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功能材料 2006年第11期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

四方相纳米氧化锆低温稳定机制的研究现状1691-1696

摘要：介绍了近几十年t-ZrO2纳米晶在室温下稳定机制的研究现状，并且重点分析表面能理论和氧空位理论等主要机制，在此基础上对镀膜、水蒸气、杂质离子、形核位置以及结构相似对其稳定性的影响进行进一步的讨论。

金属-有机络合聚合物（MOCPs）的研究进展1697-1699

摘要：从配体的角度对中心离子与多齿配体间形成的稳定多孔金属-有机络合聚合物（MOCPs）的发展现状进行了综述。指出该材料自成为研究热点以来，各研究小组在对不同的构件分子进行组合构建新的MOCPs方面富有成效的工作，极大地丰富了络合聚合物的结构数据，但这种材料最引人注目的特性——孔及表面性质的可调控性及其对其各种应用特性，如分子识别、择形催化、择形吸附等所能带来的影响方面的研究还很不够。

功能材料杂志研究与开发

两种含强供电基的三苯胺均二苯乙烯衍生物的合成及光电性能研究1700-1702

摘要：设计合成了两种新型含强供电基目的三苯胺均二苯乙烯类化合物，并通过IR、MS、NMR进行了结构表征，用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、循环伏安法（CV）等手段研究了它们的光电性能，分析了它们的电化学行为，计算出其电离势（P1）分别为5．41和5．54eV，带隙（E）分别为2．72和2．74eV，结果表明强供电子基团的引入大大增强了荧光量子效率和空穴的注入传输能力。

AgCl纳米晶掺杂铌碲酸盐系统非线性光学玻璃材料研究1703-1705

摘要：铌碲酸盐非线性光学玻璃具有优良的三阶非线性光学效应，引入适量纳米晶体后，有望进一步提高玻璃的三阶非线性光学性能。本文采用在辅助电场诱导下的热处理方法在TeO2-Nb2O5-BaO-AgCl系统玻璃中析出AgCl纳米晶体，并研究了AgCI含量、热处理工艺及电场施加工艺对纳米晶析出和三阶非线性光学性能的影响。结果发现，在铌碲酸盐系统玻璃中引入0．1％～0．35％（质量分数）的AgCl，经热处理后可在玻璃中获得AgCl纳米晶体，而辅助电场提供的较小推动力可诱导更多的纳米晶体均匀析出，并且可以将其尺寸控制在20nm以下。采用辅助电场与热处理工艺相匹配的控制技术可以明显提高材料的三阶非线性光学性能。

射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si—SiO2复合薄膜及其光致发光特性1706-1708

摘要：采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si—SiO2复合薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和傅里叶变换红外光谱（FTIR）表征了薄膜的结构，组分和成键情况。掺Al在SiO2中造成氧空位，使薄膜光致发光强度增强，并出现新的发光峰。退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响。

Au-MgF2复合薄膜非规则微结构的多重分形表征1709-1711

摘要：研究不同体积分数Au—MgF2复合薄膜的非规则微结构，采用局部消除异常法获得薄膜的多重分形谱，结果显示：随着Au体积分数的增加，表征薄膜分布不均匀性的分形谱宽△a从1．4845减小到0．1308，表明薄膜中Au颗粒的分布越来越均匀。当Au体积分数6．0％和13．8％时，△f为负值，而当Au体积分数为38．2％和62．6％时，△f为正值，说明随着体积分数的增加，薄膜中Au颗粒的尺寸分布由小尺寸Au颗粒为主导分布，向大尺寸Au颗粒为主导分布的过渡。

二维层状磁性镁铝水滑石的制备与表征1712-1715

摘要：采用共沉淀法将磁性基质与镁铝水滑石组装制备二维层状磁性镁铝水滑石，考察了在一定的PH值、沉淀生成温度及陈化时间下，不同n（Mg^2＋）／n（Al^3＋），n（Fe^2＋）／n（Mg^2＋）比值及焙烧温度对合成磁性镁铝水滑石结构的影响，并借助HRTEM、XRD、VSM、TG-DSC、FT—IR等手段对其晶型结构、磁学性能及结晶度等进行表征，结果表明镁铝水滑石在赋予磁性后，并没有改变其典型的层状结构，证实了将磁性基质与层状材料组装合成的可行性。

正交实验法优选电沉积Co—Pt—W磁性薄膜制备工艺1716-1718

摘要：利用正交设计L25（5^6）安排实验，分别以矫顽力和磁滞回线的方形度为考察指标，通过极差分析和方差分析优化Co—Pt—W磁性薄膜电沉积制备工艺，结合工业生产的实际需求，得到Na2WO4·2H2O及（NH4）2C6H6O7浓度分别为0、08L、0、198mol／L，电流密度为5mA／cm^2，温度为60℃的制备条件为最佳组合。在此条件下制备了Co—Pt—W薄膜样品，并对其磁性能进行验证，对结构和形貌进行了测量。结果表明hcp结构有利于电沉积Co—Pt—W薄膜的硬磁性能。

MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究1719-1722

摘要：研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用。对薄膜组成、磁性能的对比研究表明：从稀氯化物体系（200mT）中获得的Co52.4Ni11.9Mn0．4P5.3永磁体薄膜具有最好的磁性能：He=208790A／m，Br=0．2T，（BH）tmax=10．15kJ／m^3，且脆性小、内应力较低。进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co（110）面上存在织构所致。在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列。

金属／聚合物转化陶瓷复合材料的原位反应合成和磁学性能研究1723-1725

摘要：在高温转变陶瓷工艺过程中，通过不同金属元素（Ni、Mn、Co和Fe）的添加，原位反应合成出Si—C—N陶瓷基体的复合材料。由于金属元素的存在，使得所合成的复合材料的质量损失减小，密度增加。富金属相能均匀分布在基体材料中，复合材料无明显缺陷。XRD分析结果表明，Ni、Mn和Fe在高温分解过程中与基体都发生反应，分别生成了Ni31Si12、Mn5Si3和Mn2N0.86、Fe3Si，而Co没有。由于这些不同富金属相的存在，使得复合材料的磁学性能在低温（77K）和室温（300K）有所不同。

Er2AlFe12Mn4化合物的反常热膨胀1726-1727

摘要：利用X射线衍射和磁测量手段对Er2AlFe12Mn4化合物磁性和结构进行了研究，结果表明室温下Er2AlFe12Mn4化合物具有单相的Th2Ni17型结构，其居里温度约为230K。在106～652K温度范围内对Er2AlFe12Mn4化合物做变温X射线衍射测量，结果表明在236～259K的温度区间出现反常热膨胀现象，其平均热膨胀系数a≈-2．03×10^-5／K。

二茂铁有机磁体／陶瓷磁性复合材料的缩波功能及应用1728-1731

摘要：用二茂铁有机磁体与陶瓷（Al2O3、TiO2、BaTiO3及微波陶瓷SrTiO3·Bi2O3·3TiO2）（简称OPM／SAT）粉末制成4种未见报道并有良好缩波功能的OPM／SAT磁性复合材料，研究了它们的组成与电磁参数（μ′，ε′），电磁损耗（μ″，ε″）及缩波性能的关系，结果表明，其缩波因子较传统的介质材料大许多倍，在高频、微波下OPM／SAT缩波材料可使微带天线的几何尺寸缩小40％，而带宽为介质天线的3倍，因此，这种新颖的有机磁性缩波材料在理论和实用上有重要的价值。

晶粒间界相对纳米硬磁材料各向异性的影响1732-1733

摘要：采用立方晶粒结构模型研究了晶粒间界相对纳米硬磁材料交换耦合相互作用和有效各向异性的影响。结果表明，晶粒间界相减弱了交换耦合作用，使晶粒的平均各向异性〈K〉增加，有助于提高材料的有效各向异性Keff；而非磁性晶粒间界相又会使Keff降低，导致Keff在间界相为某一厚度d时取极大值。适当厚度的晶粒间界相可以提高材料的有效各向异性和矫顽力。

ZnS薄膜的制备及性能研究1734-1736

摘要：用射频溅射法在Si基片和石英基片上分别制备了490hm厚的ZnS薄膜，并在不同温度下进行退火处理。微结构分析表明：退火后的ZnS薄膜均呈多晶状态，晶体结构为立方闪锌矿结构的β—ZnS；随着退火温度的升高，薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大，由20℃的i0．91nm增大到500℃的15．59nm，晶格常数在不同退火温度下均比标准值0．5414nm稍小。应力分析表明：退火后的ZnS薄膜应力减小，400℃时分布较均匀，平均应力为1.481×10^8Pa，应力差为1．939×10^8Pa。且400℃前为张应力，400℃以后转变为压应力。光学分析表明，随着退火温度的升高，ZnS薄膜的透过率增强，吸光度减弱。

Al-F复合改性LiMn2O4的结构和性能1737-1738

摘要：通过固态反应制备了尖晶石型锂锰氧化物LiAl0.2Mn1．8O4-xFx锂离子电池正极材料，采用XRD、EDS等测试对其进行了表征，并测试了样品的电化学性能。结果表明，合成的LiAl0．2Mn1.8O4-xFx（0≤x≤0．3）样品为单一的尖晶石结构；随着F^-含量的增加，晶胞参数增大；一定量的Al^3＋和F^-复合改性提高了材料的比容量，增加了尖晶石结构的稳定性，改善了材料的高温循环性能。

RTV胶在空间高压阵二次放电防护技术中的应用研究1739-1742

摘要：室温硫化硅橡胶（RTV胶）可以有效防止空间高压太阳阵产生二次放电事件。本文以地面模拟实验为基础，研究RTV胶在空间高压阵抗二次放电方面的防护作用。实验表明RTV胶明显提高了高压阵二次放电阈值电压；经高能电子辐照后，RTV胶防护样品串间发生耦合放电。通过对经高能电子辐照前后样品RTV胶的红外分析对比，讨论了空间高能电子辐照环境对RTV胶防护二次放电性能的影响。

星形网状聚合物电解质的制备及其离子导电性研究1743-1745

摘要：聚乙二醇（PEG，Ma=400，600），季戊四醇与CH2Cl2在碱性条件下，通过williamson反应合成以季戊四醇为核、以聚氧化乙烯的嵌段物为臂的星形网状聚合物。FTIR和^1H-NMR分析表明，聚合物分子为C[CH2-OCH2O-（CH2CH2O）n-CH2O-]4的重复单元结构。季戊四醇的加入明显地改善了聚合物电解质的成膜性、力学性能和热稳定性。对聚合物电解质进行交流阻抗导电性研究表明：在25℃，离子电导率随着锂盐浓度的变化相继出现两个峰值，当叫（Li—ClO4／聚合物）=8％时，离子电导率达1．03×10^-4S／cm；离子电导率随着温度的升高而迅速增加，且呈非Arrhenius变化。

双温区生长CdSe单晶及其红外表征1746-1748

摘要：硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了φ15mm×40mm，电阻率为10^7～10^8（Ω·cm）量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体（110）解理晶片进行XRD、红外透过测试，结果显示：硒化镉单晶体完整性好，红外透过率〉62％，表明用二步提纯，在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体，能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比。