功能材料杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

功能材料 2007年第05期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

聚谷氨酸苄酯的化学改性研究进展689-693

摘要：聚谷氨酸苄酯是一种新型的生物降解高分子材料,但由于其疏水性,降解周期及速度难以控制,使其应用受到一定的限制,因此其改性研究具有重要的意义。综述了聚谷氨酸苄酯的共聚改性和侧基改性方法研究进展。

反应堆用磁致伸缩材料设计694-695

摘要：简要介绍了磁致伸缩现象及几类常见的磁致伸缩材料,并对反应堆用磁致伸缩材料做了详尽的设计;特别是对磁致伸缩材料的抗辐照性能、磁致伸缩性能及高温性能做了详尽地分析。

镍氢电池掺钴镍正极的研究进展696-699

摘要：对镍氢电池的镍正极覆钴改性的研究进展进行了综述,系统归纳了添加剂Co、CoO、Co（OH）2、CoOOH对电池镍正极性能的改善及覆钴工艺的研究进展,并对覆钴工艺的前景提出了新的展望。

功能材料杂志研究与开发

取代基对8-羟基喹啉锂电子光谱影响的理论研究700-702

摘要：运用密度泛函（DFT/B3LYP）方法对4种取代基（-NO2、-CN、-OH、-CH3）在8-羟基喹啉锂（Liq）五位上取代所形成的4种衍生物进行结构优化,并在此基础上应用含时密度泛函（TD-DFT）方法和单激发组态相互作用（CIS）分析了取代基对Liq前线分子轨道和电子光谱的影响。分析结果表明,不同性质的取代基对最高占据轨道（HOMO）电子云分布的影响趋势一致,而对最低空轨道（LUMO）电子云分布影响趋势不同。吸电子基使前线分子轨道能级降低,带隙增大,光谱蓝移。推电子基使前线分子轨道能级升高,带隙减小,电子光谱红移。推吸电子能力强的取代基对前线分子轨道和电子光谱的影响程度较大。

PECVD法生长氮化硅工艺的研究703-705

摘要：采用了等离子体增强化学气相沉积法（plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD）在聚酰亚胺（polyimide,PI）牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。

改性灰D（GDSA）与Cu^2＋离子形成配合物的紫外-可见光谱及偏光性能706-710

摘要：将直接染料灰D（GD）重氮化后与磺基水杨酸（SSA）偶合得到一种三偶氮染料（GDSA）,研究了GDSA与Cu^2＋离子配合系统的紫外-可见光谱,发现Cu^2＋与GDSA在pH=4.6的条件下可形成配合物[Cu（Ⅱ）（GDSA）],其表观稳定常数K表=6.2×10^5。将该配合物与聚乙烯醇共混制成偏光膜,研究了膜的光谱吸收特性,结果表明,掺有[Cu（Ⅱ）（GDSA）]的膜的偏光性能明显优于掺有GD的膜,偏光度〉60%的波长区间由GD膜的100nm（550-650nm）增加到320nm（350-670nm）,并使200-280nm范围紫外光的透过率〈5%。

以SiCl4/H2为气源低温制备pc-Si薄膜的稳恒光电导特性711-713

摘要：研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法,在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况。实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大。

固相研磨-低温煅烧法制备钛酸钡纳米粉体714-716

摘要：以氢氧化钡和钛酸丁酯为原料,采用固相研磨与低温（200-300℃）煅烧相结合的方法制得了钛酸钡纳米粉体。用XRD、TEMI、R和ICP对产品进行了表征;并用TG-DTA对纳米粉体的形成过程进行了分析。结果表明,所得钛酸钡纳米粉体的粒径约为15-20nm,粒子形状近似为球形,晶体结构为立方相,钡钛物质的量之比约为1.0。该粉体在热外理温度为800-1000℃时,由立方相转变为四方相;而在热外理温度为668-892℃时,存在于晶格中的羟基被除去。

聚丙烯酸对水基磁流变液稳定性的改良717-720

摘要：以羰基铁粉为悬浮介质、水为分散介质的悬浮液中加入聚丙烯酸（PAA）,分别测量不同条件下悬浮液的电泳淌度及吸光度随时间的变化。结果表明,磁性颗粒对聚丙烯酸分子的吸附,增加了其表面电势,颗粒之间的静电斥力阻碍了团聚的发生,提高了体系的抗团聚、抗沉降稳定性。同时也研究了pH值及PAA浓度对悬浮液稳定性的影响。

纳米晶复合Nd8.5Fe76.6-xGaxCo5Zr2.7B6.2（x=0～0.5）粘结磁体磁性能的研究721-723

摘要：采用快淬和晶化退火法制备了成分为Nd8.5Fe76.6-xGaxCo5Zr2.7B6.2（x=0-0.5）的纳米晶复合永磁粘结磁体,研究了其磁性能的变化。结果表明,适量Ga元素的添加能有效提高磁体退磁曲线的方形度,进而提高磁体的最大磁能积。Ga含量0.2%（原子分数）,快淬速度为16.0m/s的合金经670℃/4min的晶化处理后,制得的粘结磁体具有较佳的磁性能：Br=0.745T,jHc=730.1kA/m,（BH）max=80.1kJ/m^3。适量的Ga元素的添加可以提高磁体的温度稳定性。Ga含量为0.2%（原子分数）的合金具有较好的温度系数,在25-150℃温度区间内剩磁温度系数α=-0.091%/℃,内禀矫顽力温度系数β=-00353%/℃。

La0.8Pr0.2Fe13-xSix金属间化合物的晶体结构和磁熵变研究724-726

摘要：通过X射线衍射和磁性测量等手段对所制备的金属间化合物La0.8Pr0.2Fe13-xSix（x=1.8,2.0）的结构和磁性进行了研究。结果表明,在1373K温度下,经过5天退火所得的金属间化合物La0.8Pr0.2Fe13-xSix（x=1.8,2.0）晶体均为单相立方NaZn13型结构;另当Si含量由1.8变为2.0时,引发了晶格体积收缩,居里点升高。当x=1.8时,该化合物在居里温度Tc为210K处具有大的磁熵变｜ΔSM｜,在0-1.5T的磁场下｜ΔSM｜max为10.43J/（kg·K）。当x=2.0时,该化合物在居里温度Tc为226K处具有最大的磁熵变｜ΔSM｜,在0-1.5T的磁场下｜ΔSM｜max为5.23J/（kg·K）。大磁熵变来源于Tc处磁化强度的陡峭变化和Tc以上磁场诱发的巡游电子变磁性转变。

界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响727-729

摘要：采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场。通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×10^3A/m增加到1.55×10^4A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃。

掺Mg对（Ni0.30Cu0.20Zn0.50）Fe2O4铁氧体烧结体性能的影响730-733

摘要：采用微波水热法制备（Ni0.30Cu0.20Zn0.50）Fe2O4.xMg（x=0、0.01、0.02、0.03、0.04）粉末,并用该纳米粉在900℃/4h下,烧结形成了致密的陶瓷体。对低温烧结掺Mg的Ni-Cu-Zn铁氧体的成相,致密化过程及Mg含量对样品显微结构和电磁性能的影响进行了研究。研究结果表明,在Mg含量为0.01-0.04范围内,掺Mg可以影响样品的晶胞参数,增加样品的烧结密度并且改善样品的微观结构和电磁性能。其中Mg含量为0.04时,样品的晶粒尺寸大而均匀,初始磁导率、电阻率、Q值比其它掺量的高。

激光脉冲外延生长Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜及其特性研究734-736

摘要：利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长（100）Pb（Zr0.52Ti0.48）O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响。研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延（100）PZT薄膜。在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5μC/cm^2和52.1kV/cm。试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,可用于铁电存储器的制备中去。

FeCuNbSiB/硅橡胶磁性复合薄膜制备及压磁性能研究737-739

摘要：以FeCuNbSiB粉为填料,硅橡胶为基体制备了FeCuNbSiB/硅橡胶磁性复合薄膜,并对压磁性能进行了研究。利用4294A阻抗分析仪,在0-100MHz频率范围内研究了样品的点压磁阻抗效应。结果表明,FeCuNbSiB/硅橡胶复合薄膜具有优越的压磁性能,薄膜的阻抗随着频率的增加而减小。薄膜对微应力变化非常敏感,具有低频压磁特性。当FeCuNbSiB粉末与硅橡胶的质量比为3∶1时的磁性薄膜压磁性能最有规律,压磁稳定性最好。

并五苯薄膜的AFM及XRD研究740-742

摘要：报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪（XRD）分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。

微波等离子体低温制备氮杂二氧化钒薄膜743-745

摘要：选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,在低温条件下,成功制备了氮杂二氧化钒薄膜。通过X射线衍射（XRD）,FT-IR对样品进行表征,结果表明：合成的样品为多晶氮杂二氧化钒。相变温度测试结果表明：退火工艺可以降低相变温度,同时提高薄膜的结晶度;改变氮气流量,相变温度先降低后升高,当氮气流量为20ml/min时,相变温度可以降低至40℃。

衬底温度对磁控溅射法制备ZnO薄膜结构及光学特性的影响746-749

摘要：采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、扫描探针显微镜及紫外分光光度计研究了生长温度对ZnO薄膜的结构及光学吸收和透射特性的影响。结果表明,合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量;薄膜在紫外区显示出较强的光吸收,在可见光区的平均透过率达到90%以上,且随着衬底温度的升高,薄膜的光学带隙减小、吸收边红移。采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作了相应的理论计算,计算结果与实验值符合得较好。