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功能材料 2007年第06期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

Tb—Ni—Fe超磁致伸缩材料的研究865-867

摘要：从超磁致伸缩材料的定义出发，介绍了超磁致伸缩材料的研究现状及应用，阐述了Tb—Ni—Fe超磁致伸缩材料的制备方法及简要分析了实验结果，并根据实验结果推导出成分对超磁致伸缩材料性能的影响，指出了Tb—Ni—Fe超磁致伸缩材料的研究方向。

功能材料杂志研究与开发

无催化热蒸发ZnS粉末制备半导体ZnO纳米带868-869

摘要：通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法首次制备了互相平行交叉的纤锌矿ZnO纳米带，X射线衍射分析和扫描电镜检测显示所制得的ZnO纳米带沿着它们的长度是平滑而单一的纤锌矿结构。合成的纳米带长度数十微米，宽度几百纳米。同时对纳米带的生长机制作了详细讨论。

HgInTe晶体的生长及其性能研究870-871

摘要：利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体，并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测，结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体，其在400～4000cm^-1范围内的红外透过性能较好，达到50％～55％，晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的。

掺杂浓度对Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响872-875

摘要：应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜，在固定的电源功率下，氩气流量为43ml／min，氧流量为10ml／min，室温下溅射时间为90min的条件下，通过控制薄膜中的Ce抖离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱（EDS）和光致发光测量，得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce^3＋浓度有强烈的依赖关系，并且分析了产生这种关系的原因；对发光激发谱分析表明，薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce^3＋。Al2O3：Ce^3＋发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。

SiCl4／H2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究876-878

摘要：对用SiCl4／H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明，多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度，在300～90K的温度范围内呈现不同的导电特性。对多晶硅薄膜，其导电特性还与晶化率有关，晶化率越大电导率越大。测量数据表明，低晶化率薄膜电输运主要由电子热发射跃过势垒所贡献，但对于高晶化率的薄膜要同时考虑电子隧穿对电导的影响。

含苯并噁唑环双偶氮光导颜料的制备及性能879-881

摘要：以2-（4＇-氨基苯基）-6-氨基苯并噁唑为重氮组分，以N-（2-氯苯基）-N’-（3-羟基-2-萘甲酰）脲为偶合组分合成双偶氮化舍物。通过紫外可见吸收光谱和红外吸收光谱对产物的结构进行了鉴定。并以合成的双偶氮化合物为电荷产生材料制成功能分离型有机光导体，测试结果表明，在15℃下用DMF处理有利于低结晶度光敏性产物的生成，在可见光区的吸收较强。制备的光导体具有较好的光导性能，V0=770V，VR=40V，E1／2=7．61x·s。

阵列纳米ZnO的一种新颖的制备方法及其光致发光特性研究882-884

摘要：将锌粉、炭粉和氧化锌粉末混合，用简单的热蒸发方法一步就合成了大量的尖锥状纳米ZnO阵列，该方法克服了其它制备方法需要先单独制备催化剂再合成ZnO的缺点而且得到产物不含杂质。用SEM、EDX、XRD和PL对样品进行了形貌、结构和发光特性分析。结果表明，生成的锥状阵列纳米ZnO为六方纤锌矿结构，产物中氧的含量不足，初步探讨了阵列纳米ZnO结构的生长机理和光致发光性质。

含杂芴与噁二唑分子的p-n结与分子双光子吸收性能关系的研究885-888

摘要：研究了若干个含杂芴与噁二唑分子的线性和非线性光谱性能。分别在飞秒钛宝石激光器泵浦下，通过开孔Z—scan技术和双光子荧光法研究了分子的双光子吸收性能；结合理论计算考察分子基态与激发态分子内电荷转移、分子p-n结对双光子吸收的影响。

射频磁控溅射制备硼碳氮薄膜889-890

摘要：采用射频磁控溅射技术，用六角氮化硼和石墨为溅射靶，以氩气（Ar）和氮气（N2）为工作气体，在Si（100）衬底上制备出硼碳氮薄膜。通过X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对样品结构、组分进行了分析。结果表明，样品的组成原子之间实现了原子级化舍，且薄膜为乱层石墨结构。样品中B、C、N的原子比近似为1：1：1。

半掺杂Pr0．5Ca0．5Mn1-xCrxO3体系的电荷有序和磁电阻效应891-894

摘要：研究了钙钛矿型半掺杂锰氧化物Pr0．5Ca0．5Mn1-xCrxO3（x=0、0．03、0．05、0．07、0．10）体系的输运性质、电荷有序和磁电阻效应。结果表明，Cr离子替代Mn位，增强了Pr0.5Ca0.5MnO3的铁磁性、金属电导和磁电阻值。在低掺杂情况下（x=0．03、0．05），Cr^3＋的掺杂使体系的铁磁性增强，当x〉0．05时（x=0．07、0．10），体系的铁磁性随x增大缓慢减弱。同时，随着掺杂量的增大，体系中的电荷有序相逐渐被抑制，磁电阻值也呈下降趋势，表明电荷有序相与磁电阻效应相关。Cr掺杂引起的各种磁耦合作用，包括Mn^3＋件与Cr^3＋的铁磁双交换作用，Cr^3＋-Cr^3＋、Mn^4＋-Mn^4＋、Cr^3＋-Mn^4＋之间的反铁磁超交换耦合作用及相分离现象是产生上述结果的主要原因。

各向异性粘结NdFeB磁体PTFE耐高温粘结剂的研究895-897

摘要：研究了聚四氟乙烯（PTFE）在高温条件下的物理及化学变化以及其作为各向异性粘结NdFeB的粘结荆时不同含量对磁体的磁性能、热退磁效果、尺寸精度、力学性能的影响，同时考察了PTFE粘结NdFeB和环氧树脂（epoxyresin）粘结NdFeB的温度稳定性。认为PTFE由于其优异的耐高温性能，能够满足磁体热退磁对粘结剂的要求，而当PTFE含量为39，6（质量分数）时磁体在保证小的尺寸变化率的基础上，可以使表面剩磁降到适于防腐处理的程度，但是其强度较低。同时，PTFE各向异性粘结NdFeB在高温条件下的不可逆损失hirr，剩磁的温度系数α和矫顽力的温度系数β都较epoxyresin粘结NdFeB的大。

镍-铬复合溶胶的制备及其在高发射率涂层中的应用898-901

摘要：首先合成了镍一铬复合溶胶，然后向其中掺杂纳米SiC粉末得到喷涂用涂料，进而在镍基高温合金上制备了NiO-Cr2O3-SiC红外高发射率复合陶瓷涂层。结果表明，该涂层有很高的发射率，与基材结合良好，抗热震性能明显优于Al2O3-SiC陶瓷涂层。

Fe3O4纳米粒子的制备与超顺磁性902-903

摘要：采用红外光谱、X射线衍射、透射电子显微镜和振动样品磁强计对用化学共沉淀法制备出的纳米Fe3O4粒子进行了形貌、结构及磁性能表征。其中，红外和XRD测试结果表明制备出的Fe3O4粒子的物态和晶相结构；透射电子显微镜照片表明制备出的纳米四氧化三铁成球性好，且大部分四氧化三铁粒子的粒径在10nm左右；磁化曲线表明制备出的Fe3O4粒子无剩磁和矫顽力，具有超顺磁性。并且，将制备出的纳米Fe3O4粒子和块状Fe3O4的磁性能进行对比，探讨了Fe3O4由块状的亚铁磁性向纳米级的超顺磁性转变的原因。

具有磁性涂层的连续碳纤维基本磁特性研究及其各向异性计算904-907

摘要：具有磁性涂层的连续碳纤维其基本磁参数可以通过振动样品磁强计的测试（VSM）来表征，经理论推算和实验测量，论证了该方法的合理性。同时应用该方法检测了连续纤维的矫顽力（Hc）和比饱和磁化强度（σs），并由此对其各向异性进行理论计算，计算结果与纤维磁性涂层形状各向异性相吻合。

时效对Cu-3．2Ni-0．75Si-0．30Zn合金组织和性能的影响908-910

摘要：研究了时效温度和时效时间对Cu-3．2Ni-0．75Si-0．30Zn合金组织和性能的影响。结果表明，合金经900℃固溶，不同时间时效处理后，第二相呈弥散分布。合金经不同冷变形后时效，能获得较高的显微硬度与导电率，当时效温度达到500℃时，其显微硬度达到253．7Hv，导电率达到40％IACS。同时建立了该合金在500℃下，关于时效时间的一元导电率方程。时效前的预冷变形能够有力的促进合金在时效过程中第二相的析出，从而提高合金的显微硬度和导电率。

FeSiB非晶薄带的压磁效应研究911-913

摘要：采用单辊法制备了宽4．5mm厚25μm的Fe79Si15B16非晶薄带，压磁效应测试结果表明：当测试频率较低时，Fe79Si15B16非晶薄带的压磁效应较弱，随着频率的升高，薄带的压磁效应出现了明显的增强；当退火温度低于300℃时，退火后薄带的压磁效应增强，且薄带的压磁效应随着退火温度的升高而增强；经300℃×1．5h的退火后，薄带的压磁效应最强，当测试频率为50MHz，测试压应力为1．05MPa时，其压磁效应可达0．99％。

非晶Fe79Si9B13合金结构对磁性的影响914-916

摘要：研究了普通退火对非晶Fe79Si9B13合金磁性能和结构的影响。实验发现：经不同温度退火1h后，试样的静态磁性能在Ta=390℃呈现最佳值；损耗则在Ta=440℃呈现最低值；在Ta=440℃经不同时间退火后，试样在ta=2h呈现横向感生磁各向异性。由退火后试样的初始磁导率与温度的关系及磁致伸缩系数的变化结果表明，当有极少量的α-Fe（Si）晶体相析出时，可明显改善合金的动态磁性能；当α-Fe（Si）晶体相进一步析出时，可使合金呈现良好的恒导磁特性。

缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响917-920

摘要：用分子束外延（MBE）法在GaAs（100）衬底上生长GaSb薄膜，得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件。为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度，采扁低温（LT）GaSb作为缓冲层，研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响，并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析，得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1．43μm／h时，GaSb外延层中的位错密度最小，晶体质量最好。