功能材料杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

功能材料 2006年第10期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

空间电荷聚合物驻极体材料的压电效应1523-1526

摘要：自20世纪70年代空间电荷驻极体压电性概念被提出以来，开发新的聚合物压电材料一直是驻极体界研究的热点。这类材料的压电效应产生机制与传统的极性聚合物压电材料不同，是由于空间电荷在机械应力的作用下非对称性地向电极移动所致。本文从理论和实验两方面，对具有闭合型或开放型空洞结构和“软”、“硬”复合有机聚合物驻极体压电膜的研究现状进行了综述，并对进一步开展这类材料的研究提出了看法。

新型催化材料——介孔氧化铝分子筛的合成、表征以及应用前景1527-1530

摘要：与传统的γ-Al2O3相比，介孔氧化铝分子筛具有较大的比表面积和较窄的孔径分布，作为工业催化剂或催化剂载体，具有更为广阔的应用前景。本文重点介绍了介孔氧化铝分子筛的不同合成方法、结构表征方法和催化性能，分析了模板剂类型、凝胶PH值、洗涤方法、焙烧方式等制备条件对其结构的影响。并对其催化应用进行了评述和展望。

涂层梯度硬质合金的研究进展1531-1534

摘要：主要综述了涂层梯度硬质合金的发展，对涂层梯度硬质合金基体的制备、基体涂层技术、基体表层碳含量的控制等进行了阐述。展望了梯度硬质合金的前景和发展方向。

一维纳米稀土氧化物的研究进展1535-1538

摘要：概述了国内外在一维纳米稀土氧化物（纳米管、纳米棒、纳米线）方面的研究现状，介绍了硬模板法、软模板法、水热法、超声法和微乳液法制备一维纳米稀土氧化物的工艺方法和机理，并对这些方法的优缺点进行了比较，指出了当前一维纳米稀土氧化物合成中存在的不足，并对一维稀土纳米氧化物的应用作了展望。

功能材料杂志研究与开发

基于温冲环境的Au—Al键合特性研究1539-1541

摘要：设计了Au—Al键合点的温度冲击试验，分析了键合点的力学特性、结构形貌及电学性能。结果表明Au—Al键合界面无裂纹产生，且机械性能良好，键合拉力在3．0～12．0g之间；高温导致Au—Al间形成了电阻率较高的化合物Au5Al2；最终引起键合电失效。对目前工艺水平下的Au—Al键合可靠性进行了评价，发现其寿命分布服从威布尔分布规律。用图估法估算取置信度为95％时，特征寿命η为547h，形状参数m为3．83。基于器件可靠性评价规律预测出了该工艺条件下制备的Au—Al键舍寿命，取可靠度为90％时，试验样品在常温25℃时的寿命为1．8×10^5h，约20年。

（La0．9Bi0．1）2／3Ca1／3MnO3磁性和电输运性质研究1542-1544

摘要：利用固相反应法制备了（La0．9Bi0．1）2／3Ca1／3MnO3样品，研究了它的导电特性和磁性。在电阻和磁化测量中观察到热滞现象。在电阻-温度（R-T）曲线中出现了两个峰，当施加5T外场时，电阻中的热滞现象被抑制，只观察到一个峰。磁化（M-T）曲线表明，在居里温度（L）以下发生了顺磁-铁磁（PM—FM）相变。样品不同寻常的M-T行为能够很好地解释测量到的R-T曲线。

高能球磨对雾化磁粉结构与磁性能的影响1545-1547

摘要：采用高能球磨的方法处理水雾化Fe-Si-Al软磁合金粉末，运用SEM、XRD分析球磨粉末的显微结构和晶体结构，测试粉末的静磁参数及其2～18GHz范围的复磁导率（μr=μ′-jμ″）。结果表明，球磨时间增加，粉末的扁平率增大、粒度减小；平均晶粒尺寸减小、内应变增大导致结晶有序度降低；粉末的饱和磁感应强度减小、矫顽力增大；球磨粉末的复磁导率实部和自然共振频率均相应提高，但过度球磨不利于材料磁损耗性能的提高。

Nb^5＋的掺杂引起La0．67Sr0．33MnO3增强的磁电阻效应1548-1550

摘要：将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0．67Sr0．33MnO3（LSMO）微粉中，XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构。随着Nb^5＋掺杂量的增加，材料电阻率发生显著变化。在x=0．06的掺杂样品中得到最高为1110Ω·cm电阻率（x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比），比LSMO高5个数量级，这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致。Nb^5＋离子的掺杂使样品的低场磁电阻（LFMR）和高场磁电阻（HFMR）效应都有所增强。77K下，0．1和1T磁场下在x=0．07样品中分别得到25％和42％的磁电阻效应，分别是LSMO样品的2倍和1．7倍。室温下x=0．03样品的磁电阻最大，为7％。其中，LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用，而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构。

热处理温度对纳米Mn-Zn铁氧体微粒的Ms、Hc的影响1551-1553

摘要：采用柠檬酸盐自燃烧法制备纳米锰锌（Mn—Zn）铁氧体微粒，研究后续热处理温度对产物的饱和磁化强度（Ms）、矫顽力（Hc）的影响。结果表明，纳米Mn—Zn铁氧体微粒的Ms、Hc随着热处理温度的升高，变化趋势都是先增大后减小。Ms在热处理温度为450℃时，达到最大值（46．8Am^2／g）；Hc在热处理温度为400℃时，达到最大值（2．7×10^8A／m）。纳米Mn—Zn铁氧体微粒的单畴临界尺寸大约为58nm。

不同电极形式对掺镧钛酸铅铁电薄膜的介电性能的影响1554-1556

摘要：采用射频磁控溅射技术在Si（100）基底和Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9，La0.1）TiO3，PLT]铁电薄膜。用X射线衍射技术（XRD）研究了PLT10薄膜结晶性能。使用光刻工艺在Si（100）基底的PLT10薄膜上制备了叉指电极，测试了PLT10薄膜的介电性能。在室温下，测试频率为1kHz时，PLT10薄膜的介电常数为386。而采用相同工艺条件制备的具有平行电极结构的PLT10薄膜，其介电常数为365。但利用叉指电极测试的PLT10薄膜的介电常数和介电损耗随频率的下降比利用平行电极测试的PLT10薄膜的快些。这是因为叉指电极结构引入了更多的界面态影响的缘故。

Co掺杂对Ba0．6Sr0．4Tio3薄膜介电性能的影响1557-1560

摘要：利用溶胶凝胶工艺在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%（摩尔分数）的（Ba0.6Sr0.4）Ti1-xCoxO3薄膜。研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系。薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少，在摩尔含量10%时达到最小值0．0128。FOM值在摩尔含量为2．59，6达到最大值20，它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639．42、0．0218、43．6%。

水热合成Bi—Te—Se合金及其热电性能1561-1563

摘要：用水热法在473K下反应24h，制备了Bi—Te—Se三元合金。其粉末产物由结构相同成份接近的两相Bi—Te—Se合金组成。粉末在523K，50MPa压力下热压成的块材也是两相结构。粉末和块体材料的微观形貌均由层片状颗粒组成，层片厚度为100nm左右。通过改变Te的相对含量，可以调节施主掺杂浓度。材料具有很低的热导率，在349K时试样B12Te2．85Se0.45具有晶格热导率最低值为0．33W／m·K。此时，它也具有最高的ZT值为0．60．

A位掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的铁电性能研究1564-1565

摘要：用传统固相烧结工艺，制备了纯相的Bi4Ti3O12（BTO）陶瓷，A位掺杂的Bi3.25La0．75Ti3O12（BLT），Bi3.15Nd0．85Ti3O12（BNdT）铁电陶瓷。X射线衍射结果表明，所有样品均为单一的层状钙钛矿结构，La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构。铁电测试结果表明，BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12．4、23．8和39．4μC／cm^2。A位掺杂后，BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1．92和3．18倍。漏电流测试表明，BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低。A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能。

新型聚阴离子电解质膜材料羧甲基化PVA的合成表征及性能1566-1568

摘要：聚乙烯醇（PVA）与氯乙酸在KOH的催化下，合成了一种新型聚阴离子电解质羧甲基化PVA（CMPVA）。考察了反应时间、温度、氯乙酸用量对取代度（DS）的影响，用傅立叶变换红外光谱（FT—IR）、扫描电镜（SEM）对CMPVA的化学结构和膜表面形态进行了表征，CMPVA的导电性、耐热性随DS的增大而提高，分别将PVA、CMPVA及CMPVA／季铵化聚阳离子PVA（QAPVA）复合物制备渗透汽化复合膜，用于乙醇／水体系进行渗透汽化分离。其中CMPVA／QAPVA复合物膜对水的分离因子α为1440、渗透通量J为850g／m^2·h。

退火温度对PVDF薄膜结构的影响及其性能研究1569-1571

摘要：通过拉伸工艺，在不同的退火温度下，制备了PVDF薄膜，用XRD分析了退火温度对拉伸PVDF薄膜8相含量的影响。实验结果表明，退火温度为120℃时．8相的含量达到最大值，薄膜呈现明显的铁电性，矫顽场接近1．0mV／cm，电位移D为5μC／cm^2。在25℃时，薄膜的热释电系数P为0．3×10^-8C／cm^2·K。

反应溅射掺碳二氧化钛（TiO2-xCx）薄膜可见光激发的亲水性和光催化特性研究1572-1574

摘要：采用气体反应磁控溅射方法350℃基底温度制备的碳掺杂TiO2-xCx薄膜为样品，测试其可见光激发的亲水性能和光催化特性，并与纯TiO2薄膜的情况进行了比较。研究发现：用模拟太阳光疝灯的照射TiO2-xCx薄膜5min．水的接触角就降低到3°，同样条件TiO2薄膜降低12°；TiO2-xCx薄膜只需要30min的照射，水的接触角接近到0°，而TiO2薄膜需要45min才能达此效果。在苯酚降解实验中，碳掺杂TiO2-xCx薄膜和纯TiO2薄膜在紫外波段有相当的光催化活性，但在可见光波段，前者表现出显著的可见光响应的光催化活性，用模拟太阳光疝灯的照射5h，TiO2-xCx薄膜对苯酚的降解率达到了41％，而TiO2薄膜仅为27％。

In^3＋Nb^5＋双取代钙钛矿型锂快离子导体Li3xLa0.67-xTiO3的研究1575-1577

摘要：Li3xLa0.67-xTiO3为母体，通过掺杂经高温固相反应制得了一系列新的锂快离子导体材料Li3x，La0．67-xInyTi1-2yNb3O3。利用X射线衍射分析和交流阻抗技术研究该系统的组成结构和电化学性能。结果表明体系合成温度降低，分解电压提高了；在x=0．10，Y〈0．050时，合成物为单一的钙钛矿固溶体，Y≥0．050时，则存在In2O3杂相；该体系合成物在室温下有较高的电导率，可达5．81×10^-4S／cm，活化能在20～30kJ／mol之间。

量子点2D-3D完整生长过程的Monte Carlo模拟1578-1580

摘要：利用蒙特卡罗模拟方法对GaAs衬底上MBE法自组织生长InAs量子点的过程进行了研究，完成了量子点二维到三维生长完整过程的模拟。充分考虑应力应变的影响因素，首次使用指数函数形式的应力应变模型，使模拟结果更加可靠。通过改变衬底温度，生长停顿时间，得到了不同条件下量子点生长的计算机模拟图形并对结果进行了讨论。结果发现，适中的温度和较充分的迁移时间有助于生长出高质量的量子点。