功能材料杂志

发表咨询:400-808-1731

订阅咨询:400-808-1751

功能材料杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

Journal of Functional Materials

  • 50-1099/TH 国内刊号
  • 1001-9731 国际刊号
  • 0.61 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
功能材料是重庆材料研究院主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1970年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、知网收录(中)等知名数据库收录,是重庆材料研究院主管的国家重点学术期刊之一。功能材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:热点·关注、综述·进展、研究·开发、工艺·技术

功能材料 2005年第10期杂志 文档列表

功能材料杂志综述
电子墨水技术的研究进展1477-1481

摘要:对当今世界上主流的5种电子墨水技术的原理做了概括性的介绍与评述.它们分别是微胶囊电泳、双色拧转球、胆甾型液晶、电湿技术和电致变色技术.

V2O5薄膜在传感器上的研究进展1482-1484

摘要:V2O5薄膜具有优异的物理、化学性质,在化工催化、电子、电化学等许多领域有广泛的应用,由于V2O5薄膜对还原性气体和湿度具有良好的敏感特性,其在气体和湿度传感器上的研究也日渐广泛,因此本文综述了V2O5为基体的薄膜在气体传感器和湿度传感器上的研究进展及存在的问题和解决的思路.

电气石的环境功能属性及应用1485-1488

摘要:电气石具有永久性自发极化效应,由于电气石颗粒周围存在静电场,从而使电气石具有发射远红外线、释放负离子、电磁屏蔽和水处理等优良的环境功能属性.本文概述了电气石的远红外、释放负离子、电磁屏蔽、水处理等环境功能属性以及当前国内外在这些领域的应用研究动态.阐述了电气石矿物物化特性与应用之间的关系,并展望电气石的应用前景.

光解水制氢半导体光催化材料的研究进展1489-1492

摘要:自从Fujishima-Honda效应发现以来,科学研究者一直努力试图利用半导体光催化剂光分解水来获得既可储存而又清洁的化学能--氢能.近一二十年来,光催化材料的研究经历了从简单氧化物、复合氧化物、层状化合物到能响应可见光的光催化材料.本文重点描述了这些光催化材料的结构和光催化特性,阐述了该课题的意义和今后的研究方向.

纳米热电材料及其ECALE制备方法进展1493-1496

摘要:论述了纳米热电材料的发展现状及其提高热电优值(ZT)的机理,介绍了一种制备纳米热电薄膜的新方法--电化学原子层外延(ECALE),它采用欠电位沉积实现二维层状生长.文中还总结了该方法制备纳米薄膜过程中的几个重要影响因素,并预测了纳米热电材料和器件今后的研究方向.

材料阻尼模型综述1497-1500

摘要:介绍了目前主要的几种材料阻尼模型,重点介绍了粘弹性材料阻尼模型.综述了各种模型的特点,适用范围.

功能材料杂志研究与开发
双光子聚合引发剂DBASDMB的结构与光学性能的研究1501-1504

摘要:制备了一种双光子聚合引发剂,反,反-1,4-双(4'-N,N-二丁胺基苯乙烯)-2,5-二甲氧基苯(DBASDMB),利用挥发溶剂法首次获得该化合物的晶体,用四圆X射线衍射法解析了晶体结构.结果表明,该晶体属于三斜晶系,P-1空间群;同时证明引发剂分子是具有很好对称性和平面性的全反式结构.仔细研究了该化合物在不同溶剂下的线性吸收光谱和单、双光子荧光谱,并在同一条件下对其单、双光子光谱进行了比较.在760nm的飞秒脉冲激光辐照下,DBASDMB能够高效地引发聚氨酯类丙烯酸酯齐聚物的聚合反应,成功地制作了一个微结构.

硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响1505-1508

摘要:SO2-4是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和'点籽晶'快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长.实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生'楔化'.

低磁场条件下Mn5(Ge3-xSbx)(x=0、0.1、0.2、3)合金磁热效应研究1509-1510

摘要:用真空高频悬浮炉在高纯氩气保护下制备了Mn5(Ge3-xSbx)(x=0、0.1、0.2、3)合金系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(ΔTad-T),结果表明,用元素Sb替代Mn5Ge3合金中的Ge原子,不能增强合金的磁热效应,但对合金的居里温度有一定影响.

沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的 ZnO∶Al 膜性能的影响1511-1513

摘要:利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240~310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上.

Mn+离子注入GaN薄膜的磁性研究1514-1516

摘要:在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层.用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015~5×1016ions/cm2.对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30~90s.样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析.未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015~5×1016ions/cm2).结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+ 注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+ 注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制.

WC颗粒增强铁基复合材料的性能研究1517-1520

摘要:通过离心法制备了外径290mm,内径130mm,高72mm,WCp/Fe-C复合材料工作层厚度25~30mm的厚壁环形试样.通过光镜、扫描电镜和性能试验设备研究了两种不同WCp体积分数WCp/Fe-C复合材料的力学性能、耐磨损性能和抗热疲劳性能,并与硬质合金和高铬铸铁进行比较.结果表明WCp体积分数在80%和65%左右的两种WCp/Fe-C复合材料,其抗拉强度达到了320和348MPa,冲击韧性均>4J/cm2,硬度为HRC63.5和HRC61.5.20和40N载荷下的耐磨性分别达到208.33、90.91和127.06、57.14,抗热疲劳性能优良.与硬质合金和高铬铸铁相比,WCp/Fe-C复合材料的冲击韧性、抗热疲劳性能以及20和40N载荷下的耐磨性均有大幅度提高.

铝电解电容器用不同工艺腐蚀箔的对比研究1521-1523

摘要:利用金相显微镜分析软质交流腐蚀箔、直交流腐蚀箔及硬质交流腐蚀箔的表面及断面蚀孔形貌,监测腐蚀箔恒电流阳极氧化过程中的升压曲线,并测试腐蚀箔阳极氧化后的比容、漏电流、抗拉强度及折弯次数.结果表明,软质交流腐蚀箔的蚀孔形貌呈灌木状;直-交流腐蚀箔的蚀孔呈乔木和灌木状分布,蚀孔中有部分大而稀疏的隧道孔,扩面倍率最小;而硬质交流腐蚀箔的蚀孔呈蜂窝状,孔洞细密,扩面倍率最大.直-交流腐蚀箔的漏电流最小,硬质交流腐蚀箔的抗拉强度及折弯次数最大.

γ-Fe2O3/聚噻吩纳米复合材料的制备及其导电性能研究1524-1527

摘要:采用单体聚合法以FeCl3为引发剂进行噻吩的聚合反应,得到了导电性好的γ-Fe2O3/聚噻吩纳米复合材料.红外、透射电镜、穆斯堡尔谱等研究表明γ-Fe2O3与聚噻吩之间有着一定的相互作用.复合材料的导电性明显高于纯的聚噻吩样品,随着γ-Fe2O3含量的增加,复合材料的导电性呈增大趋势.

固体氧化物燃料电池多层复合阴极的制备及性能研究1528-1530

摘要:为了改善固体氧化物燃料电池的阴极热循环性能,采用喷涂方法在Ce0.8Sm0.2O1.9(SDC)电解质片的表面制备了La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3(LSCF)-(SDC)3层复合阴极,各层LSCF所占比例依次为40%、70%和100%(质量分数).X射线衍射结果表明,LSCF与SDC无明显的反应.每层材料的热膨胀系数随LSCF含量的增加而增大,电阻率随LSCF含量的增加而下降.SEM观测证明阴极呈现多孔的微结构,且与电解质表面接触良好.在中温(500~800℃)测得的阴极极化曲线和阻抗谱结果表明,多层阴极材料具有比单层LSCF阴极更好的电化学性能和热循环稳定性,5次热循环后性能衰退从58%下降到12%.

PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:模型与算法1531-1534

摘要:提出了一种基于Monte Carlo方法的模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法,并以模拟PbTiO3薄膜的生长为例加以说明.模拟中使用的晶格空间基本单元为立方体,单个的ABO3结构晶胞简化为2×2×2个立方体,并采用周期性边界条件;Monte Carlo事件由沉积事件,扩散事件和脱附事件组成;根据PbTiO3的组成确定沉积原子的种类和比例,即根据Pb∶Ti∶O为1∶1∶3的比例借助一随机数随机选择原子的种类;原子扩散能力与扩散激活能相关,单个原子的扩散步数由沉积速率与实际扩散时间决定;激活能采用库仑势计算,其大小不仅与原子周围的架构相关,而且与架构中原子的种类相关.有关模拟结果将在另文中给出.

PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论1535-1537

摘要:根据本文作者提出的基于Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,并以PbTiO3薄膜为例模拟了多元氧化物薄膜生长初期的表面形貌.模拟中选定两个输入参数为沉积速率和沉积温度,并根据相关研究报道的实验条件,分别取沉积速率处于0.1~0.001nm/s之间,沉积温度处于800~1000K之间.模拟结果表明,在薄膜生长的初始阶段,沉积速率和沉积温度对薄膜形貌的影响很大,随着沉积速率的降低和沉积温度的升高,初始凝聚岛的面积增大,总的岛的数目减小;在较低的沉积速率和较高的沉积温度条件下更容易得到薄膜的层状生长.

硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究1538-1541

摘要:通过变温(20~300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.