王占国:发展中国第三代半导体材料机遇大于挑战

作者:贺春禄; 王占国

摘要:2017年,中国GaN和SiC器件市场规模已达30.8亿元。作为第三代半导体材料中的代表,近年来GaN和SiC在5G通信技术、新能源汽车以及光电应用等推动之下,始终保持着市场的快速增长。

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收录:
  • 国家图书馆馆藏
  • 知网收录(中)
  • 上海图书馆馆藏
  • 万方收录(中)
  • 维普收录(中)
  • JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)
关键词:
  • 第三代半导体材料
  • 中国
  • 市场规模
  • 新能源汽车
  • ic器件
  • 5g通信
  • 光电应用
  • gan

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期刊名称:高科技与产业化

期刊级别:部级期刊

期刊人气:4632

杂志介绍:
主管单位:中国科学院
主办单位:中国高科技产业化研究会;中国科学院国家科学图书馆科技部高技术研究发展中心
出版地方:北京
快捷分类:农业
国际刊号:1006-222X
国内刊号:11-3556/N
邮发代号:82-741
创刊时间:1994
发行周期:月刊
期刊开本:B5
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