P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制
作者：张晓帆; 徐守利; 郎秀兰; 李晓东
摘要：基于自主开发的LDMOS工艺平台，研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件，并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50V，在工作脉宽1ms、占空比10%的工作条件下，在380~480MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200W，功率增益大于18dB，漏极效率大于50%，抗驻波能力大于5:1，表现出了良好的RF性能，实现了国产P波段LDMOS器件1200W的突破。
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关键词：
- p波段
- 脉冲功率
- ldmosfet
- 巴伦
- 推挽
- 内匹配
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