电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2017年第07期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

磷酸铁正极材料的研究进展1-8

摘要：从磷酸铁（FePO4）的晶体结构和充放电机理出发,综述了不同结构的磷酸铁的电化学性能差异,并对其充放电机理进行了分析。叙述了不同制备方法得到FePO4的电化学性能,并对制备方法的优缺点进行了对比。同时,论述了改性手段对FePO4电化学性能的影响,并对FePO4作为锂离子电池正极材料的未来发展方向作出了展望。

介电弹性体驱动器柔性电极技术发展动态9-16

摘要：对介电弹性体柔性电极相关研究进行了总结和分析。柔性电极是介电弹性体发电或驱动材料的重要组成部分,其性能直接影响介电弹性体发电机的发电效率以及驱动器的驱动性能。目前,对柔性电极的研究处于起步阶段。本文基于介电弹性体材料的不同用途,分析了碳基电极、碳纳米管电极等几种典型的柔性电极材料的性能、制备工艺及方法。并针对其应用条件的不同,分析了电极材料的应用领域。经过研究分析发现,柔性电极材料需要具备柔性大、导电性高这两点特性,但是目前柔性电极在柔性与导电性上不能兼具,存在贴合度不足、导电性差等问题,需要对柔性电极的材料以及制备工艺进行更加深入的研究。

Cu/Sn/Cu界面元素的扩散行为研究现状17-22

摘要：从老化过程的界面作用和Cu/Sn/Cu界面元素扩散行为等方面,综述了国内外研究动态与进展。随后,着重介绍了老化过程Sn基钎料和Cu基板的界面反应和柯肯达尔孔洞形成的影响因素,并且柯肯达尔孔洞的形成与界面组分元素的扩散直接相关。最后指出了Cu/Sn/Cu焊点扩散行为研究中存在的问题,提出采用实验与分子动力学模拟相结合的方法开展研究,为以后界面元素扩散的研究起到启发作用。

电子元件与材料杂志研究与试制

Sb含量对0.96（K0.5Na0.5）（Nb1-xSbx）O3-0.04Bi0.5Na0.5ZrO3无铅压电陶瓷结构与电性能的影响23-27

摘要：采用传统固相法制备了0.96（K0.5Na0.5）（Nb1–xSbx）O3-0.04Bi0.5Na 0.5Zr O3（0.96KNNSx-0.04BNZ,x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05）无铅压电陶瓷,系统研究了Sb含量对0.96KNNSx-0.04BNZ压电陶瓷晶相组成、显微结构及压电性能的影响规律。X射线衍射分析结果表明：0.96KNNSx-0.04BNZ陶瓷具有纯钙钛矿结构,随着Sb含量x的增加,陶瓷从正交-四方两相共存转变为四方相,x≤0.02时在正交-四方两相共存的多型相转变（Polymorphic Phase Transition,PPT）区域。在该PPT区域靠近四方相的边界x=0.02处,陶瓷具有优异的压电性能：压电常数d33=354 pC/N;平面机电耦合系数kp=43.6%;机械品质因数Qm=46;相对介电常数εr=2100;介电损耗tanδ=2.6%,居里温度tC=290℃。

B4C还原法制备ZrB2及其高温导电性研究28-33

摘要：简要对比了几种制备ZrB2的碳/硼热还原法,其中B4C还原法原料简单、成本低廉、产物杂质易除,更容易制备高纯ZrB2。在B4C还原法的基础上研究了不同反应摩尔比和不同合成温度对产物ZrB2纯度的影响。研究表明,当B4C与ZrO2反应摩尔比为0.77、合成温度为1700℃时,可获得几乎无ZrO2和B2O3杂质的高纯ZrB2。最后,研究了不同反应摩尔比对ZrB2的高温电导率的影响,结果表明,随Zr B2纯度的增高,其电导率总体呈增大的趋势。

水热工艺对BiAlCaZn玻璃粉形貌及烧结行为的影响34-38

摘要：系统分析了BiAlCaZn玻璃粉在水热工艺处理前后的形貌变化和对烧结行为的影响。用激光粒度分布仪分析试样粒径变化,用X射线衍射光谱仪（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）分析试样组成的晶态变化和价态变化,用扫描电子显微镜（SEM）探测试样烧结形貌变化。结果表明：水热过程使玻璃粉粒径增大,在玻璃粉表面生成水化保护膜抵挡水热侵蚀,水化后因硅醇基含量升高,玻璃烧结后表面致密化程度增大,为玻璃表面致密化提供了思路;原玻璃粉烧结有分相现象,而玻璃粉经水热后烧结,分相被分散嵌入于玻璃基体中而消失,这也为玻璃分相的抑制提供了一种新的方法。

氧化铜掺杂对电阻浆料性能的影响39-42

摘要：以氧化钌为电阻浆料原料,研究了不同粒度氧化铜掺杂对电阻浆料性能的影响。分别以两种不同粒度分布的氧化铜对电阻浆料进行掺杂,研究了掺杂前后电阻浆料印刷膜层电性能的影响。结果表明掺杂氧化铜能够使电阻浆料的方阻值大幅度降低,同时使电阻温度系数向正方向变化,不同粒度分布的氧化铜对电阻浆料电性能影响的趋势相同,但超细纳米级氧化铜对电阻浆料电性能的影响更为显著,能够更有效地调节电阻浆料的方阻及电阻温度系数等参数。

简单温和的置换途径制备锂离子电池纳米硅负极材料43-47

摘要：硅被认为是一种很有前景的锂离子电池负极材料,因为它理论比容量高达3580 mAh/g（Li3.75Si,室温下形成）。分别以四氯化硅和锌粉作为硅源与还原剂,通过简单有效的置换反应在500℃的条件下制备出了纳米级硅,该方法制备工艺简单,并且原料成本低廉。所得到的纳米级硅颗粒为150-200 nm的球状,并对其进行电化学性能测试,该材料在0.2 A/g的电流密度下首次脱锂比容量能够达到1 747.7 mAh/g。然后以蔗糖为碳源通过高温热解法合成了硅碳复合材料,其50次循环后的脱锂容量保持率为82%。

超级电容器用季铵盐凝胶聚合物电解质的制备及性能48-51

摘要：采用溶液浇注法,以聚丙烯腈（PAN）为聚合物基体,四乙基四氟硼酸铵（TEABF4）为电解质盐,二甲基亚砜（DMSO）为增塑剂制备PAN/TEABF4凝胶聚合物电解质。采用红外光谱（FT-IR）、热重分析（TG-DTG）以及电导率、循环伏安和恒流充放电等电化学性能测试方法,探究不同的TEABF4与PAN质量配比对PAN/TEABF4凝胶聚合物电解质性能的影响。当TEABF4与PAN质量比为0.5时所制得凝胶聚合物电解质性能最佳：电导率为5.583×10^-3S/cm、比电容为27.59 F/g、充放电效率为86.63%、能量密度为100.58 J/g、功率密度为0.675×10^3 W/kg。

电容器用金属化聚丙烯薄膜制造工艺改进研究52-55

摘要：随着金属化薄膜电容器不断向小体积、高可靠、高性能方向发展,所需金属化薄膜的性能质量也随之提高。介绍了电容器用双向拉伸聚丙烯薄膜的加工成型方法和电容薄膜真空蒸镀工艺技术。通过调整金属化镀层结构、蒸发抗氧化油保护层及薄膜表面特殊处理这三种蒸镀工艺处理方法,可改善电容器在高温、高湿测试条件下金属层的腐蚀。采用锌加厚高方阻铝膜的蒸镀方式,能适应直流支撑电容器高耐压、高纹波电流的要求。

制备条件对Bi2Te3薄膜导电性能的影响56-61

摘要：通过物理气相沉积法在石英基底上于不同制备条件下制备出五种Bi2Te3薄膜,并且利用扫描电子显微镜和XRD对各薄膜样品进行表征,最后运用四探针测试法测试样品导电性能。结果表明：制备温度和沉积时间对Bi2Te3薄膜的表面形貌和样品膜的导电性能影响很大;制备温度越高、沉积时间越长,所制薄膜的均匀度及致密度越高、导电性越好。

微型屏蔽线圈式的磁电效应测试方法研究62-65

摘要：磁电效应是施加磁场产生电极化的物理效应,动态法测量磁电转换系数,是测量磁电材料的磁电效应的一类主要方法。本文尝试设计了一种屏蔽线圈式的微型磁电测试方法,改变了以往的电磁屏蔽方式,从屏蔽样品改为屏蔽线圈,并采用单线圈的设计,从而扩大了样品空间,提供一种可以微型化,便于嵌入低温系统的动态法磁电效应测试方法。

宽带频率综合器设计中杂散问题研究66-70

摘要：频率综合组件的杂散指标影响着整个系统的工作性能。详细介绍一款工作跨X-K波段,带宽9 GHz的频率综合器设计过程中的杂波抑制的解决措施。该款宽带频率综合器的设计包含了锁相、倍频、混频等频综设计主要常用技术,频带拓展主要采用开关滤波器组来实现。方案中电路设计比较复杂,外加控制电路的数字信号干扰,杂散指标一直是调试过程中的瓶颈问题。该频综的杂散主要包含本振泄漏、高次谐波、交调信号以及数字电路的干扰等。通过实验分析,找到杂散的来源,给出解决方法。该频综的设计杂波抑制要求–60 dBc,通过反复调试程序及电路,实现了系统指标要求,9 GHz工作带宽内杂散抑制达到–65 dBc。

基于LTCC工艺的小型化可调频带通滤波器的设计71-74

摘要：设计了一款基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术的小型化带通滤波器。采用两谐振器之间的耦合效应,减小了器件的尺寸。在HFSS中建立滤波器模型并仿真,滤波器的中心频率为1.07 GHz,带宽为428 MHz,回波损耗大于22 dB,2 f0处抑制大于45 dB,整体尺寸仅为6.5 mm×4 mm×0.9 mm。在此滤波器上模拟表贴变容二极管来调节两个谐振器中的电容实现中心频率可调。结果表明,滤波器的中心频率在1.05-1.23 GHz内连续变化,在中心频率变化过程中插损始终小于1 dB,回波损耗始终大于15 dB,2f0处抑制大于45 dB。

基于频率变换的压电俘能器接口电路设计75-79

摘要：设计了一种可以减小匹配电感的双同步开关电感电路。建立了仿真模型,仿真结果表明该电路的能量采集的功率最大可达1.9 mW。与一般同步电荷提取电路相比,该电路可以使整体电路体积减小了2/3。将此电路应用于不同形状的压电片的振动能量俘获,发现振动频率和压电片的形状对该电路收集到的能量都有影响,当振动频率为40 Hz时,在矩形压电片上收集到的能量最多。

E类功率放大器研究与应用80-84

摘要：分析了E类功率放大器的工作原理,并基于此设计出一种高效高频E类功放,作为无线电能传输系统中发射级的前端驱动电路。运用LTspice仿真软件,对其基本原理电路进行实验分析。为进一步提升输出功率和传输效率,电路还加入了阻抗匹配。仿真结果表明,此电路可实现在6.78 MHz下以85%左右的高效率进行10-30W的功率传输,整体电路结构简单,有实用价值。

电子元件与材料杂志可靠性

热载荷下金属间化合物厚度对焊点可靠性的影响85-88

摘要：研究了在热循环载荷条件下,不同厚度的金属间化合物IMC（Intermetallic Compound）层对焊点可靠性的影响。采用Anand本构模型描述无铅焊点在热载荷条件下的粘塑性力学行为,运用有限元模拟电子封装器件在热载荷循环下的应力应变的变化规律,确定关键焊点的位置,得到关键焊点的关键点的应力、应变与时间关系的曲线,分析IMC层厚度与寿命关系曲线,并确定其函数关系。研究表明：在热载荷条件下IMC层厚度越大,其焊点的可靠性越低,寿命越短。在IMC层厚度为8.5μm时,IMC厚度对焊点寿命的影响率出现明显的变化,影响率由–32.8突然增加到–404,当IMC厚度为14.5μm时,焊点的寿命值出现了跳跃。

基于片式固体钽电容器标准变更的质量风险管理89-92

摘要：片式固体钽电容器新版国军标GJB2283A—2014《片式固体电解质钽固定电容器通用规范》相对于GJB2283—1995《有可靠性指标的片式固体电解质钽电容器总规范》,在增加宇航级质量等级（T级）及其相关要求的同时,还给出修改再流焊条件和浪涌电流条件的试验方法及要求,这对片式固体钽电容器研制过程的质量风险管理提出了新的要求与挑战。通过分析片式固体钽电容器标准变更的重点项目,研究制定质量风险检查表,为研制单位的质量风险管理提供指导和借鉴。