王国宏:在扬州实现LED衬底的市场蜕变
作者：申思
摘要：作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。然而,以氮化镓为衬底的LED(发光二极管)光的提取效率一直是半导体照明核心器件效率提升的重要技术瓶颈。
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关键词：
- led
- 衬底
- 第三代半导体材料
- 大功率电子器件
- 蜕变
- 市场
- 扬州
- 微波器件
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