电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2016年第10期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

微波段可调控超材料技术研究进展及其应用现状1-5

摘要：可调控超材料通过对单元结构和基体参数的调节实现对电磁场的实时调制,在吸波材料、微波器件、新型天线等领域具有广阔的应用前景。本文从电路研究的观点对超材料可调控的原理进行了解释,并综述了超材料实现可调控的手段及其研究进展,介绍了超材料可调控技术的应用情况,最后探讨了可调控超材料技术存在的问题及发展趋势。

氧化钨基室温气敏传感器的研究进展6-11

摘要：氧化钨（WO3）基半导体气体传感器对NO2等气体具有较好的气敏特性。为了将传感器工作温度降低至室温,研究者们尝试了各种方法,如合成新型纳米材料、紫外光和可见光照射等。主要介绍了近年来WO3基气敏材料在室温条件下其气敏性能的最新研究进展,展现了近年来WO3基室温气体传感器的最新研究成果。并提出通过合成具有p-n异质结构的材料、开发新型纳米结构、增加材料中氧空位浓度以减小材料带隙宽度有可能是WO3室温气体传感器下一下阶段的研究重点。

电子元件与材料杂志研究与试制

锶铁氧体纳米粉体的制备及相关性能的研究12-15

摘要：为了获得磁学性能优异的锶铁氧体纳米粉体,采用“连续有序可控爆发性成核”纳米粉体制备技术,以Fe Cl3、Sr Cl2、NH4HCO3、NH3·H2O为原料,制备了M型锶铁氧体纳米粉体材料,并对粉体的晶体形貌和结构进行了观测,给出了粉体粒径与焙烧温度的关系,对粉体进行了XRD分析,表明经过950℃焙烧1 h形成完好的磁铅石型铁氧体结构。随焙烧温度的升高,粒径快速变大。将粉体材料制成同性磁件,通过对磁性能的检测可以看出锶适当过量有利于磁性能的提高,锶铁氧体配方中Fe2O3与Sr O的最佳摩尔比为5.7：1。

Li_2CO_3掺杂对SnO_2基导电陶瓷结构及性能的影响16-19

摘要：采用固相法制备了SnO_2导电陶瓷,研究了Li_2CO_3掺杂量对SnO_2导电陶瓷的导电性能和体积密度以及微观结构的影响。结果表明：Li_2CO_3的掺杂不改变SnO_2导电陶瓷的晶体结构,在一定的掺杂范围内有利于晶体的生长。随着Li_2CO_3掺杂量的增加,SnO_2导电陶瓷的电阻率先降低,然后升高;体积密度先增加然后减小。当烧结温度为1 350℃,Li_2CO_3掺杂量为质量分数0.7%时,SnO_2导电陶瓷的综合性能较好,体积密度为5.027 g/cm3,电阻率为5.638×10–3Ω·cm。

Gd掺杂对CaCu_3Ti_4O_（12）陶瓷材料压敏性能的影响20-24

摘要：采用固相法制备了Ca_（1-x）Gdx_Cu_3Ti_4O_（12）（x=0～0.09）陶瓷系列样品,利用X射线衍射、Raman光谱和正电子湮没等技术手段,对系列样品的微观结构、缺陷浓度进行测试和表征。结果表明,在整个掺杂范围内体系未发生结构相变,掺杂引起体系晶格膨胀、分子极化率增加;随Gd掺杂量x的增加,空位型缺陷增加。电性能测试结果表明,适量Gd掺杂（x=0.01）有利于改善体系的压敏性能,而过量Gd掺杂（x=0.07～0.09）会阻碍晶界势垒的形成,因而抑制体系的压敏性能。讨论了体系微观结构、空位型缺陷浓度及晶界势垒高度等因素对体系压敏性能的影响特征。

通过流延法制备铁粉基吸波电磁膜及其吸波性能研究25-29

摘要：采用流延工艺制备含不同形貌铁粉吸收剂的吸波电磁膜,研究了所制电磁膜的吸波性能。结果表明：电磁膜吸波性能受到作为吸收剂的铁粉相貌的影响。采用片状铁粉吸收剂试样在2～18 GHz频率范围内实现微波反射率基本达到–5 d B,采用球状铁粉吸收剂试样在5～18 GHz频率范围内实现微波反射率基本达到–5 d B,吸收峰值均大于–20 d B。

复合助剂高能球磨对羰基铁粉低频吸波性能的影响30-33

摘要：采用单一助剂硅烷偶联剂KH-560、表面活性剂硬脂酸钙和复合助剂（KH-560＋硬脂酸钙）分别通过高能球磨制备片状羰基铁粉吸波材料的样品,系统地分析研究样品的微观形貌、物相、电磁参数,并通过电磁场传输线理论模拟计算吸波涂层反射损耗。结果表明：与单一助剂样品相比,复合助剂样品团聚现象明显减少,形成了平整、光滑的片状结构;模拟计算在2 mm厚度下,反射损耗小于–10 d B,复合助剂样品带宽达到1 GHz（1.4～2.4 GHz）,且在2 GHz处的反射损耗峰值也达到–15 d B,均优于单一助剂样品。复合助剂的使用可以增强偶联剂和表面活性剂在片状羰基铁粉颗粒的表面包覆效果,达到更好的介电调控目的,提高低频吸波性能。

Cr掺杂纤锌矿GaN的磁性和光学性质34-38

摘要：采用自旋极化密度泛函理论方法,对Cr掺杂纤锌矿Ga N的能带结构和态密度进行计算,通过计算的能带结构和光学线性响应函数,系统讨论了Cr掺杂对纤锌矿Ga N电子结构、磁学和光学属性的影响。计算结果显示：Cr掺杂纤锌矿Ga N的反铁磁态具有半金属特征,铁磁态具有金属特性和磁性,磁矩主要源于费米能级附近的Cr 3d和N 2p能带发生劈裂导致自旋向上和自旋向下的电子的态密度不同所致。光学性质计算结果显示,Cr掺杂纤锌矿Ga N的费米能级附近出现极大的介电峰,具有优异的发光性能,峰值对应于紫外波段,在高能区吸收峰发生了红移现象,在低能区红外波吸收增强。理论计算表明,Cr掺杂纤锌矿Ga N可能是一种性能优异的磁光材料。

体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响39-44

摘要：采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明：晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗I-V特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗I-V特性曲线的性质发生明显变化。

毛刷电接触对的接触电阻研究45-48

摘要：基于R.holm电接触理论建立了毛刷电接触对的接触电阻模型。采用有限元仿真确定了毛刷电接触对在插拔过程中只有弹性变形,并得到了接触电阻模型中的M值为1/2,进行了毛刷电接触对不同插拔深度上的接触电阻试验,通过试验数据拟合确定了毛刷电接触接触电阻模型中的K值为248。进行了毛刷、麻花针、线簧孔接触对在不同插拔深度的接触电阻对比试验,得到了毛刷电接触插拔深度的最优范围为2~2.2 mm,进行了毛刷电接触在2~2.2mm插拔深度时接触电阻寿命试验,基于接触电阻寿命曲线提出了预插拔工艺以提高接触电阻及插拔力的稳定性。毛刷电接触接触电阻研究为毛刷电接触的扩展设计、制造提供了参考。

折叠L形空气介质微带天线设计49-52

摘要：针对传统微带天线体积较大、损耗高的问题,设计了一款工作于UHF频段的天线。首先,采用空气介质微带天线形式有效地降低损耗,同时利用折叠方法使得天线小型化,实现了较低的剖面,仅为0.03λ0;其次,利用L形馈电结构进一步增加了天线带宽,相对带宽达到34.4%;最后,利用四馈馈电网络使天线实现圆极化。天线尺寸为124mm×124 mm×15 mm,中心频点为626 MHz,该频点处增益为5.2 dB。

直线型交叉耦合介质窄带滤波器的设计与制作53-57

摘要：为了减小滤波器的体积和提高阻带衰减,研究了直线型交叉耦合介质窄带滤波器。介质滤波器由三个TE_（01δ）介质谐振器和两根倾斜45°或135°的金属杆组成,中间谐振器与两端谐振器互相垂直,金属杆位于相邻谐振器之间。分析了两根平行金属杆和正交金属杆产生传输零点的工作原理,并用传输路途相位差的方法来判断零点产生的位置。用HFSS仿真软件详细讨论了谐振频率、耦合系数和外部Qe值与滤波器结构参数的关系,优化了滤波器的结构参数。采用相对介电常数为45的介质陶瓷制作了两个三级介质滤波器,滤波器的中心频率分别为3.76 GHz和3.74 GHz,3 d B带宽分别为50 MHz和64 MHz,插入衰耗分别为0.77 d B和0.51 d B,传输零点分别位于低端和高端,偏离中心频率大约100 MHz,其衰减大于63 d B,测试的各项性能均达到了设计要求。

螺旋地板式电磁带隙结构的传输特性分析58-62

摘要：为了实现电磁带隙结构（Electromagnetic Band Gap,EBG）的小型化,提出了一种螺旋地板式电磁带隙结构,即通过在接地金属板上加载螺旋结构的方法来减小谐振频率,实现EBG单元结构的小型化,并用HFSS软件建立结构仿真模型,分析了螺旋线单元长度变化对电磁带隙特性的影响规律。结果表明增加螺旋线单元长度可以使频率带隙向低频方向移动。最后,将地平面加载与未加载螺旋结构的两种EBG进行仿真分析。结果表明,螺旋地板式EBG能够抑制更低频段的电磁波,达到了EBG单元结构小型化的目的。

金粉形貌对金导体浆料印刷膜层性能的影响63-66

摘要：以氯金酸为原料,研究了抗坏血酸、亚硫酸钠、草酸三种不同的还原剂对金粉形貌的影响。分别以三种金粉为导电填充料配制了适合于丝网印刷的金导体浆料,研究了金粉形貌对浆料印刷膜层性能的影响。结果表明：以明胶为分散剂、草酸为还原剂制备出的金粉所配制浆料的粘度、触变性更适合于丝网印刷工艺,其印刷膜层平整、无缺陷,烧成后膜层附着力和方阻优于抗坏血酸和亚硫酸钠作为还原剂所制备出的金粉。

液态时效对Sn-0.7Cu焊点界面形貌及力学性能的影响67-71

摘要：对不同温度下Sn-0.7Cu/Cu界面金属间化合物的生长进行了研究并对其拉伸性能进行了测试,计算了液态下Sn-0.7Cu/Cu界面IMC的扩散系数。研究结果表明,液态时效的过程中,界面Cu_6Sn_5晶粒尺寸逐渐增大,界面晶粒变得致密,Cu_6Sn_5晶粒表面产生新的凸起,并逐渐沿高度方向生长。液态时效下,界面IMC的生长受到扩散机制控制,其扩散系数高出固态时效2个数量级。随着时效时间的增加,焊点的抗拉强度先下降后趋于稳定,断裂方式由韧性断裂向解理断裂转变。

电子元件与材料杂志可靠性

三维铝封装结构设计及互连可靠性研究72-77

摘要：针对三维封装热应力失配引发的互连可靠性问题,提出了基于铝基板侧边互连的三维封装方法。应用ANSYS软件建立了COB（Chip on Board,板上芯片）堆叠灌封模型,分析了单层COB及多层COB的应力分布并进行优化,并通过实验进行验证。结果表明,在COB层间增设围坝结构可有效抑制翘曲,经过25~125℃温循,加设围坝的四层COB灌封结构最大变形量为0.081 mm,最大等效应力为175 MPa,低于硅芯片的断裂强度,层间无开裂,经温循实验后固存读写功能正常。

电子元件与材料杂志编读通信

《电子元件与材料》投稿须知78-78

摘要：《电子元件与材料》是中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂共同主办的中国科技核心期刊，国内外公开发行。本刊报道国、内外有关电子陶瓷及器件、新型阻容元件、敏感元件与传感器、混合微电子及组装技术、磁性材料及器件、薄膜技术、电子封装及相关电子元件和材料等领域，在科研、生产及应用开发方面的最新科研成果论文、技术简报和专题综述。