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功能材料 2006年第08期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

抛光用磁流变液的研究1187-1190

摘要：磁流变抛光是一种新兴的先进光学加工技术，已引起人们广泛关注。本文综述了磁流变抛光技术的应用状况及抛光机理，介绍了抛光用磁流变液的制备原理、制备方法及流变特性。并对影响抛光用磁流变液稳定性的因素及改进方法进行了详细分析，最后展望了今后的研究方向。

功能材料杂志研究与开发

不同前驱体有机改性溶胶-凝胶膜对氨响应的研究1194-1197

摘要：比较了四甲基硅氧烷（TMOS）分别与甲基三甲氧基硅烷（TMMS）、二甲基二甲氧基硅烷（DiMe—DMOS）和二苯基二甲氧基硅烷（DiPh—DMOS）按不同比例混和作为前驱体所形成的有机改性溶胶-凝胶氨传感敏感膜对氨的响应情况，发现3：1（v／v）TMMS／TMOS膜在0．1～10mg／mlNH。浓度范围内有较好的线性关系、检测限达0．01mg／ml、响应时间为2min左右。对影响水体中氨光化学传感检测的因素如共存物质、测定温度、稳定性等也作了考察，该膜受测定参数影响较小，有望用于水体微量氨的测定。

共沉淀-焙烧法制备LiFePO41198-1200

摘要：采用共沉淀法合成了无定形磷酸亚铁与磷酸锂的混合前驱体，这种前驱体在700℃下于还原性气氛中保温5．5h制得橄榄石型磷酸铁锂。采用XRD、FTIR、SEM和TG／DSC等手段对前驱体和焙烧产物的成分、结构、形貌及其热分解过程进行了研究。由不同热处理温度及反应时间下的LiFePO4转化率算得磷酸锂与磷酸亚铁在400～700℃下生成磷酸铁锂的反应速率常数和表观反应活化能（26．9kJ／mol）。结果表明，Fe3（PO4）2与Li3PO4反应生成LiFePO4的过程主要由Li^＋、Fe^2＋在固相介质中的扩散速率所控制。因此，Fe3（PO4）2和Li3PO4的均匀混合有利于降低LiFePO4的焙烧温度和缩短反应时间。

SiO2／CdS光子晶体的制备及其光学性能1201-1203

摘要：用化学浴沉淀法（CBD）在SiO2胶体晶体中生长了CdS半导体材料，并用UV—VIS-NIR光谱仪和荧光光分度计测试了其光学性能。测试结果表明，在SiO2胶体晶体中随着CdS填充量的增加，光子带隙向长波段方向移动且变宽；当发射出的光与基体材料的光子带隙相匹配时，可控制半导体材料的光致发光，同时，可通过控制SiO2胶体颗粒粒经的大小来调节CdS的光致发光性能。

Co64Fe11Nb5Si12B8合金磁导率与温度的关系1204-1205

摘要：采用铁芯测试仪测得合金样品的初始磁导率随温度的变化曲线，用磁化强度小角旋转法测量非晶及晶化合金条带的饱和磁致伸缩系数λs；研究了不同温度退火后Co64Fe11Nb5Si12B8合金的磁导率随温度的变化、磁性以及磁致伸缩系数；结果表明：合金在580、590℃热处理磁性变好的反常现象是由于磁致伸缩系数变小所致。

双羟乙氨基-硝基型偶氮分子的三阶光学非线性1206-1209

摘要：设计并合成了5种综合性能较好的双羟乙氨基给体-硝基受体型偶氮化合物，它们分别具有DπA型和DπAπD型共轭结构。用Z-扫描方法研究它们的三阶非线性光学性质。实验结果表明双羟乙氨基给体和硝基受体组合与偶氮共轭链相连组成的分子具有较大的三阶非线性极化率。其中化合物5具有DπAπD型共轭结构，它包含两条从N，N-双羟乙氨基给体到硝基受体的共轭链，因此较大的分子内电荷转移使三阶极化率γ达到2．958×10升^-33esu，并且在化舍物的共轭链中引入具有较低离域能的芳香杂环能增大三阶极化率。

CoFe2O4纳米线阵列的制备与磁性1210-1212

摘要：在氧化铝模板的纳米孔洞中，用电化学的方法沉积钴铁合金纳米线，经过550℃、30h氧化处理，成功制备出钴铁氧体纳米线阵列。分别用透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）和振动样品磁场计（VSM）对样品的形貌、晶体结构和磁学性质进行了表征测试。TEM观察结果显示纳米线粗细均匀，直径约为70nm。XRD显示纳米线的物相结构为CoFe2O4；VSM测试结果表明，CoFe2O4纳米线阵列的磁滞回线矫顽力为1．190×10^5A／m，比氧化处理前的钴铁合金纳米线阵列有显著提高。

钕掺杂锆钛酸铅纳米粉体的溶胶-凝胶法合成研究1213-1215

摘要：以乙二醇为溶剂，硝酸钕为钕源，采用改进的溶胶一凝胶法制备了钕掺杂锆钛酸铅纳米粉体Pb1-3x/2NdxZr0．52Ti0．48O3（PNZT）。通过FTIR、XRD、TG—DTA讨论了溶胶经热处理制备纳米粉体的反应机理，PNZT的热处理温度较PZT高50～100℃。采用XRD、SEM、TEM对纳米粉体进行表征。研究表明，钕掺杂增加了晶格畸变程度。与PZT相比，随着钕掺杂量增加晶格参数a和V下降，而参数c和c／a则不同，少量钕掺杂导致参数C和c／a增加，随着钕掺杂量增加逐渐下降。当钕掺杂量≤9％（摩尔分数）时可生成粒径约为20～50nm的钙钛矿型粉体，Nd^3＋离子取代Pb^2＋离子与Ti^4＋离子、O^2＋离子形成稳定的钙钛矿型结构。

磁控溅射法制备的纳米金薄膜的工艺条件和结构分析1216-1219

摘要：通过直流溅射沉积法在玻璃衬底上制备了不同生长条件下的纳米金薄膜，利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对其进行表面形貌分析。XRD图显示Au膜具有（111）面择优取向；AFM图显示，在不同的生长阶段Au膜具有不同的表面微结构。总结了不同的工艺条件对薄膜晶粒生长的影响，这项研究对实现金属薄膜的可控性生长有重要意义。

磁性液体水平传感器的研究1220-1222

摘要：利用磁性液体既具有磁体磁性又具有液体流动性的特性设计出一种新型的一维磁性液体水平传感器。推导了水平传感器输出电压的表达式。对影响传感器灵敏度的各因素（激励信号频率、峰值电流、磁性液体磁化系数）进行了分析，并进行了相应的实验研究。理论计算结果与实验结果相符合。这种传感器具有高灵敏度的特性。

Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ阴极材料的制备与性能1223-1225

摘要：氢氧根共沉淀法合成了阴极材料Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ（BSCF）。利用XRD、SEM、EDX和DSC／TG等技术研究了前驱体不同温度煅烧后的晶化行为，考察了BSCF材料的电导率和热稳定性能。结果表明，前驱体在1173K下煅烧2h，产物为单一的立方型钙钛矿相结构，粒径在1mm以下；当煅烧温度升至1273K，产物的组成配比为Ba0．48Sr0．52Co0．78Fe0．19O3-δ，但粉末之间发生烧结。空气中，BSCF支撑体的电导率在773-1073K之间均在120S／cm以上。材料在1183K时发生相转变，相变焓为49．47J／g，但材料在673-1273K仍显示了较好的热稳定性。

Li和Ti共掺NiO薄膜的溶胶-凝胶法制备及其介电性能1226-1228

摘要：采用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2（1mm）／Si基板上制备了Li和Ti共掺NiO基新型无铅介电薄膜材料，研究了薄膜的形貌、结构、介电性能。结果表明。热分解温度（300～500℃）对薄膜结构影响不明显，经600-800℃退火后的薄膜由NiO与Li-Ni—O复合氧化饧组成；经300℃热分解处理、650℃退火后的薄膜，其表面均匀致密，膜厚约300nm，室温下100Hz时的介电常数为767，当频率高于3000Hz后，介电常数随频率的增加趋于减小。

压电元件驱动的功能梯度弹性薄板的屈曲1229-1231

摘要：考虑功能梯度薄板，其上下表面嵌有压电执行元件。根据逆压电效应将电压转换成作用于板上的等效电载荷。假设梯度材料的弹性参数为板厚度方向坐标的幂函数，基于经典板理论，导出了功能梯度弹性薄板小挠度屈曲平衡微分方程。利用双三角级数展开法，得到了四边简支具有压电元件的功能梯度矩形板的临界屈曲载荷，在此基础上通过数值例子讨论了弹性板的几何尺寸、材料梯度指数的变化对临界电压（载荷）的影响。研究结果表明，材料的梯度指数对临界电压有重要影响，并且通过调整作用于执行元件上的电压的大小和方向，可实现对结构稳定性的有效控制。

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析1232-1234

摘要：采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量，发现部分晶片在77K下的导电类型为P型，而在室温下却为n型。通过理论分析对此现象进行了解释。分析表明：Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因。对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量，但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量。

碳纤维增强水泥基复合材料屏蔽性能的研究1235-1238

摘要：现代电子技术的迅速发展不可避免地带来了电磁辐射所造成的环境污染。选择合适的屏蔽材料，利用其反射、吸收、多层反射等功能是消除电磁污染的有效手段。碳纤维除具有高弹性、高模量、低密度、耐腐蚀等优良性能被当作许多复合材料的增强体外，还具有良好的导电性，将其加入到水泥基体中制成碳纤维增强水泥基复合材料（CFRC），不仅使水泥自身力学性能得到改善，而且可作为防止电磁辐射或核辐射的优良屏蔽体。

Al-Si闭孔泡沫铝电磁屏蔽效能1239-1241

摘要：通过调整发泡温度、发泡时间、保温时间及发泡剂加入量等工艺参数，采用熔体转移发泡法制备不同相对密度的Al-Si闭孔泡沫铝。利用法蓝同轴法测试其电磁屏蔽效能，结果表明：电磁干扰频率对其屏蔽效能影响显著，在10～600MHz范围内，随着干扰频率增加，泡沫铝屏蔽效能逐渐减小，在600～1500MHz范围内，屏蔽效能又逐渐增加。相对密度对Al—Si闭孔泡沫铝材料电磁屏蔽效能影响不大。

添加TiO2对镍铁尖晶石惰性阳极材料性能的影响1242-1245

摘要：为了提高惰性阳极材料的性能，本文尝试在合成镍铁尖晶石过程中掺杂一定量TiO2。采用高温固相反应法在1200℃下烧结6h，制备掺杂TiO2的镍铁尖晶石惰性阳极材料。研究了掺杂TiO2对试样密度、电导率和腐蚀率的影响。研究结果表明，掺杂TiO2后NiFe2O4的晶格产生畸变，从而Ti02促进烧结，提高材料的密度。并且由于Ti^4＋离子取代Fe^3＋离子，产生导电电子，改善了NiFe2O4惰性阳极材料的导电性。添加0．5％TiO2可降低材料的腐蚀率，但随着添加量的增加腐蚀率也增加，说明TiO2对材料的抗腐蚀性不利。经研究发现腐蚀率降低的原因是腐蚀过程中NiFe2O4分解产生的Fe2O3与电解质中Al2O3反应生成了FeAl2O4。综合考虑TiO2对材料各性能的影响，最终确定掺杂量为0．5％。

超薄Au膜的微结构及电学特性1246-1248

摘要：用直流磁控溅射在室温Si基片和载玻片上制备了厚度为7．6～81．3nm超薄Au膜，用X射线衍射及数字电桥对薄膜的微结构和电学性质进行了测试分析。微结构分析表明：制备的超薄Au膜仍为面心立方多晶结构；在膜厚d〈46．3nm时，（111）晶粒平均晶粒尺寸随膜厚增加逐渐增大，当d〉46．3nm后，晶粒尺寸几乎保持不变，甚至有所减小；（220）晶粒的平均晶粒尺寸则总是随膜厚的增加而增大。薄膜晶格常数均比PDF标准值（0．4078nm）稍小，随膜厚增加，薄膜晶格常数由0．4045nm增大到0．4077nm。电阻率分析结果表明，随着膜厚的增加，薄膜的电阻率经历了岛状膜的极大-网状膜的急剧减小-连续膜的缓慢减小。膜厚d〉46．3nm后，由于薄膜中长出新的（111）小晶粒，电阻率略有增加。