电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2016年第03期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

Si3N4陶瓷材料的构筑及缺陷结构研究进展

摘要:Si3N4陶瓷作为结构陶瓷,以其优越的热力学稳定性能、化学稳定性能、机械性能及低密度结构等优点,在工程施工、电子元件、电工制品等领域具有广泛的应用价值。但Si3N4陶瓷材料在制备过程中具有杂质增强相凝聚、大晶体凸出、多大气孔等研究瓶颈,结合实际工程应用对Si3N4陶瓷材料本征缺陷及电子结构进行综述。系统阐述了国内外Si3N4陶瓷材料的研究现状及应用前景,介绍了当前Si3N4陶瓷材料的合成技术、研究方法等。根据工程材料的性能要求与缺陷标准,着重展望了Si3N4陶瓷材料在电子元件领域的应用前景与发展方向。
1-4
电子元件与材料杂志研究与试制

Gd2O3掺杂对BZT基陶瓷结构和介电性能的影响

摘要:以碳酸钡、二氧化钛、二氧化锆等为主原料,以氧化钆为掺杂剂,采用传统固相法分别于1 250,1 280,1 300,1 330℃下制备了BaZr(0.1)Ti(0.9)O3(BZT)+x Gd2O3(0≤x≤0.7%)陶瓷样品。XRD结果表明,Gd^3+掺杂后的陶瓷样品主晶相不变,均为钙钛矿结构。SEM结果表明,随着Gd3+掺杂量的增加,陶瓷的晶粒尺寸先减小后增大。陶瓷样品的体积密度和介电常数在x=0.2%,0.6%时出现较高值,介质损耗tanδ随Gd^3+掺杂量的增大呈减小趋势。Gd2O3掺杂改善了BZT陶瓷的介电温度特性,具有一定的移峰与压峰的作用。
5-8

聚合物支撑法制备活性炭膜材料及其超级电容性能

摘要:利用聚合物支撑法制备活性炭基碳膜材料,应用于超级电容器电极材料。研究了浓酸改性时聚合物支撑对碳膜的结构和电化学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、氮气等温吸脱附(BET)等方法表征材料的微观结构,采用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗等研究其电化学电容性能。结果表明,聚合物支撑法制备的碳膜在1 A·g–1的电流密度下的比电容为128.9 F·g–1,低于纯活性炭的比容量173.3 F·g–1;但是,该碳膜在浓酸改性后的比电容达到了185.6 F·g–1,远高于浓酸改性的活性炭71.1 F·g–1。主要原因是支撑聚合物在高温热处理留下的碳基支撑点对于活性炭丰富的孔道结构具有保护作用。
13-18

偏钛酸高温固相法制备锂离子电池负极材料尖晶石Li4Ti5O12

摘要:以偏钛酸和碳酸锂为原料,高温固相法制备锂离子电池负极材料尖晶石Li4Ti5O(12),分别考察锂钛摩尔比、烧结温度和时间对所制材料的结构和性能的影响,采用XRD和SEM对样品结构和形貌进行表征,最后把所制得的钛酸锂活性材料组装CR2016扣式电池并进行锂离子电池性能测试。结果表明,锂钛摩尔比为0.83,烧结温度800℃,烧结6 h条件下能得到纯净的尖晶石型钛酸锂,产品电学性能良好,0.1C倍率时,首次充放电容量达158.63 mAh/g,效率为98.76%。
19-21

一维电极活性材料LiFePO4的制备及其电化学性能研究

摘要:以FePO4、Li2CO3为原料,蔗糖为碳源物质,草酸为还原剂及螯合剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为增稠剂,通过静电纺丝技术制备了一维纳米结构的LiFePO4材料。制备材料表现出较好的倍率特性,10.0C高倍率下可保持约55%的可逆放电比容量。该材料亦表现出良好的低温放电性能,–30℃下可保持47%的初始容量。这些性能的发挥主要得益于其优秀的一维纳米线结构。该结构可以有效降低Li+在充放电过程中的扩散距离,利于材料的电化学性能的充分发挥。
22-25
电子元件与材料杂志编读通信

声表面波材料与器件列入国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项

摘要:2016年2月19日,科技部《关于国家重点研发计划高性能计算等重点专项2016年度项目申报指南的通知》(国科发资〔2016〕38号),共分成十大类重点专项。声表面波材料与器件被列入"战略性先进电子材料"重点专项。声表面波材料与器件项目申报要求如下:研究内容:开发声表面波和体声波滤波器用的衬底材料、压电薄膜材料、叉指换能器和谐振腔电极,
31-31
电子元件与材料杂志研究与试制

基于反相微乳液体系制备低温烧结纳米银浆的工艺方法

摘要:采用span80-Triton X-100/正己醇/正庚烷/水相四元反相微乳液体系制备低温烧结纳米银浆,研究了span80与Triton X-100形成的复配表面活性剂对反相微乳液体系稳定性的影响,并分析成分含量对该体系增溶水量的影响。结果表明:span80与Triton X-100形成的复配表面活性剂表现出协同作用的特点;该复配表面活性剂最佳HLB值(亲水亲油平衡值)为10.63;且随着助表面活性剂正己醇含量的增加,体系增溶水量先增大后减小;最终得到银颗粒粒径约20 nm的低温烧结纳米银浆。
32-35

MWNTs-SiO2-Si结构中的双极电阻效应

摘要:MWNTs(多壁碳纳米管)-SiO2-Si结构被激光照射后产生双极电阻效应(BRE)。MWNTs-SiO2-Si结构对绿光波长附近的激光有很强的吸收率,测得的最高灵敏度达到32 630Ω/mm。通过实验测出了BRE的三维表面图,并对水平和垂直方向的截面图进行了电阻灵敏度分析。根据平衡状态下的电子分布模型提出了MWNTs-SiO2-Si结构的能带图。结合实验结果和理论模型,用有效电子密度理论解释了双极电阻效应的机理。
36-39
电子元件与材料杂志编读通信

研究人员用新方法制作纳米线材和纳米激光器

摘要:新华社旧金山2016年3月1日电,美国劳伦斯伯克利国家实验室研究人员日前报告说,他们找到一种新的方法,可用于制作纳米尺度的线材以及色彩可调谐的纳米级激光发生器。这些线材最小直径200 nm,融入多种其他材料,能够发出明亮和稳定的激光,有望应用于光电子领域,实现数据传输等应用。
39-39
电子元件与材料杂志研究与试制

基于PVDF的柔性压力传感器阵列的制备及仿真研究

摘要:采用湿法刻蚀制备了基于PVDF薄膜的柔性4×4压力传感器阵列,该传感器具有16个毫米尺寸的电容器单元。使用光学显微镜、原子力显微镜观测了传感器表面形貌,显示电极阵列的界面清晰,PVDF薄膜表面形貌平整。力电耦合效应测试的结果显示传感器的应力输入和电压输出具备高的信噪比和良好的线性关系,力电响应为12×10–3 V/kPa。受力-空载响应输出显示,对传感器施加20~80 kPa范围的脉冲压力,得到了输出0.26-0.98 V的电压信号,并且放电时间少于2.5 ms。结合仿真计算研究了传感器阵列之间的电势信号影响,结果表明相邻阵列单元间的信号干扰随着阵列所受压力增加而增加并且呈现线性关系,干扰信号为0.028×10–3 V/kPa,在1.4 mm2尺寸时,低于178 kPa压力所产生的干扰信号可以近似忽略。
40-43

二氧化硅衬底中太赫兹超介质谐振特性的研究

摘要:设计了一种工作在0.3-1.1 THz的双开口太赫兹超介质,最小透射系数为0.06,传输幅度在0.5以下的带宽为0.11 THz。利用等效电路法对这种超介质单元的谐振特性进行了理论分析,用HFSS对超介质单元进行仿真分析。结果表明,超介质单元的结构参数对其谐振特性的影响与理论分析是一致的。通过对超介质结构参数分析可知,若要调节超介质单元的谐振特性,调节其外环开口缝隙宽度是最有效、最直接的方法。
47-50
电子元件与材料杂志编读通信

工信部:将开展无线电频谱使用评估专项活动

摘要:2016年3月1日,工业和信息化部无线电管理局(国家无线电办公室)组织召开了全国无线电管理工作电视电话会议。工业和信息化部副部长刘利华出席会议并作重要讲话。会上,工业和信息化部无线电管理局局长谢飞波作了题为"聚焦核心职能提升监管能力实现无线电管理工作‘十三五’良好开局"的报告,对2015年和"十二五"期间全国无线电管理工作进行了总结,并对2016年重点工作做了具体安排部署:一是组织开展频谱使用评估专项活动;
54-54
电子元件与材料杂志研究与试制

综合孔径辐射计同心圆形阵排列优化

摘要:使用微粒群优化算法(PSO),对干涉式综合孔径微波辐射计(SAIR)系统中带有多个圆环的同心圆形阵(CCA)进行优化处理,以获得在视场范围内较低的峰值旁瓣电平(PSLL)。优化结果显示,在同样的系统空间分辨率条件下,优化后的CCA比未优化的仅有一个圆环的CCA具有更低的PSLL和更少的天线个数。基于上述理论,给出了一个简单的2环CCA优化设计和相关仿真来进行说明。
55-59
电子元件与材料杂志编读通信

智能手机与可穿戴设备驱动 气体传感器出货大爆发

摘要:市场研究机构Yole Developpement最新报告指出,2014年气体传感器(Gas Sensor)在消费性电子应用市场的出货量仅约一百二十万颗,然而在未来智能手机与穿戴式装置大量采用下,可望于2018年突破一亿颗大关,并在2021年跃增至三亿五千万颗。
59-59
电子元件与材料杂志研究与试制

RF MEMS频率可重构三频PIFA天线的设计

摘要:设计了一种结合RF MEMS开关实现频率可重构的三频PIFA(planner inverted F-antenna,平面倒F天线)天线。该频率可重构天线通过变换在地层的RF MEMS开关的通断改变天线的谐振回路的物理长度,从而改变PIFA天线的工作频率。通过HFSS仿真可知,这个天线可以工作在203,498和910 MHz这三个频率为中心的频段,其相对带宽分别为18%,10%和8%,能够满足实际通信的需求。
60-63

具有双频带阻特性的超宽带天线的设计

摘要:设计了一款具有双频带阻特性的超宽带微带贴片天线。天线由50Ω矩形微带线馈电,频率覆盖范围为2.8-12 GHz。在天线辐射贴片上端开一对C形槽,实现了对3.3-3.6 GHz的Wi MAX频段的阻隔,并且在贴片下端使用阶梯结构实现了对5.15-5.825 GHz的WLAN频段的阻隔。对天线进行了加工与测试。结果表明,该天线的一对C形槽对Wi MAX频带阻隔作用明显,而阶梯结构不仅获得了在WLAN频段的带阻特性,而且与接地板上的矩形槽共同作用,还实现了天线的宽频带特性。天线的实测结果与仿真吻合良好。
64-66

三频双圆极化北斗天线的设计

摘要:设计了一款新型的小型化多频段圆极化北斗天线。天线采用双层层叠结构设计,上层天线采用矩形贴片切角开缝的方法,实现北斗系统L频段的左圆极化;下层天线利用复合左右手传输线结构进行设计,通过在矩形贴片中间位置加入非对称十字和直角折线槽结构,同时在四角位置加入90o折线结构和金属过孔,实现北斗系统B1频段、S频段以及GPS L1频段的右圆极化。天线尺寸为39 mm×39 mm×6.8 mm。仿真结果表明该天线各项指标均满足北斗系统对天线性能的要求。
67-70

硅基片上射频集成无源器件的去嵌入表征方法研究

摘要:硅基片上射频集成无源器件进行S参数测试时不可避免受到焊盘寄生效应的影响。针对这一问题,提取了三组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于级联理论的三种去嵌入方法被用于传输线模型分布参数的精确表征,并结合电磁仿真综合对比。结果表明:相对于其他两种常用去嵌入方法,"混合"法得到的S参数曲线与无焊盘仿真最为接近(平均偏差S11≤3.392%,S21≤5.184%),且削弱了去嵌入过程中测量误差的影响,有效减少了分布参数曲线波动。
71-75