功率电子封装用陶瓷基板技术与应用进展
摘要：综述了功率电子封装用陶瓷基板技术及其发展趋势,重点分析了厚膜陶瓷基板（TFC）、直接键合铜陶瓷基板（DBC）和直接电镀铜陶瓷基板（DPC）的制备技术与物理特性,并对其在绝缘栅双极晶体管（IGBT）、激光器（LD）、发光二极管（LED）等领域的应用进行了论述。MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
摘要：介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体（metal-interfacial layer-semiconductor,MIS）结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。低温共烧Na2O-B2O3-SiO2玻璃/Al2O3复合材料烧结工艺的研究
摘要：采用烧结法制备了低温共烧Na2O-B2O3-SiO2玻璃/Al2O3复合材料。研究了玻璃粉末的粒度、玻璃与Al2O3质量比,成型压力和热处理制度对复合材料烧结性能和电学性能的影响。结果表明,玻璃粉末中位径为1.233μm、玻璃/Al2O3质量比为3：7、成型压力为15 MPa、烧结温度为900℃以及保温时间为2 h时,复合材料具有较高的体积电阻率（3.8×10^12Ω·cm）、较低的介电常数（6.86）和介电损耗（0.001 43）,可以满足基板材料对电学性能的要求。电极箔生产中槽液铝含量检测方法的研究
摘要：为解决电极箔生产中槽液铝含量的检测问题,采用化学滴定试验,对溶液铝含量检测的准确度和重复性、灵敏度、经济性和实用性进行了分析研究。结果表明,氢氧化钠标准溶液滴定法和EDTA络合滴定法都具有满足生产要求的检测精度,前者可用于常规生产时对槽液铝含量的控制,后者更适宜在产品开发、工艺试验时使用。十大未来最具潜力的新材料
摘要：世界的一切活动皆基于材料,未来绚丽多彩的世界更需要魅力无限的材料。看看有哪些材料让我们的未来的世界变得那么神奇？国外媒体预测了十种未来最具潜力的新材料。1气凝胶在吉尼斯记录中,气凝胶拥有多达15个吉尼斯纪录,远多于其他材料。或称“凝烟”。通过对氧化铝、氧化铬、氧化锡或者碳的液态凝胶进行超临界干燥,就可以制成气凝胶。气凝胶中99.8%是空隙,使得它看起来是半透明的。柔性ITO薄膜表面无敏化法选择性化学镀镍研究
摘要：通过化学镀镍对聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基体表面氧化铟锡（ITO）薄膜进行金属化处理从而提高其导电性能。该化学镀镍工艺不同于传统工艺,无需敏化,直接经过活化还原后实现在柔性ITO薄膜表面选择性化学镀镍。采用扫描电子显微镜（SEM）、结合力测试和导电性测试对镀层形貌和性能进行表征。结果表明,ITO表面镀镍层均匀致密、附着力好,PET基体无镍层覆盖,具有高度的选择性,且极大提高了柔性ITO薄膜的导电性和疏水性能。基于结构函数的大功率整流管封装内部热阻分析
摘要：在对大功率整流管（以下简称器件）进行瞬态热阻抗测试的基础上,基于结构函数分析技术建立器件由热阻、热容组成的RC热模型,并结合器件的封装结构对其内部热阻进行分析,得到了器件各层材料的内部热阻分别为：芯片0.12℃/W、焊接层0.18℃/W、绝缘层0.21℃/W、管座0.67℃/W。研究表明,利用结构函数分析大功率整流管内部热阻是一种可靠、有效的方法,对于器件封装结构的热设计具有重要意义。基片减薄结构的薄膜环行器的仿真设计
摘要：利用三维电磁仿真软件HFSS研究了基片减薄结构对微带薄膜环行器性能的影响。提出了一种减薄非磁性介质基片的结构：首先将基片进行减薄处理,再与具有孔洞的硅基片结合,组合成复合基片。研究了复合基片结构对薄膜环行器S参数的影响。研究结果显示这种基片处理过的环行器能显著改善环行器的性能,尤其在器件的工作带宽方面,从原有的435 MHz提高到745 MHz。这为制备出宽带薄膜环行器取代块材环行器,为器件的小型化、轻量化、集成化提供一定的参考。太赫兹开槽介质型菲涅尔天线设计
摘要：设计了一款工作在太赫兹频段的开槽介质型菲涅尔（Fresnel）透镜天线,该天线由馈电结构和透镜结构两部分组成。利用CST微波仿真软件,首先设计波纹喇叭馈电结构,其次基于波纹喇叭馈电结构设计开槽型菲涅尔透镜天线,分析全波周期、焦径比和子区等对天线性能的影响,通过横向和纵向对比,确定最佳天线参数。结果表明对天线性能影响从大到小分别为：焦径比、全波周期、子区。焦径比F/D=3、全波周期w=3、子区P=4为最佳天线参数,波纹喇叭馈电天线经过开槽介质型菲涅尔透镜天线聚焦后,天线的增益提升12.5 d B。一种紧凑型高隔离度的MIMO超宽带天线研究
摘要：提出一种紧凑型高隔离度多输入多输出超宽带天线,该天线由两个共面梯形辐射单元背靠背连接在一起构成,衬底材料的相对介电常数为4.4。在两个辐射单元之间放置高隔离金属条,确保天线具有高隔离度。该天线在整个超宽带频带上电压驻波比VSWR为2：1,隔离度高于20 d B,峰值增益为5.2 d Bi,峰值有效率为90%,且包络相关性系数ECC（Envelope Correlation Coefficient）≤0.164 1。一个紧凑型超宽带微带带通滤波器
摘要：设计制作了一种紧凑型超宽带微带带通滤波器。该滤波器采用两对由1/4波长型SIR谐振器和1/4波长终端短路谐振器构成的枝节线对与微带低通滤波器相联而成。在ADS软件上对该滤波器进行仿真验证,然后制作实物。结果表明,该滤波器相对带宽达到112%,阻带带宽超过4 GHz,通带范围内插入损耗小于1 d B,回波损耗大于10 d B,阻带范围回波损耗大于20 d B;滤波器尺寸为14.22 mm×9.65 mm。Ge2Sb2Te5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响
摘要：相变存储器（Phase Change Memory,PCM）的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge2Sb2Te5（GST）的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明：基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。LiFePO4/膨胀石墨复合材料的制备及性能
摘要：采用机械球磨法合成LiFePO4/膨胀石墨复合材料,讨论了膨胀石墨不同添加量对复合材料电化学性能的影响。运用扫描电镜、四探针测试和恒流充放电等对材料的表面形貌、电阻率和电化学性能进行了研究。结果表明：当膨胀石墨的添加量为质量分数1.0%时,其电化学性能最优异,0.2C放电比容量可达到164.2mAh/g,1.0C循环60次后,其放电比容量仍有151.6mAh/g,3.0C充放电后,其容量保持率仍有89.6%。氮掺杂碳包覆凹凸棒石的制备及其电化学性能研究
摘要：利用苯胺原位化学聚合合成聚苯胺包覆凹凸棒石,再经过高温热处理得到氮掺杂碳包覆凹凸棒石。采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、傅立叶转换红外线光谱（FTIR）、差热分析法（DTA）对样品形貌和化学结构进行表征,利用循环伏安法、恒电流充放电及交流阻抗技术研究其用作超级电容器电极材料时的电化学性能。研究表明,氮掺杂碳包覆凹凸棒石在6 mol·L–1的KOH电解液中具有较好的电容性能,在20 m V·s–1的扫速下质量比电容可达161.9 F·g–1,且该复合材料具有较小的内阻和良好的电容稳定性。仿生合成CoO/Co/C复合电极材料及其超级电容性能研究
摘要：以松木作为生物模板和碳源,以Co（NO3）2·6H2O作为钴源,煅烧制备多孔CoO/Co/C复合电极材料。通过X-射线衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,N2等温吸附-脱附（BET）对复合材料的结构和形貌进行表征。结果表明,复合电极材料遗传了木材模板的生物形貌特点和多级孔道结构,BET表面积为369.2 m2/g。CoO/Co/C电极具有较好的电化学性能,在1 A/g电流密度下比电容达760 F/g,在电流密度5 A/g下循环充放电500次后,电容保持率为73.7%。钴酸锰/泡沫镍复合电极材料的制备及其电化学性能研究
摘要：利用两步法成功制备出两种MnCo2O4纳米等级结构材料,研究了其电化学性能。结果证实得到的纳米片为MnCo2O4纳米等级结构,并均匀生长在泡沫镍基底上,电化学性质测试表明,这种纳米片/泡沫镍复合电极表现出优异的电化学性质。这种优异的性质与介孔的Mn Co2O4纳米片这一新颖的结构有密切的关系,5 A/g时的比电容值高达475 F/g。MnCo2O4/泡沫镍复合材料是一种非常有潜力的超级电容电极材料,MnCo2O4纳米材料结构和形貌对超级电容器电极材料的电化学性质有较大的影响。轻质超薄碳纳米超级电容在天津大学问世有望成为可穿戴设备的理想电源
摘要：移动互联网时代,智能手机等设备的屏幕越做越大,研发可卷曲、可折叠的便携电子产品已成为趋势。然而,固定形状的电池限制了可折叠电子产品的发展,亟需开发相应的柔性储能器件。天津大学赵乃勤教授课题组与天津工业大学康建立教授合作,研发成功了迄今最薄的碳纳米材料薄膜超级电容器,其厚度仅为A4纸的三分之一（约30μm）,柔韧、轻盈,是可穿戴设备的理想电源。“轻质超薄”是这款超级电容的显著特点。为获得高的器件综合性能,该研究团队从器件结构优化设计出发,使其兼具超高能量密度和功率密度。
