微量La取代对（Ba0.9Ca0.1）（Ti0.8Zr0.2）O3陶瓷介电性能的影响
摘要：采用传统固相法制备了（Ba_（0.9）Ca_（0.1））_（1–x）La_x（Ti_（0.8）Zr_（0.2））O_3（0≤x≤0.005）系列无铅陶瓷,并研究了微量La取代对锆钛酸钡钙陶瓷微观结构及介电性能的影响。X射线衍射和扫描电镜结果表明,La^3＋进入锆钛酸钡钙晶格中形成均一的固溶体,并能有效抑制陶瓷颗粒的增长。介电性能测试结果显示,随着La^3＋含量的增加,居里温度降低,室温介电常数先增大后减小,介电损耗则相反的趋势,取代后的样品介电频率稳定性增强。样品（Ba_（0.9）Ca_（0.1））_（0.997）La_（0.003）（Ti_（0.8）Zr_（0.2））O_3的综合介电性能最佳,在频率为1 k Hz时,室温介电常数可达18 592,而相应的介电损耗仅为0.013,居里温度为281 K。单层陶瓷介质基片烧结技术研究
摘要：单层片式瓷介电容器产业化对制备该系列产品所需的陶瓷介质基片提出了很高的质量要求,要求陶瓷介质基片（长度×宽度×厚度=（25~50）mm×（25~50）mm×（0.1~0.3）mm）厚度均匀（五点测试,偏差≤0.01 mm）、表面平整（翘曲度≤0.05 mm/25 mm）、表面光洁、无凹坑和无杂质等缺陷。通过采用＂垫片负重＂、＂生坯垒烧＂和＂生坯垒烧＋垫片负重＂烧结方式进行陶瓷介质基片的烧结试验,然后对不同烧结方式制备的介质基片表面质量进行分析和评价。结果表明：采用＂生片垒烧＋垫片负重＂烧结方式制备出尺寸为40 mm×40 mm×0.25 mm的介质基片,其厚度均匀（最大偏差为0.003 mm）、表面平整（翘曲度≤0.05 mm/25 mm）,陶瓷介质基片满足单层片式瓷介电容器后续工序对其表面质量的要求。铁掺杂TiO_2纳米粉体的制备、表征及光催化性能研究
摘要：采用水热法制备了铁掺杂的TiO_2纳米粉体,通过X射线衍射（XRD）和傅立叶交换红外光谱（FT-IR）对样品进行表征。以甲基红模拟废水的降解率考察自制的铁掺杂TiO_2纳米粉体的光催化活性。XRD结果说明,产物为锐钛型TiO_2,在其三种晶型中光催化性能最好;FT-IR结果表明：所制的TiO_2结构中存在大量的—OH,预计它有较高的光催化活性;光催化性能实验结果显示：铁掺杂显著提高纳米TiO_2光催化活性,当Fe的掺杂量为摩尔分数1.4%时,其光催化活性最好,与纯TiO_2相比,光照2 h后甲基红的光催化降解率提高了33.66%;在最佳条件下（甲基红初始浓度为2 mg/L、p H值为6、掺Fe^3＋量为摩尔分数1.4%、催化剂用量为0.8 g/L,可见光源为95 W白炽灯、光照为2 h）,它对甲基红的降解率达到76.38%。ATO粉体的水基溶胶-凝胶法合成工艺研究
摘要：采用水基溶胶-凝胶法合成了锑掺杂二氧化锡（ATO）粉体。采用X射线衍射（XRD）、能谱仪（EDS）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）以及X射线光电子谱（XPS）对粉体进行了表征,探讨了ATO溶胶的制备工艺以及锡锑摩尔比（n_（Sn）/n_（Sb））对溶胶粒度和烧结粉体的形貌与物相的影响。结果表明：溶胶合成的较优条件为溶胶浓度=0.1 mol/L,水浴温度=50℃,p H=7,n_（Sn）/n_（Sb）=90/10。锡锑摩尔比对粉体的物相结构无影响。ATO粉体在n_（Sn）/n_（Sb）低于95/5时出现球形及棒状形态,其中Sn元素与Sb元素分别以Sn^4＋、Sb^5＋和Sb^3＋的形式固溶于粉体中。不同氧化物掺杂对Bi_2O_3-SiO_2-B_2O_3-ZnO玻璃性能的影响
摘要：采用高温熔融和水淬的工艺制备以Bi_2O_3-SiO_2-B_2O_3-ZnO为基体,添加金属氧化物（Al_2O_3、BaO、ZrO_2、Sb_2O_3）为辅助原料的无铅玻璃样品。采用X射线衍射分析仪、热分析仪、热膨胀仪和块体失重法研究了金属氧化物对玻璃的网络结构、特征温度（t_g、t_f、t_s）、热膨胀系数和化学稳定性的影响。结果表明：玻璃体系添加金属氧化物之后玻璃的封接性能有较大的改善。加入BaO和ZrO_2,能较大提升玻璃的转变温度、软化温度、析晶温度以及热膨胀系数。加入Sb_2O_3,降低玻璃的热膨胀系数效果最好。加入ZrO_2,玻璃的化学稳定性最好。电沉积法制备PANI/MnO_2/石墨烯复合材料及其电化学性能研究
摘要：采用简便的脉冲电沉积方法一步合成了呈现层-层分布的三维立体结构的PANI/MnO_2/石墨烯三元复合材料,利用XRD和FT-IR等研究了复合物的结构和组成,SEM和TEM表征了复合物的形貌。同时,通过恒流充放电和循环伏安测试研究了该复合物的电化学性能。结果表明,0.5 A·g^–1电流密度下的比容量可达1 120 F·g^–1,且1 000次循环的稳定性高达99%。出色的超电容性能主要源于石墨烯作为基体,其上均匀分布棒状结构的PANI,MnO_2纳米粒子均匀分布于PANI纳米棒上,形成了一种分级的特殊结构。Cu_2O氧气流量对ZnO-Cu_2O薄膜异质结特性的影响
摘要：利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu_2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对Cu_2O单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响,并分析了不同氧气流量制备的Cu_2O对ZnO-Cu_2O异质结I-V特性的影响。研究结果表明：ZnO-Cu_2O薄膜异质结样品的I-V曲线具有二极管的整流特性,样品的正向阈值电压随着Cu_2O氧气流量的增加而增大。较大正向电流的样品（氧气流量为10.6 sccm）具有较小的串联电阻和泄露电阻,以及较大的载流子浓度。BST铁电薄膜高频特性的仿真分析研究
摘要：通过微波软件建模和理论分析方法来分析BST铁电薄膜材料在微波集成电路中的应用,旨在指导器件设计。借助microwave office和Ansoft HFSS＆Q3D两个商业软件,构造微带传输线,共面波导传输线,微带低通滤波器和信号串扰等模型,并分析了加入钛酸锶钡（简称BST）薄膜前后各种模型的散射参数（S参数）和群延时。随后,在SiO_2和BST间加入过渡层（LNO,MgO）,模拟分析微波元件参数的变化。同时还仿真分析了不同硅衬底厚度和不同BST薄膜厚度情况下的能量延时和S参数。结果表明,由于BST铁电薄膜的高介电常数特性,使得这层薄膜附近的信号线上会产生强烈的信号串扰。最后以共面波导传输线为示例,利用表面微细加工技术制备了共面波导传输线,并利用网络分析仪测试其传输性能,实际测试结果与仿真趋势一致。负偏压对磁控溅射Mg_2Si薄膜的影响
摘要：采用直流磁控溅射加负偏压方法和退火工艺制备了Mg_2Si半导体薄膜,研究了不同负偏压对Mg膜的沉积速率、Mg_2Si薄膜结构以及电阻率的影响。结果表明,随着负偏压的增大,因压实膜层和二次溅射效应,Mg膜的沉积速率越来越小;在未加负偏压时,Mg_2Si薄膜的衍射峰最强、样品表面平整致密,当衬底加上负偏压后,Mg_2Si衍射峰都有所减弱,样品表面变得凹凸不平;当负偏压达到–150 V时,表面已呈现明显的熔融状态,表明负偏压对Mg_2Si薄膜的晶体结构没有有益影响。Mg_2Si薄膜的电阻率随着所加负偏压的增大先减小后增大,并在–90 V时达到最小值。空气环境中湿度对钙钛矿太阳能电池微观形貌与光电效率的影响
摘要：有机无机卤化钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸收层对外界的湿度非常敏感,所以目前绝大多数钙钛矿太阳能电池的制备、封装都是在手套箱中完成的。从便于工业规模化角度,在全空气环境下,采用气相辅助溶液法制备了平板结构的钙钛矿太阳能电池,研究了外界湿度与钙钛矿膜形貌、电池效率之间的关系。通过比较研究发现：在全空气环境中,湿度从70%下降为20%时,电池的转换效率从0.95%增加到5.81%。分析认为湿度的降低,增加了钙钛矿膜的覆盖率以及减少膜的缺陷,改善了电池开路电压、短路电流等性能参数。单负材料异质结中电磁波的传播特性研究
摘要：利用在共面波导传输线上加载电容电感实现了单负材料,对由电单负材料和磁单负材料组成的异质结中电磁波的传播特性进行了研究。结果表明：由于电磁波能够在由两种单负材料组成的异质结中发生隧穿,利用基于共面波导传输线的单负材料异质结则可以实现具有亚波长特性的谐振腔,并且加载电容电感周期性的破坏对异质结中电磁波隧穿现象的发生及隧穿频率没有影响。毫米波微带天线阵列设计
摘要：设计了一个圆口径串并联混合馈电的毫米波微带天线阵列。该天线采用矩形微带工字型缝隙贴片耦合馈电的方法展宽带宽。为了有效利用天线口径面积,减小网络复杂度,选取串联微带天线阵列形式。同时为了展宽带宽,根据设计的圆形口径阵列,将部分子阵采用串并联混合馈电的形式,得到带宽为5%的毫米波微带天线阵列。仿真表明,该天线在工作频带内增益大于30.6 d Bi,波束宽度为4.0°×3.5°,副瓣电平低于–13 d B。该天线阵面与网络配合,可以实现多波束或相控阵的功能。“2016年（第29届）中国电子元件百强企业”排序工作正式启动
摘要：2016年2月29日,中国电子元件行业协会《关于申报2016年（第29届）中国电子元件百强企业及报送2015年1~12月中国电子元件行业统计年报的通知》,为扶持一批具有国际竞争力,在规模、效益、创新等方面起到行业引领作用的中国电子元件制造型企业,推动中国电子元件产业升级,做大做强我国电子元件产业,夯实电子信息产业乃至整个工业的基础。一种无源同步开关压电能量收集电路研究
摘要：在压电能量收集接口电路中,并联开关同步电感电路在开关断开后电感上所剩余磁能并未得到有效利用。为了克服上述问题,提出一种改进的并联同步开关电感电路,以倍压整流电路取代并联同步开关电感电路中的全桥整流电路,一方面减少整流电路耗能,另一方面在开关过程中构建新的振荡回路,将电感上存储磁能转化成电能传递至负载。再利用无源峰值检测开关电路,降低开关控制电路耗能。仿真及实验结果表明,该电路输出功率为传统并联同步开关电感电路输出功率的130%、为经典电路输出功率的9.6倍。同时,该电路中开关电路耗能仅占所采集能量的12%,可以实现能量自给。基于热模型的PCB内部散热设计的研究
摘要：印制电路板（PCB）在自然状态下散热的途径主要为板的厚度方向和板平面。基于热原理,提出一种PCB埋铜翅片的散热方式。通过分析PCB的导热系数及PCB垂直和水平方向的热阻,建立一种合理的散热分析模型。研究了散热翅片的宽度和长度对温度的影响。通过热分析软件ICEPAK对模型仿真,结果表明采用PCB埋铜翅片可有效降低器件的温度。基于细观损伤模型的SnAgCu材料特性研究
摘要：基于细观损伤力学本构模型思想,考虑微孔洞演化效应,对微电子封装中的Sn3.0Ag0.5Cu材料特性和焊点服役时的损伤失效机理进行研究。基于实验数据研究并结合拟合方法确定了Gurson-Tvergaard-Needleman（GTN）本构模型参数,并通过恒应变载荷条件下的应力应变响应的数据与试验数据进行比较,验证了模型的有效性。磁场对Sn-0.3Ag-0.7Cu焊点显微组织及性能影响研究
摘要：以Sn-0.3Ag-0.7Cu（SAC0307）低银无铅钎料焊点为研究对象,在焊点凝固过程中施加2.3T匀强磁场,通过观察低银无铅焊点显微组织变化,揭示磁场对焊点凝固及固态扩散行为影响;利用Fe、Ni增强元素对比得出SAC0307在不同环境下的凝固和固态扩散行为。将焊点置于电流密度为3×10~3 A/cm^3的磁电耦合环境下,观察了磁电耦合条件下焊点的显微组织演变过程,并总结了磁场对焊点电迁移行为的影响。结果表明：静磁场条件下,焊点界面处IMC形态由扇贝状向针状转变;IMC倾向于向钎料内部快速生长;Fe、Ni的加入进一步促进IMC生长。第十四届全国敏感元件与传感器学术会议
摘要：（STC2016）会议介绍[STC学术会议介绍]全国敏感元件与传感器学术会议（Sensors and Transducers Conference of China,以下简称＂STC学术会议＂）是由我国敏感元件与传感器技术领域内全国性的学术组织、国家重点研究单位联合主办的大型专业会议,两年一届,至今已成功举办了十三届,得到国内同行的高度认可。
