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功能材料 2005年第02期杂志 文档列表

功能材料杂志综述

柔性有机薄膜电致发光显示材料及器件161-164

摘要：有机薄膜电致发光显示器件(OLED)近年来得到了迅猛发展,是未来全固体平板式彩色显示器的重要候选者,其最大优势之一是可以制作成柔性显示器件.本文综述了柔性有机电致发光材料及器件的发展概况、工作原理与优缺点,目前制作此类器件中存在的困难及解决这些困难的有效措施.

电泳沉积及其在新型陶瓷工艺上的应用165-168

摘要：介绍了电泳沉积的特点、悬浮液的稳定机制、电泳沉积的机理及动力学原理,并对该技术在制备固体表面陶瓷涂层、孔状结构陶瓷、多层及复合结构、固体氧化物电池、纳米材料及纳米结构陶瓷上的应用进行了总结.

官能化噻咯合成研究进展Ⅰ．关环法和环内转换法169-172

摘要：噻咯(silole音译)因具有独特的电子结构和光电性能,已成为近年来研究的热点.官能化噻咯作为重要的噻咯衍生物,不仅在有机合成领域占重要地位,而且是建构新型π共轭体系的重要组成部分.本文介绍了官能化噻咯的两种重要合成方法,即炔的内向-内向型分子内还原关环法和环内金属转换法,并对其特点、适用范围及发展方向作了分析和展望.

基质调控碳酸钙生物矿化过程及其体外模拟的研究进展173-176

摘要：生物体内碳酸钙的矿化过程受有机基质的调控.本文综述了基质蛋白和各类模型基质调控下碳酸钙矿化的研究进展.有机基质提供碳酸钙成核和生长的模板,调控碳酸钙晶体的结晶学取向、晶型和形貌,使形成的碳酸钙晶体具有特定的理化性质.同时,碳酸钙也可影响有机基质的微观结构.

带隙可调的宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜研究进展177-180

摘要：MgxZn1-xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一.本文从MgxZn1-xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述,并对其应用前景进行了展望.

功能材料杂志研究与开发

掺杂对功率铁氧体磁性能的影响181-183

摘要：研究了不同的掺杂组合对MnZn功率铁氧体磁性能的影响.并与传统的最常用的CaO-SiO2做了比较.我们还发现Ca、Ta和Nb离子作为一组掺杂,组以适配的工艺条件,可以取得比常用的CaO-SiO2更好的结果.

Nb的添加对Fe3B／Nd2Fe14B纳米永磁体磁性能与微观结构的影响184-186

摘要：研究了微量合金元素Nb的添加对Fe3B/Nd2Fe14B型纳米复合永磁体微观结构与磁性能的影响规律.结果表明,添加Nb元素可以稳定非晶相,阻碍Fe3B粒子的结晶动力学.Nd5.5Fe70.0Co5Cu0.5Nb0.5B18.5非晶合金在640℃退火处理30min可获得最佳磁性能:Br=1.05T,jHc=367kA/m,(BH)max=80.2kJ/m3.Nb与Cu的复合添加对Fe3B晶粒的细化效果更显著;Nb元素的添加可以提高合金的磁性能,但添加量必须适中.

Co／Cu纳米多层膜的制备及巨磁阻性能的研究187-189

摘要：采用恒电位双电解槽法在硼酸镀液体系中,以单晶Si(111)为基底电沉积制备Co/Cu多层膜,确定了双槽法制备多层膜的工艺条件,为得到优良的多层膜巨磁阻材料,镀液体系中加入了自制的添加剂.并用扫描电镜(SEM)表征了多层膜的断面形貌,小角度X射线衍射(LXRD)谱图中出现了2个衍射峰,大角度X射线衍射(MXRD)谱图中强衍射峰的两侧出现了卫星峰,表明多层膜具有超晶格结构.用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Cu多层膜的巨磁阻(GMR)性能,GMR值达到52.52%.

HDDR工艺条件及均匀化处理对Nd12．6Fe69．3Co11．6B6．0Al0．5合金磁性能的影响190-192

摘要：研究了HDDR工艺条件(包括HD温度、HD时间、DR温度、DR时间)对Nd12.6Fe69.3Co11.6B6.0Al0.5合金磁性能的影响;比较了均匀化处理和未均匀化处理的合金经HDDR工艺后磁性能的差异;通过对两种合金原始态的XRD谱线分析,找出存在差异的原因.

TbFe／Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的制备193-195

摘要：采用双靶磁控溅射法制备了TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜,考察了热处理时间、Fe层厚度、溅射功率以及Ar气分压对多层膜低场磁致伸缩性能的影响.研究结果表明:TbFe磁致伸缩层与软磁Fe层之间通过交换耦合作用以及热处理能明显提高薄膜的软磁性能和磁致伸缩性能;TbFe/Fe多层膜的磁致伸缩性能对热处理时间、Fe层厚度、溅射功率、Ar气分压等薄膜沉积参数十分敏感;与TbFe磁致伸缩薄膜相比TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜水平方向的矫顽力从16kA/m降低到9.6 kA/m.在外加磁场为8000 A/m条件下,TbFe/Fe磁致伸缩多层膜最大磁致伸缩系数可达1.58×10-4.

超小型Fe3O4／Au纳米复合微粒的制备与表征196-199

摘要：用反向微乳液法成功制备了超小型Fe3O4/Au磁性纳米复合微粒,并利用3-巯基丙酸将复合微粒直接从微乳液分离到有机溶剂中.用UV-Vis、VSM和TEM对产物进行了鉴定与表征,结果表明复合微粒分散良好,平均粒径为6.7nm,饱和磁化强度为9.7A·m2/kg.

CoNbZr非晶软磁薄膜晶化动力学研究200-202

摘要：采用DSC热分析技术,结合XRD、TEM和AFM实验,对磁控溅射制备的Co85.5Nb8.9Zr5.6非晶合金软磁薄膜进行了变温和等温晶化动力学的研究.研究结果表明:升温晶化时,薄膜的晶化的表观激活能为99.82kJ/mol;局域激活能随晶化度增加;在等温晶化过程中,平均激活能为88.51kJ/mol,Avrami指数1.17～1.39,晶化行为主要是一维表面晶化,晶核长大受扩散控制的过程.

热处理对STO铁电薄膜微结构的影响203-205

摘要：系统研究了CFA与RTA两种热处理方式以及热处理温度和时间对STO薄膜微结构的影响.STO薄膜采用脉冲激光沉积法(PLD)制备.采用原子力显微镜(AFM)和XRD分别对薄膜的表面形貌和晶粒结构进行分析.结果表明,在热处理温度650～800℃范围内,相对于CFA、STO薄膜经RTA热处理后,薄膜表面晶粒大小分布均匀、致密.两种热处理方法都使薄膜的晶粒直径随温度升高而增大,并且温度越高,薄膜的晶形越完整,同样热处理温度下,RTA与CFA相比薄膜的晶粒较小,两种热处理方法的最大晶粒尺寸都＜120nm.但XRD分析结果表明,在相同热处理温度下,CFA热处理的结晶转化率较RTA热处理要高.在一定范围内,RTA热处理时间对薄膜晶粒尺寸影响不大,热处理时间越长,晶粒更加完整,表面更加均匀平整,结晶转化率越高.

微量Zr对Cu—Ag合金再结晶的影响206-208

摘要：一种新型的高强高导兼顾的铜合金材料--Cu-Ag-Zr合金,采用真空熔炼的方法制备.利用硬度测试、金相和透射电镜分析等方法,研究了微量Zr对Cu-Ag合金再结晶的影响.结果表明,微量Zr的加入能抑制合金的再结晶过程,使Cu-Ag合金的再结晶软化温度提高200℃以上;同时还能显著细化合金的再结晶晶粒;Zr对合金性能的影响主要是通过使该合金中形成细小、弥散分布的析出相来实现的.

铜碲锂多元合金在3．5％NaCl溶液中腐蚀行为的研究209-210

摘要：研究了铜碲锂多元合金中碲对合金耐腐蚀性的影响.经过25℃在3.5%NaCl溶液中的全浸试验表明铜碲锂多元合金比纯铜具有更好的耐蚀性.利用扫描电镜观察腐蚀试样的表面形貌,发现表面不均匀的覆盖着一层多孔的腐蚀产物.经X射线衍射仪分析确定,该腐蚀产物为Cu2(OH)3Cl和Cu2O的混合物.

反重力电诱导自组装构造二维亚微米有序结构211-213

摘要：介绍了一种亚微米级聚苯乙烯微球悬浮液在外加电场下克服重力作用组装构造二维有序晶体结构的方法,研究了在自组装过程中电压-电流的变化关系,以及该方法组装得到的二维结构的紫外-可见光谱和微观结构.试验结果显示这是一种具有潜力的高效率制备大面积二维有序晶体结构的方法.

新型红外探测器材料Hg1-x-yCdxZnyTe研究214-216

摘要：采用移动加热器法(THM)进行了新型红外探测器材料Hg1-x-yCdxZnyTe(MCZT)的晶体生长,获得的MCZT晶片经汞源退火后进行了光学特性、结构特性、电学性能和组分均匀性的检测与分析,并且初步制作成近室温工作的长波光电导器件,对器件性能进行了测试与分析.结果表明用移动加热器法生长Hg1-x-yCdxZnyTe晶体是成功的,获得晶片的材料特性与器件性能初步达到了应用水平.

磷酸掺杂新型聚苯并咪唑的质子导电性能的研究217-220

摘要：采用溶液缩聚法合成得到了聚-2,6-苯并咪唑(PBI-mono)和聚-2,2′-辛撑-5,5′-二苯并咪唑(PBI-octa),红外光谱证实了其化学结构.热重分析结果表明,随着脂肪链的引入,PBI-octa的耐热性比结构相似但无脂肪链结构的聚苯并咪唑聚-2,2′-间苯基-5,5′-二苯并咪唑(PBI-ph)明显下降,而PBI-mono的耐热性与PBI-ph较为接近.主链结构中引入了脂肪链的PBI-octa溶解能力比PBI-mono和PBI-ph略高.对磷酸掺杂PBI-octa和PBI-mono的质子导电性研究表明,随着掺杂度的增大,二者的电导率均相应增大,PBI-octa的电导率略高于PBI-mono,在掺杂度较大时二者的电导率逐步趋于接近,主要取决于酸掺杂度.PBI-mono的电导率与温度的关系较为接近Arrhenius 关系,质子的输送主要依靠质子在磷酸根阴离子和咪唑环之间的跃迁实现,而PBI-octa则偏离了Arrhenius方程,质子的输送可能来自多种机理.