发表咨询:400-808-1731
订阅咨询:400-808-1751
北大期刊
影响因子 0.91
人气 16987
北大期刊
影响因子 0.62
人气 10768
统计源期刊
影响因子 0.56
人气 10238
北大期刊
影响因子 0.63
人气 9335
北大期刊
影响因子 0.43
人气 8222
北大期刊
影响因子 0.6
人气 6076
北大期刊
影响因子 0.77
人气 5798
部级期刊
影响因子 0.47
人气 5263
北大期刊
影响因子 0.35
人气 4402
CSCD期刊
影响因子 1.13
人气 4314
摘要:简述了透明导电薄膜材料,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合透明导电多层膜的发展现况和趋势:同时从选材、膜层设计、制备方法到工艺制定,研究透明导电膜光电性能诸多影响因素和规律,探讨D/M/D多层膜的微观结构与其光电性能的内在联系,以及多层膜的热稳定性和界面反应等问题,并采用电介质TiO2与金属Ag交替生成TiO2/Ag/TiO2三明治结构制备了几种具有优异光电性能的透明导电膜。经优化设计的纳米多层膜具有奇特的光电性能可调性,根据需要,用于平面显示器透明电极,太阳能电池板等的在可见光区具有高的透过率(T550≥90%)和在红外光区高的反射率(R2500≥90%),其方块电阻仅为5Ω/sq;而用于紫外固化的则在紫外固化的主峰365nm处具有高的透射率(T365≥80%),而在1600nm的红外波段反射率也超过了90%。
摘要:为了避免电化学反应对电子纸显示电极和显示材料的损坏,用PVA(聚乙烯醇)、PET(聚酯)和PI(聚酰胺)等惰性高分子材料对ITO(氧化铟锡)薄膜电极进行了修饰,并通过原子力显微镜、电化学工作站以及红外、紫外可见光光谱分析等手段对修饰效果进行了研究。通过红外光谱和电化学工作站,研究了金属络合染料在电极上发生的电化学反应,通过紫外可见吸收光谱,研究了染料和颜料在电极保护层上的吸附与染色。试验结果表明,PI在ITO薄膜玻璃电极上粘接牢固,涂层致密,绝缘效果良好,能够有效地避免显示材料在电极上的电化学反应。
摘要:采用分子束外延的方法,生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内,测量了器件的I-V曲线。
摘要:以ODA与F-127为模板剂,采用溶胶-凝胶法制备了具有介孔结构的ZnO前驱体,将其600℃煅烧后在富氧条件下退火10h制得ZnO纳米晶。对产物进行TEM、SEM、XRD等分析,所得ZnO前驱体平均粒径为10nm,ZnO纳米晶平均粒径为60nm,并具有六方纤锌矿结构,电致发光测试结果表明:经富氧条件退火后的样品分别以波长为740与590nm的红-橙光辐射为主,并且研究了退火气氛(缺氧与富氧)、煅烧温度、退火时间及激发电压等因素对其发光性能的影响。
摘要:薄膜电致发光(TFEL)技术将戍为平板显示技术的潮流和主体。简要介绍了平板显示技术的发展,同时对无机薄膜电致发光器件中绝缘层材料的选择进行了探讨。
摘要:介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN:RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评,综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。
摘要:以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(P-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响,在制备高质量的P-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
摘要:通过无模板法并以功能掺杂酸樟脑磺酸作为掺杂剂,分别在过硫酸铵和三氯化铁为氧化剂的情况下,制得了直径为50-150nm的纳米球形的聚二氧乙撑噻吩(PEDOT)和直径为80-150nm的纳米棒状的PEDOT。由于三氯化铁的氧化还原势能远低于过硫酸铵使得氧化的速率降低,使PEDOT的生长能够更好的依照由单体和掺杂剂组成的柱状胶束而进行所产生的。两种不同微观形貌的PEDOT表现出了明显不同的光电性能.
摘要:白光有机电致发光器件是获得全色器件的基础。制备了一种具有双掺杂发射层的白光OLED器件,其结构为ITO/CuPc/NPB/ADN:TBP以ALQ:DCJTB/ALQ,Mg:Ag,将2,5,8,11-tetra-tertbutylperylen-e(TBPe)掺杂到蓝光主体材料ADN中作为蓝色发光层,4-(dicyanome-thylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7tetramethyljul-olidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)掺杂到AIQ中作为红色发光层,通过实验结果对比,研究了TBPe以及DCJTB的掺杂浓度对器件性能的影响,确定了当TBPe浓度为3%(质量分数),DCJTB浓度为1.8%(质量分数),时,获得的白光器件性能最优。
摘要:通过McCullough法制备出区域规整的HT3-十二烷基噻吩均聚物(HTP3DDT)及3-十二烷基噻吩-恶二唑嵌段共聚物(HT P3DDT-OXD)。利用NMR、GPC等方法对其结构进行了分析表征,均聚物和共聚物的紫外吸收和荧光发射最大波长分别为:387、326、435和463nm,分别发射出明亮的青光和青绿光。同时采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定,发现3-十二烷基噻吩-恶二唑嵌段共聚物在正、负区域分别出现了氧化还原峰对,且负区域的一对氧化还原峰出现在较负的方向,具有较高的电子亲和势(-3.17eV),有利于电子从阴极的注入。结果表明:区域规整的3-十二烷基噻吩-恶二唑二元嵌段共聚物实现了集空穴、电子双向传输为一体的高性能的聚合物光电功能材料的性能要求。
摘要:通过收敛法合成了2种不同树枝状8-羟基喹啉配体,产物通过核磁共振(NMR)和红外(IR)进行表征;并通过荧光光谱对树枝状8-羟基喹啉配体及Zn(Ⅱ)金属配合物的性能进行研究,结果表明这些配体和Zn(Ⅱ)配合物均能溶于常见的溶剂,树枝状修饰使荧光强度变大,树枝状结构的官能团影响荧光性质;树枝状8-羟基喹啉锌的荧光出现明显的红移,有望在有机电致发光材料领域中得到广泛应用。
摘要:LiF极性分子的引入,在阴极和有机层界面处导致了有机层LUMO能带的降低,使得电子注入更加容易。在有机层内部,LiF极性分子、Li^+共同作用,减弱了空间电荷的作用,弥补了能级缺陷,平滑了弱极性Alq3分子层能带畸变,提高了电子的传榆水平。因此,采用梯度掺杂LiF,可以降低驱动电压、提高电子注入效率,提高载流子平衡注入与传输水平,从而使器件整体特性得到明显改善。
摘要:采用改进的喷雾热解法合成了发光性能优异的(Y,Gd)BO3:Eu红色荧光粉,通过调节前驱体溶液的性质改善了荧光粉产物的形貌特征以提高其物理和光学性能。结果表明,在前驱体溶液中加入氨水能够影响喷雾热解过程中液滴中颗粒生成方式,以控制产物颗粒形貌,经后续热处理后获得了无团聚的致密球形荧光粉颗粒:由X射线衍射分析可知,在1100℃下后续热处理3h可以获得结晶良好的所需纯相物质。同时也考察了激活剂浓度对(Y,Gd)BO3:Eu荧光粉体发光强度的影响;在优化的掺杂浓度下,采用氨水改性的前驱体溶液经过喷雾热解,热处理后获得荧光粉产物具有优良的发光强度。
摘要:通过熔融法制得了一种新型掺Yb^3+的(60-X)P2O5-xB2O3-40ZnO(x=5,10,15,20,25,30%(摩尔分数))系统激光玻璃,并分析了B2O3含量对玻璃结构、物理性能和光谱性能的影响。结果表明,随B2O3含量增加,玻璃由链状变为类似石英玻璃的三维网络结构,力学和热学性能逐步得到改善,并在20%(摩尔分数)B2O3时具有最佳值,当B2O3含量超过20%(摩尔分数)后,玻璃中[BO3]三角体含量开始增多,结构变得松散,力学和热学性能变差,当B203含量达到30%(摩尔分数)时玻璃发生了分相现象。随B2O3含量增加,积分吸收截面在3.77-4.11×10^4pm^3之间,受激发射截面在0.726-0.816pm^2之间,荧光寿命在0.903-0.965ms之间,增益系数在0.662-0.737pm^2.ms之间,最小泵浦强度在1.128-1.398kW/cm^2之间变化。这类硼磷酸玻璃有望成为高平均功率固体激光器的候选基质。
摘要:采用模板生长法在Si衬底上制备了具有线形结构的ZnO。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、AFM、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的线形ZnO为六方纤锌矿型晶体结构,线宽度大约为1μm,长度约10-30μm,具有良好的发光特性。我们对这种线形结构的形成作了推测。
摘要:使用Zn(CH3COO)2·2H2O和PVA水溶液混合的办法在Si衬底上生长了微孔结构的ZnO薄膜。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的ZnO为六方纤锌矿型晶体结构,微孔的孔壁是由纳米颗粒聚集而成,颗粒尺寸大约为20nm,关于这种结构的形成,我们推测PVA在微孔结构的形成过程中起到了模板作用。
摘要:以硬脂酸锌和过氧化氢为原料,采用油相法一步合成出一种特殊的氧化锌花状纳米结构。利用透射电镜、高分辨电镜、X射线衍射等对其形貌和结构的分析表明:花状氧化锌纳米颗粒结构为六方晶相,大小约为30nm。吸收光谱和荧光光谱测量显示该纳米结构有显著的近带边紫光发射特性,对应的缺陷发光强度较弱,表明这一纳米结构有较好的光学特性,因此在生物荧光标记方面有着潜在的应用价值。
摘要:采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜,对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构,电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少,晶粒外形更规则,C轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向P型转变;当前驱体溶液中In的比例〉0.03后,可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。