新型碱性清洗液对CMP后残留SiO2颗粒的去除

作者:杨柳; 刘玉岭; 檀柏梅; 高宝红; 刘宜霖

摘要:随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化(CMP)后清洗在半导体工艺中显得尤为重要.本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表面活性剂.FA/OII型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节 pH 值,还能在 CMP 条件下与表面生成的 CuO 和 Cu(OH)x发生反应生成稳定可溶的络合物,同时使化学吸附在表面的 SiO2随着氧化物或氢氧化物的脱落而脱离表面;O-20 活性剂的表面张力较低,容易在晶圆表面铺展,将物理吸附在表面的颗粒托起,被清洗液带走.通过一系列对比试验得出,当清洗液中 FA/OII 型螯合剂的体积分数为 0.015%,表面活性剂的体积分数为 0.25%时,晶圆表面的颗粒数由抛光后的3200降到611,而且表面粗糙度较低,为1.06 nm,没有腐蚀现象.

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关键词:
  • cmp后清洗
  • 碱性清洗液
  • 表面粗糙度
  • 表面张力

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期刊名称:电子元件与材料

期刊级别:北大期刊

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杂志介绍:
主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
出版地方:四川
快捷分类:电子
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
邮发代号:62-36
创刊时间:1982
发行周期:月刊
期刊开本:A4
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