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功能材料 2007年第10期杂志 文档列表

功能材料杂志研究与开发

ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究1569-1571

摘要：利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管（CNTs）薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺。用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm（电流密度为1μA/cm^2）,在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀。说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值。

TMEP作为缓冲层增加有机发光器件的效率的研究1572-1574

摘要：在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯（TMEP）新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm^2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.14cd/A。

基于磷光Cu（Ⅰ）配合物的可见盲区有机紫外探测器1575-1576

摘要：采用真空沉积法制备了结构为ITO/PE-DOT∶PSS（60nm）/m-MTDATA（20-60nm）/Cu（Ⅰ）-complex（20-60nm）/LiF（1nm）/Al（100nm）的有机光伏（OPV）器件,其中m-MTDATA作为电子给体,Cu（phen）（（DPEphos））BF4是一种作为电子受体磷光Cu（Ⅰ）配合物。该OPV器件在可见区几乎没有响应仅仅在长波紫外区有响应,这种可见盲区OPV器件在1.5mW/cm^2的365nm紫外光从ITO玻璃方向垂直照射下的开路电压Voc,短路电流Isc和填充因子FF分别为1.95V,107.9μA/cm^2和0.283,能量转化效率达到3.97%。还研究了不同紫外光照射强度对器件主要PV性能与照射强度的倚赖关系。

超细球形铜粉的制备1577-1579

摘要：研究了一种新颖的球形铜粉制备方法,即先用葡萄糖还原法制备球形超细Cu2O粉末,然后用氢气还原Cu2O粉末制备球形铜粉。用葡萄糖还原Cu（Ⅱ）可以制备球形的Cu2O粒子。在240℃下用氢气还原球形Cu2O粉末,得到了分散性良好的球形铜粉,铜粉具有良好的导电性和稳定性。铜粉粒径大小和粒径分布取决于前驱体Cu2O粒子的大小和粒径分布。还原后的粉末粒径略有收缩,平均粒径为1.18μm,振实密度为2.1g/ml。

退火对sol-gel法制备的Zn0.88Co0.12O薄膜结构和磁性的影响1580-1582

摘要：在玻璃衬底上用sol-gel方法制备了具有室温铁磁性的Zn0.88Co0.12O薄膜,X射线衍射（XRD）和紫外可见透射谱（UV-vis）证明Co^2＋替代Zn2＋掺入了ZnO的晶格中。随退火温度的升高,光致发光谱（PL）中紫外发光峰增强,缺陷相关的可见光辐射减弱。用振动样品磁强计（VSM）对其磁性进行了表征。分析表明,薄膜室温铁磁性源于替位的Co离子,而非形成了第二相,其磁性强弱与退火处理制度有关,取决于替位的Co^2＋和缺陷引起的载流子之间的耦合程度。

1,1-二（对-二乙氨基苯基）-4-（α-萘基）-4-苯基-1,3-丁二烯的合成及其光电性能研究1583-1586

摘要：以α-溴代萘和苯乙酮为主要原料合成了1-（α-萘基）-1-苯基-3-氯丙烯,该化合物与4,4’-双（二乙氨基）二苯甲酮经Grignard反应,脱水后得到目标产物1,1-二（对-二乙氨基苯基）-4-（α-萘基）-4-苯基-1,3-丁二烯（CT）,产品纯度98.86%,收率36.4%。通过质谱与核磁共振对产物的结构进行了表征,并对其进行X-射线单晶衍射分析,确定了分子构型。以Y-TiOPc为电荷产生材料,CT为空穴传输材料制备的功能分离型光导体光导性能参数为：V0=-850V,VR=-20V,Rd=17.5V,E1/2=0.60lx.s,表明CT具有优良的空穴传输特性。

振动系统中磁流变流体阻尼模型的研究1587-1589

摘要：研究了磁流体的阻尼力特性,提出了基于粘性阻尼和回滞阻尼组成的迟滞阻尼力模型,进行了磁流变阻尼器阻尼力的响应谱分析,并用Newmark数值积分方法分析了带有磁流变流体阻尼器梁结构的多自由度振动系统在不同磁场强度和激励频率作用下的位移响应。结果表明：迟滞阻尼力模型能够很好地描述磁流体阻尼器的力学性能,而且形式简单,概念明确,适合实际应用。

低能He^＋、Ar^＋、Xe^＋轰击SiC的蒙特卡诺模拟1590-1593

摘要：应用蒙特卡诺程序SRIM对He^＋、Ar^＋、Xe^＋轰击SiC的微观过程进行了模拟。对不同能量（100-500eV）以及不同角度（0-85°）下He^＋、Ar^＋、Xe^＋轰击SiC引起的溅射率、溅射原子分布、溅射原子能量以及入射离子在SiC中的分布情况进行了分析比较。结果表明对于原子量较小的He＋入射SiC所引起的溅射主要是由进入表面之下的背散射离子产生的碰撞级联造成的,溅射原子具有较高的能量;对于原子量较大的Ar^＋、Xe^＋入射所引起的溅射主要是由进入SiC内部的离子直接产生的碰撞级联产生,溅射原子的能量相对较低。随着离子入射角度的逐渐增加,SiC的溅射率逐渐增加,在70°左右达到溅射峰值,随着入射角度的继续增加,入射离子的背散射不能使碰撞级联充分扩大,反冲原子的生成效率急剧降低,导致溅射率开始急剧下降。

复合丝巨磁阻抗效应的研究1594-1596

摘要：利用化学渡方法制备了芯层为铁磁层和芯层为导电层的两种复合丝,比较研究了它们的巨磁阻抗特性,结果发现芯层为铁磁层的复合丝在60MHz时取得最大值107%,而芯层为BeCu的复合丝在300kHz时就获得最大值108%。这是因为BeCu/绝缘层/NiCoP在低频时有较大的磁电阻效应,同时,由于芯层电阻较小,R与X在较低频就可比拟。磁阻抗比不仅取决于磁电阻比、磁感抗比,还与R和X的相对比值有关。要想获得显著的磁阻抗效应,要求材料不仅具有良好的软磁特性,而且电流通过部分还具有电阻率小的特点。

同轴热敏电缆电容特性的研究1597-1598

摘要：同轴热敏电缆原是基于其具有的NTC热敏电阻特性研制而成的,对其结构、原理进行了介绍。实验中,发现同轴热敏电缆不仅具有良好NTC热敏电阻特性,同时还具有良好的PTC热敏电容特性,针对其具有的电容特性,做了火焰灼烧电容响应及恢复实验、重复性实验、振动和冲击实验。同轴热敏电缆电容特性的发现为其双参数控制提供了新途径。

SiCl4/H2辉光放电等离子体中电子特性的在线检测1599-1602

摘要：SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系统各参数：气体压强、射频功率及氢稀释度RH的变化规律。实验结果表明：随着气体压强的升高,电子浓度不断增大而电子平均能量不断减小;增大射频功率或减小氢稀释度RH,电子浓度和电子平均能量都相应增大。此外,并对实验结果进行了定性或半定量分析。本研究工作将有助于更好地理解SiCl4/H2放电机理,改善并优化沉积优质多晶硅薄膜的工艺参数。

高温快速退火对电子束物理气相沉积制备高硅硅钢片的影响1603-1604

摘要：对电子束物理气相沉积高硅硅钢片进行了高温快速退火处理。用SEM,EDS,XRD对制备态硅钢片和热处理态组织,成分,物相进行了表征,并测试了其电阻率和磁滞回线。结果表面：高温快速退火使高硅硅钢片硅成分变均匀,靠近基板侧的相由Fe3Si变成DO3;硅钢片中孔长大,电阻率从90μΩ.m增大到160μΩ·m,矫顽力减小,磁感应强度减小。

弱酸离子交换纤维的结构表征与性能研究1605-1609

摘要：采用预辐射接枝法,引发聚丙烯（PP）纤维接枝丙烯酸（AA）,制备出接枝率为235%-298%,平均交换容量为9.65mmol/g,物理机械性能良好的弱酸离子交换纤维（PP-g-AA）。利用分析仪器对PP-g-AA纤维的结构进行表征,并对其机械强度、热稳定性、交换容量、接枝率、化学稳定性等物理与化学性能进行了测试。结果表明,利用预辐射接枝法制备的PP-g-AA纤维具有较高的交换容量、快的吸附速度、较好的机械性能和稳定的化学性能,是一种性能优良的功能材料。

高体分SiCp/Mg复合材料真空气压浸渗工艺及其热膨胀性能1610-1613

摘要：采用真空气压浸渗法制备了高体分小尺寸SiCp/Mg复合材料,研究了真空压力对小尺寸SiCp多孔体浸渗的影响规律及SiCp/Mg复合材料的热膨胀性能。实验表明,在浸渗温度为983K,压力0.3MPa,保压5min的条件下,其中,能有效浸渗的振实堆积的单一尺寸SiCp多孔体的最小粒径达到了13μm;而32μm的SiCp/Mg复合材料的密度为2.625g/cm^3,SiC颗粒体积分数达到了58.2%。OM、XRD分析表明镁液渗透均匀,无明显的气孔、缩松和熔剂夹杂等铸造缺陷;Mg基体、α型SiC是复合材料的主要组成相,同时还含有少量的MgO、Mg2Si相。此外,32μmSiCp/Mg复合材料在30-200℃温度范围内的平均热膨胀系数为6.5×10^-6/K,表现出了优异的热膨胀性能。

新型聚丙烯酰胺/碳纤维/石墨导电水凝胶的制备1614-1617

摘要：以N,N’-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,过硫酸钾为引发剂,丙烯酰胺为单体,碳纤维与石墨为导电填料,采用水溶液聚合法制备了聚丙烯酰胺/碳纤维/石墨高吸水性复合材料,吸水后形成导电水凝胶。考察了交联剂用量、引发剂用量、单体浓度、反应温度、吸水倍率及导电填料用量对凝胶电导率的影响。实验结果表明,当交联剂用量为0.06%（质量分数）,引发剂用量为1.0%（质量分数）,单体浓度为50%（质量分数）,反应温度为80℃,导电填料为35%（质量分数）时,水凝胶的电导率最高可达4.32mS/cm。并采用FTIR及SEM对样品结构及形貌进行表征。

高导热率及低介电常数的AlN/PI纳米复合薄膜研究1618-1620

摘要：通过将纳米氮化铝加入到原位聚合而成的聚酰亚胺中以提高纳米复合薄膜的导热系数。采用KH550偶联剂对氮化铝粒子表面进行物化处理,以提高有机-无机两相界面的结合力。采用SEM、TGA等对材料的微观结构、热性能等进行了研究。结果显示无机粒子在纳米复合薄膜中分散均匀,并在保持较低的介电性能同时提高了复合材料的热稳定性和导热性能。这样的材料在电子封装材料和印刷线路板中具有很大的应用前景。

纳米钛酸钡陶瓷的晶体结构1621-1623

摘要：致密的平均尺寸约为30nm钛酸钡陶瓷由压力辅助烧结得到。在变温Raman光谱的基础上,用Rietveld精修方法成功地确定了纳米钛酸钡陶瓷的晶体结构。在室温下,在30nm钛酸钡陶瓷中观测到四方相和正交相的多相共存。这种现象可以用相变产生的内应力来解释。

利用微弧氧化法制备四方相BaTiO3薄膜的结构特征及铁电性能1624-1626

摘要：利用微弧氧化技术在钛衬底上直接制备了四方相钛酸钡铁电薄膜。利用X射线（XRD）、HP4192A阻抗分析仪和铁电测试系统（FTS）等手段对薄膜样品的相结构、介电和铁电性能进行了研究。结果表明,工艺参数为Ba（OH）2浓度为0.5mol/L,电流密度为150mA/cm^2,温度为57℃,反应时间5-20min的薄膜主要要由四方相BaTiO3构成。在微弧氧化过程中,弧点的连续移动是形成四方相BaTiO3的主要原因。此工艺参数下薄膜的剩余极化值为0.271和-4.62μC/cm^2（Pr）,与其对应的矫顽场强度分别为20和-2.8kV/cm（Ec）。该薄膜具有良好的铁电性能。