电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2017年第02期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

多层陶瓷电容器用镍内电极浆料的现状与展望1-5

摘要：多层陶瓷电容器（MLCC）是片式元器件中广泛使用的一类。集中介绍了MLCC用Ni内电极浆料的发展现状，对旨在针对其进行改良的大量研究进行了总结，重点介绍了Ni内电极浆料制备的关键技术，包括高分散性高纯镍粉的制备、有一定抗氧化能力的Ni浆及抗还原瓷料、镍内电极与介质层的烧成收缩控制及有机树脂体系的选配等，并对其进一步发展做出展望。

电子元件与材料杂志研究与试制

钙钛矿锰氧化物Ca_（0.5）Nd_（0.5）（Mn_（0.7）Fe_（0.3））O_3掺杂对Ca_（0.61）Nd_（0.26）TiO_3微波介电性能的影响6-9

摘要：研究了传统固相反应法制备所得xCa_（0.5）Nd_（0.5）（Mn_（0.7）Fe_（0.3））O_3-（1–x）Ca_（0.61）Nd_（0.26）TiO_3（0.1≤x≤0.25,CNMFT_x）多晶陶瓷相组成、显微结构、烧结性能与微波介电性能之间的影响关系。X射线衍射研究表明,在研究组分范围内CNMFT_x样品均为单一正交钙钛矿结构;当烧结条件为1 400℃/4 h,x=0.1~0.2时,Fe~（3＋）/Mn~（3＋,4＋）替代Ca_（0.61）Nd_（0.26）TiO_3中Ti~（4＋）后,相对介电常数（εr为88.5~77.5）、品质因子（Q·f为7 010~9 370 GHz）和谐振频率温度系数（τf为207.4×10~（–6）/℃~149.1×10~（–6）/℃）逐渐降低,而当x=0.25时,εr（73.4）与τf值（119.6×10~（–6）/℃）仍按规律降低,虽然此时样品晶粒尺寸更为均匀,但Q·f值（5 100 GHz）降幅增加。因此,对于ABO3型钙钛矿结构的微波介质陶瓷,当具有铁磁效应离子的添加量较小时,微波介电性能的变化符合预期规律;但当置换量达到一定比例时,铁磁性增加,导电性增强,巨磁电阻效应减小,致使微波陶瓷介电损耗增加。

氧化钌／碳纳米管／石墨烯复合电极材料的制备和电化学性能10-13

摘要：用水热反应法分别合成了氧化钌（Ru O_2）、多壁碳纳米管（MWCNT）、还原氧化石墨烯（r GO）的二元及三元复合材料,再以此类复合材料制作了电极。采用循环伏安、交流阻抗、恒电流充放电等方法研究了其电化学性能,用扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行了表征。结果表明：三元复合材料能明显提高电极的比容量（562 F/g）和导电性,高于二元复合材料比容量。其中采用层层组装工艺制备的复合电极,比容量达到906 F/g,内阻0.298？。

1-3型高介电聚合物基复合材料的制备与性能14-18

摘要：将高介电常数的陶瓷作为填料加入聚合物中,是提高聚合物介电常数的主要途径之一。为了降低陶瓷添加量,用静电纺丝法制了Pb_（0.98）La_（0.02）（Zr_（0.95）Ti_（0.05））O_3（PLZT）一维纳米纤维,并对其进行多巴胺表面改性,添加到高介电常数的聚偏氟乙烯（PVDF）基体中,形成1-3型复合材料（Dopa@PLZTs-PVDF）。SEM结果显示复合材料内部较均匀,无明显孔洞。该体系在较低填料含量（体积分数8.6%）时相对介电常数可达14,比PVDF基体（8.5）提高65%,同时介电损耗略微降低,有助于保持柔性和降低成本。该体系的击穿场强下降较快,体积分数1.7%样品的储能密度最大（0.4 J/cm~3）,比PVDF基体（0.34 J/cm~3）提高了10%。

以预锂化钛酸锂为负极的混合型超级电容器的性能研究19-24

摘要：通过对钛酸锂（LTO）负极进行电化学预锂化能够解决活性炭/钛酸锂（AC/LTO）混合型超级电容器在1.5~2.0 V电位区间的“跳水”现象（有电压没容量）。软包装AC/LTO超级电容器件的恒流充放电和循环伏安测试结果表明;当AC与LTO质量比为2：1,负极预锂化程度为5%~30%（按LTO实际容量150 m Ah/g计）时,超级电容器在1.5~2.0 V低电位区间的容量显著提高。尤其当预锂化程度为20%时,器件在1.5~2.8 V全电压窗口呈现良好的线性充放电行为,同未预锂化的单体相比,比能量提高20%以上,100C电流下能量保有率为5C时的63%,表现出优异的倍率性能。但过度预锂化会导致负极容量不足,对器件性能造成不良影响。

成型工艺对超级电容器活性炭电极性能的影响25-28

摘要：采用干法和湿法两种成型工艺制备了超级电容器用活性炭电极，考察了成型工艺对电极性能的影响。结果表明：干法电极碳颗粒之间接触更为紧密，干法电极密度达0．65g/cm3，相对于湿法电极提高了10％；干法电极在容量、内阻、循环性能上都优于湿法电极；干法成型工艺不使用任何溶剂，绿色环保、节省成本，是一种具有重要研究意义和商业应用价值的电极成型工艺。

硼酸镧玻璃的结构和热学性能研究29-33

摘要：通过高温熔融法制备了La_2O_3-B_2O_3-Zn O（简称LBZ）系微晶玻璃,利用差热分析（DSC）、红外光谱（IR）和X射线衍射（XRD）等测试手段,研究了LBZ微晶玻璃的玻璃形成区域、原子的配位状态和相组成。同时探讨了组分含量与微晶玻璃的热学性能、析晶性能之间的关系。结果表明：LBZ的玻璃形成区间（摩尔分数）La_2O_3为0~24.4%、B_2O_3为34%~78%、Zn O为0~63%;LBZ微晶玻璃的网络结构主要由[BO_3]和[BO_4]组成,La~（3＋）作为网络修饰体存在于网络间隙中,Zn_2＋作为中间体以[Zn O4]的形式处于网络结构之中或以[Zn O6]形式处于玻璃结构之外;LBZ玻璃经高温热处理后的主要晶相为La（BO_2）3和La BO_3;玻璃化转变温度随着La_2O_3和B_2O_3含量的增加而增加、随着Zn含量的增加而降低;La系玻璃的析晶激活能介于337~397 k J/mol,且随着La_2O_3含量的增加而增大。

铝掺杂对铜铟铝硒粉末微结构及光吸收影响的研究34-39

摘要：铜铟铝硒（Cu（In_（1–x）Al_x）Se_2,CIAS）因其成本比铜铟镓硒低而成为目前备受关注的一种太阳电池材料。本文采用溶剂热法制备出含有不同铝掺入量的CIAS四元化合物粉末。利用XRD、SEM、XPS和紫外-可见光光吸收谱系统研究铝掺入对铜铟铝硒化合物的微观结构及光吸收的影响。研究表明铝掺杂对铜铟铝硒的微观结构有着显著影响,适当的铝掺入有利于铜铟铝硒晶体生长,当铝掺入比例x为0.4时,晶体在（112）晶面择优生长最为明显,并且随铝掺入量的增加可导致其禁带宽度增加,这有利于太阳电池优化设计。

3D表面碳纳米管薄膜的生长及其强流脉冲发射的增强40-44

摘要：本文采用气相化学沉积（CVD）法在具有镍层的三维硅基底上制备了碳纳米管薄膜（3D-CNTs）,硅基底表面的三维微结构采用湿法刻蚀法制作,镍层采用化学镀的方法制备,碳纳米管生长均匀,列阵整齐,并垂直于基底表面。为了研究碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性,在相同的主Marx电压下采用二极结构（相同的二极管电压放电条件下）对碳纳米管薄膜进行重复脉冲发射实验。结果发现,在相同的脉冲电压下,3D-CNTs薄膜冷阴极相对平面基底上制备的碳纳米管薄膜（P-CNTs）冷阴极不仅有较高的强流脉冲发射电流和电流密度,还具有更好的强流脉冲发射稳定性。

碱活化石墨烯对磷酸铁锂电化学性能的影响45-49

摘要：采用KOH活化石墨烯,通过固相法制备了磷酸铁锂/碱活化石墨烯（LFP/CA-G）复合材料,通过SEM、Raman、XRD和电化学测试对复合材料的结构和性能进行表征,结果表明：通过固相法制备的LFP/CA-G复合材料稳定性较好,在1C倍率下循环50次的容量保持率为100%;LFP/CA-G复合材料的0.2C首次放电比容量为158.8m Ah/g,较磷酸铁锂/石墨烯（LFP/G）提高了3.1 m Ah/g;其3C倍率的放电比容量为139 m Ah/g,较LFP/G提高了7 m Ah/g。LFP/CA-G复合材料具有更好的可逆性,其阻抗更小。这是因为碱活化的石墨烯具有丰富的微孔,有利于缩短锂离子的迁移路径,减小了极化。

大功率介质腔滤波器设计50-53

摘要：针对腔体滤波器在低气压环境下容易发生功率击穿的难题,提出了一种高Q值介质腔滤波器的设计方法,可以有效地提高滤波器低气压功率放电的阈值,按照此方法,设计了一款TM模介质腔滤波器,使用CST、Ansoft Designer软件进行仿真和优化,使用矢量网络分析仪对制作的产品进行了性能测试,测试曲线和仿真曲线完全吻合,此滤波器能够在低气压（13~101 000 Pa）环境中通过20 W的功率信号,且滤波器Q值高,体积小。

基于加载谐振器的陷波超宽带滤波器的设计54-58

摘要：采用加载谐振器结构,设计了一款在8 GHz处具有陷波特性的超宽带滤波器,有效地避免了X波段卫星通信系统（7.9~8.395 GHz）的连续波对超宽带通信系统的干扰。在三模谐振器的基础上加载中心加载谐振器,通过调整加载谐振器的参数对陷波频率进行调控,使得滤波器在超宽带范围内产生陷波。利用HFSS进行仿真后结果表明,该超宽带滤波器的通带在2.5~10.3 GHz,通带范围内插入损耗在0.9 d B左右,带外衰减十分陡峭。其陷波中心频率发生在8.19 GHz,在陷波频段（7.98~8.40 GHz）范围内最小插入损耗低于–7 d B,具有良好的抑制水平,整体性能表现优良。实际测试结果与仿真结果基本一致,性能指标能够达到设计要求。

高功率π型阵列结构设计与研究59-64

摘要：针对ROF基站需要高功率、大带宽的光电探测器的问题,在原有π型结构中使用光电探测器代替级联的电容实现更大的功率合成。同时提出新型π阵列结构,即将两个光电探测器级联之后再将两个级联的光电探测器并联构成并型结构,将该并型结构单元和一个光电探测器级联与电感连接构成一个π型结构单元,将n个π型结构单元级联构成π型阵列结构,π型阵列结构中间部分有两条支路并联总电容增加,在n元阵列结构两端通过去掉级联电容以使阵列结构每条支路结电容相等同时减少功率损耗。n元π型阵列结构输出功率高于同种类型T型阵列结构。

紫外光固化银包铜粉导电胶的制备及研究65-68

摘要：以银包铜粉和环氧丙烯酸树脂为原料制备导电胶浆料,采用丝网印刷将浆料涂覆到载玻片上,置于紫外光下固化获得导电涂层。利用SEM和四探针电阻测试仪对固化后导电胶的微观结构和电学性能进行表征。结果表明：当银包铜粉质量分数为70%,导电胶固化完全,制得的导电胶电阻率最低为1.135×10~（–3）Ω·cm,涂层厚度为140μm。

电子封装中Cu／Cu3Sn／Cu焊点的制备工艺及组织演变69-76

摘要：采用电镀的方法在Cu基板沉积4μm厚Sn层作为钎料,在不同参数下对双钎料Cu/Sn＋Sn/Cu三明治结构进行钎焊连接,得到可形成全Cu_3Sn焊点的最优工艺参数组合为：Ar气保护下300℃,3 h,1 N。然后研究了全Cu3Sn焊点形成过程中不同金属间化合物（Cu_6Sn_5和Cu_3Sn）的生长形貌和界面反应机理。结果表明,钎焊10 min后在Cu-Sn界面形成了扇贝状的Cu_6Sn_5,并且在Cu基板与Cu_6Sn_5之间有一层很薄的Cu_3Sn出现,Cu/Cu_3Sn和Cu3Sn/Cu_6Sn_5界面较为平整。随着时间延长,上下两层Cu6Sn5相互接触并融为一体,直至液态Sn完全被消耗,而Cu_3Sn通过消耗Cu_6Sn_5而快速增长,直到界面区全部形成Cu_3Sn。

电子元件与材料杂志可靠性

航天大尺寸CQFP器件管脚断裂失效分析77-81

摘要：以某航天产品振动实验后大尺寸CQFP（Ceramic Quad Flatpackage）器件的管脚断裂为例,采用有限元方法分析了引起器件管脚断裂失效的主要原因。结果表明,大尺寸CQFP器件仅仅依靠自身管脚的支撑及简单的力学加固是不能满足宇航级别的振动条件的,在z向的随机振动过程中,器件角边缘的管脚承受超负荷的应力,极易发生管脚断裂失效,因此需要进行全面加固。

高热导率纳米银胶的可靠性研究82-84

摘要：对无压力低温固化纳米银胶的连接强度、导热性和导电性及其可靠性进行了研究,并与Au80Sn20焊料及普通导电胶进行对比。结果表明：纳米银胶连接强度高,平均剪切强度可达28 MPa;导热性能优异,连接层热阻接近Au80Sn20焊料层热阻;在严酷的热应力和机械应力试验后,其连接强度、导热性和导电性保持稳定,没有退化现象产生。因此,无压力低温固化的纳米银胶作为高功率器件连接材料具备较高的可靠性。