量的增加出现了较为复杂的变化．

不同氟化改性方法对孔洞聚丙烯膜电荷存储特性的影响459-461

摘要：研究了氢氟酸（HF）、氟气（F2）和二氟化氙（XeF2）对孔洞聚丙烯（PP）膜的氟化改性及氟化改性对其驻极性能的影响。红外光谱分析结果表明：3种方法均能有效地实现PP膜的氟化；热刺激放电（TSD）电流和原位实时电荷等温衰减的测量结果进一步表明：氟化孔洞PP驻极体膜的电荷热稳定性较原膜得到显著的改善。另外，PP膜的预氧化不仅为随后的HF氟化所必需，对F2和XeF2的氟化也具有显著的促进作用，XeF2与PP膜的反应起始温度约为60℃。

功能材料杂志学术论文

氧化锌纳米阵列场发射性能研究462-464

摘要：采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数，在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列。在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能，发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的．采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性，使电流波动明显降低．此外，形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响，而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同．

电泳法制备纳米金刚石场发射阴极465-467

摘要：用电泳法制备了纳米金刚石场发射阴极，研究了不同热处理环境对场发射性能的影响．在气氛炉中热处理的样品其阈值场强为8．0V/μm，场发射电流密度在17．7V/μm场强下可达到1361aA/cm^2；而在真空环境中热处理样品的场发射特性与之相比有明显提高，其阈值场强为3．83V/Hm，场发射电流密度在9．44V/μm场强下可达到2801aA/cm^2。用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对样品表面的结构、成份及形貌进行分析，表明真空环境下的热处理，更有利于样品的电子发射．

一种基于CVD法的纳米碳管微观分析及场致发射特性的研究468-470

摘要：将化学气相沉积法（CVD）制备的纳米碳管提纯后，用透射电镜（TEM）观测了它的微观结构，通过实验对纳米碳管在不同温度下生长的结构特性进行了分析比较，得出了纳米碳管生长的最佳温度为750℃；并对纳米碳管粉体的拉曼（Raman）光谱进行了分析，得到了与透射电镜观测相一致的结论；最后测试了纳米碳管的场致发射特性．

Ag包套法制备YBaCuO带材及其后处理研究471-473

摘要：采用粉末装管法（PIT）制备了YBaCuO/Ag包套复合带材。通过低氧分压熔融织构工艺降低YBaCuO/Ag带材的热处理温度至940℃，低于Ag的熔点961℃。YBaCuO/Ag带材中氧化物芯在（001）方向稍有取向。在相同的热处理条件下，相对于溶胶凝胶法（sol-gel）YBaCuO粉末和固相反应法制备的150目YBaCuO粉末，固相反应法制备的250目（＜40μm）YBaCuO粉末填充的带材样品临界点流密度厶值较大。超导带越薄，样品的临界电流密度越大，250目粉末装管的YBaCuO/Ag带材吸氧100h后Jc值达2392．3A/cm^2。

YBCO厚膜的制备及其性能研究474-476

摘要：YBCO涂层超导由于其自身的本征特征和潜在的应用前景，一直以来都是人们的研究热点。为了实现其实用化，提高YBCO涂层超导的导电能力十分关键．采用成本低廉的TFA-MOD方法，通过多次涂覆在LaAlO3基底上制备了厚度达到1μm的YBCO厚膜，并研究了厚度对YBCO膜的微观结构、取向、表面形貌以及超导性能的影响。通过比较发现，多层薄膜的，Ic均高于单层薄膜，其中两层薄膜的，c最高，达到了114A/cm带宽，是单层薄膜，C的2．7倍。

低温热处理条件对TFA-MOD方法制备的YBCO薄膜的影响研究477-479

摘要：目前，三氟乙酸．金属有机沉积（简称TFA-MOD）方法是制备YBaECU307-6（简称YBCO）涂层导体最有应用前景的方法之一。系统地研究了TFA-MOD过程中低温热处理条件（升温速率和气氛）对在LaAlO3单晶基片上生长的YBCO薄膜的影响。研究结果表明，低温热处理的气氛为纯02时，200～250℃区间的分解速度不能太快，否则YBCO薄膜就不均匀和致密，薄膜中会出现较多的孔洞，薄膜的面外取向性也较差，从而影响薄膜的超导性能，然而过慢的分解速度也会使薄膜表面有较大的CuO析出物。分解速度为0．08℃／min时才可以得到结构和超导性能良好的YBCO薄膜。同时研究也发现在低温热处理过程中如果采用Ar和2．5％O2混合气氛则可以减弱三氟乙酸盐分解的剧烈程度，从而使低温热处理的分解速度提高到0．8℃／min，得到的YBCO薄膜同样具有较好的面外取向性和超导性能。

LaB6热阴极陶瓷材料的研究进展480-483

摘要：简要介绍了目前LaB6材料的研究现状及其用途，综述了国内外LaB6陶瓷粉末、多晶体、单晶体的制备工艺，并展望了LaB6材料的发展前景。

TiC和SiC掺杂MgB2超导体的对比研究484-487

摘要：分别制备了8％（质量分数）的TiC和5％（质量分数）的SiC掺杂的MgB2超导块材，并对比分析了这两种掺杂物对MgB2超导块材的性能影响。所有样品均在流动的Ar气保护下在不同退火温度下退火，研究发现TiC掺杂和SiC掺杂的MgB2样品的最优化工艺参数分别是900℃保温1h和720℃保温1h。随后采用XRD和SEM分别对样品进行了相成份和微观结构的分析，并采用PPMS测试了样品的磁滞回线并由Bean模型计算出了样品的临界电流密度。在4．2K，0T下TiC掺杂的五值为1．0×10^5A／cm^2，而10K，0T下SiC掺杂样品的五值为4×100A／cm^2。而且随着外加磁场的增加，SiC掺杂MgB2样品的五值下降得比TiC掺杂的MgB2样品要缓慢很多，这表明了SiC掺杂比TiC掺杂更有利于改善MgB2在高场下的超导电性能。

用非单质硼源直接合成MgB2超导粉末488-490

摘要：用非单质硼源直接合成了MgB2超导粉末，X射线衍射分析表明，除了MgB2主相外，还形成了副产物Mg28205，低温段保温的工艺控制是该制备方法中形成MgB2的关键，非单质硼源直接合成法是研制MgB2新型超导体的一种很有前途的技术．

316L不锈钢、铜、锡复合框架材料研究491-493

摘要：设计并采用电刷镀复合工艺制造了一种316L不锈钢、铜、锡复合框架功能材料，此功能材料具有良好的弹性、导电、导热性能和优异的钎焊性能，且无磁性，可满足某大型机组控制系统的要求，同时对此材料的组织性能等进行了研究。

微量Zr对Cu-Ag合金力学性能的影响494-496

摘要：采用真空熔炼的方法制备了一种新型的高强高导兼顾的铜合金材料Cu-Ag-Zr合金。利用显微硬度测试、金相和透射电镜分析等方法，研究了微量zr对Cu．Ag合金力学性能的影响．结果表明，微量Zr的加入，能显著提高Cu-Ag合金的显微硬度和再结晶温度，使Cu-Ag合金的再结晶软化温度提高200℃以上，Cu-Ag-Zr合金经550℃退火2h后，其显微硬度仍保持为128Hv，能够满足高强高导铜合金高温性能的要求；微量Zr对Cu-Ag合金的强化主要通过使该合金中形成细小、弥散分布的析出相来实现的。