电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2015年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

杂化钙钛矿太阳能电池结构及光吸收层组成优化研究进展

摘要:近年来,有机-无机杂化钙钛矿基异质结太阳能电池发展十分迅速,目前最高光电转换效率已突破20%。本文简要概述了杂化钙钛矿基太阳能电池的结构、原理以及常见的杂化钙钛矿薄膜的制备方法,详细总结了近年来器件结构和杂化钙钛矿材料不断优化的成果和相关研究进展,重点阐述了器件的结构和组成对杂化钙钛矿基太阳能电池光电转换效率的影响,并对有机-无机杂化钙钛矿基太阳能电池未来的研究前景进行了展望。
1-6

高温NTC热敏电阻材料的研究进展

摘要:高温NTC热敏电阻材料可制备用于汽车电子、军工、航天等领域超宽温区测温的热敏元件。概述了高温NTC热敏电阻材料的研究,主要集中在具有钙钛矿结构的材料体系以及材料的掺杂改性研究上。基于钙钛矿结构热敏材料NTC效应机理的解释大多集中在氧空位迁移模型、电子跃迁模型和渗流理论等方面,提出应用于高温宽温区测温的具有高电阻率低热敏常数特性的NTC热敏材料是高温NTC材料的发展方向。
7-9

陷光结构在PERL太阳能电池中的应用及发展前景

摘要:陷光技术是制备高效单晶硅太阳能电池特别是钝化发射极背面定域掺杂(PERL)太阳能电池的一项关键技术。本文阐述了背面场和绒面结构在增加太阳光吸收时的物理机理,分析了背面场和绒面组成的陷光结构在提升PERL太阳能电池光电转换效率时的作用,最后展望PERL太阳能电池的发展前景。
10-13
电子元件与材料杂志研究与试制

二氧化钛纳米管光催化剂的制备及性能

摘要:以自制TiO_2纳米粉体为前驱体,NaOH溶液为水热介质,采用常压水热法制备了TiO_2纳米管光催化剂,利用X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等分析手段对样品进行了表征。运用定性抑菌圈法考察了TiO_2纳米管对金黄色葡萄球菌和枯草杆菌的抑菌性能,并测定了其对甲基橙溶液的光催化降解活性。结果表明,采用该方法得到的TiO_2纳米管为锐钛矿相,结构清晰、管形均匀,对两种细菌表现出了良好的抑菌性能,其光催化降解率在光照90 min时达到84.840%。
20-23

二氧化锰纳米片的制备及其电化学性质

摘要:只利用MnSO4和(NH4)2S2O8两种原料,采用水热法制得β-MnO2纳米材料。分別采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、同步热分析(TG/DSC)等测试技术对材料的形貌、结构及热稳定性做了表征。采用恒电流充放电、循环伏安、交流阻抗等方法对材料的电化学性质进行测试。结果表明:MnO2纳米片材料具有优良的充放电性能,在电流密度为10×10^-3A/cm^2时,其比电容达到85.3F/g,很适合用于电化学电容器的电极材料。
24-26

PEG液相体系制备纳米铜颗粒的研究

摘要:以聚乙二醇(PEG600)为液相反应体系,硼氢化钠溶液为还原剂,硫酸铜为铜源,并添加氨水作为络合剂还原制备了纳米铜。使用扫描电镜(SEM)、元素能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)等对纳米铜进行了特性分析,并利用正交实验探讨了影响纳米铜制备因素的主次顺序,同时得到了纳米铜分散性和抗氧化性能的最优化条件:硫酸铜与硼氢化钠的浓度(mol/L)比为1:2,反应温度为65℃,反应时间为30 min,PEG600用量为35 m L(浓度538.5 m L/L)。另外,还研究了不同分子量的聚乙二醇对纳米铜性质的影响。
27-30

Zn5(OH)8Cl2·H2O微纳米片的超声合成与热解以及光致发光性能研究

摘要:运用超声化学法,以细化后的Zn、CCl4和H2O为原料合成了Zn5(OH)8Cl2·H2O微纳米片,将Zn5(OH)8Cl2·H_2O微纳米片在500℃下高温裂解,收集并表征了所得固相产物的结构形貌和光致发光性能,同时重点分析了所得固相产物的形成过程和生长机理。结果表明:该制备方法反应迅速,合成的Zn5(OH)8Cl2·H2O纳米片径向尺寸分布在400 nm到3μm;所得到的固相产物为形貌不同的ZnO微纳米晶体,形成过程经历了高温裂解和置换反应;晶体生长符合VS生长机理。Si基底和Al2O3基底ZnO晶体在约515 nm处均出现了较宽绿峰,前者带边发光峰与深能级发光峰强度比相对较大,表明其缺陷较少结晶较好,该结果可指导Zn5(OH)8Cl2·H2O和多形貌ZnO微纳米晶体的可控制备与应用。
31-35

金属电极石墨烯纳米系统中的电子线性交流输运

摘要:利用紧束缚近似模型、递归格林函数方法和交流输运理论,研究金属电极石墨烯纳米系统中的电子交流输运性质。研究结果表明,金属电极石墨烯纳米系统中的界面散射导致总体的直流电导变小。在狄拉克点附近,中心锯齿型石墨烯条带部分的长度变化造成系统的共振和反共振效应,并对外加电压表现出类似电感(inductive-like)和电容(capacitive)的响应。电子局域态密度的分布表明,共振态电子在石墨烯纳米条带中呈边缘态分布,有利于系统的电子传导。反共振态电子的局域态密度小,系统不存在边缘态,从而抑制电子传导。
36-40

退火处理对磁控溅射制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响

摘要:采用磁控溅射法在普通玻璃上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜,研究了退火处理对GZO薄膜组织结构、表面形貌及光电性能的影响,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、四探针测试仪等对GZO薄膜的表面形貌、晶体结构、透光率及电阻率等进行测量与表征。结果表明:400-800℃退火对GZO薄膜的生长方式影响较小,所制薄膜均在(002)晶向沿c轴择优取向,退火温度对薄膜表面形貌影响较大,退火温度为600℃时,薄膜表面致密、平整,结晶质量最好,薄膜的透光率超过95%,电阻率最低为4.9×10^-4Ω·cm。
41-43

AlPO4∶xEu^3+红色荧光粉的制备及发光性研究

摘要:采用溶胶-凝胶法制备了AlPO4:xEu^3+红色荧光粉,并对其结构和发光性能进行了分析。研究表明:在1300℃下恒温烧结4h可得到该样品,Eu^3+的加入对其结构没有明显的影响,且无杂相生成。通过测试AlPO4:xEu^3+红色荧光粉的发光性能,激发峰位于200-550 nm,在394 nm处有一个很强吸收峰,该荧光粉有多个发射峰,发射主峰位于596nm处,呈现红色。同时研究了Eu^3+离子浓度对发光强度的影响,当掺杂浓度为7%时发光强度达到最高,结果表明该荧光粉是一种较好的红色发光材料。
44-47

电解质中微量金属离子对高纯铝箔直流电蚀特征的影响

摘要:在盐酸-硫酸-硝酸电解质体系下,分別加入微量Cu^2+、Fe^3+、Zn^2+等金属离子,并采用直流方式对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了改性后的电解质溶液对高纯铝箔电蚀过程的影响。结果表明:在硫酸-盐酸-硝酸电解体系中加入微量Cu^2+后,能够和铝发生置换反应生成铜单质沉积在铝箔表面,形成Cu-Al微电池反应,促进铝箔腐蚀,隧道孔密度增大,隧道孔长度从10μm增长到30μm,220V化成的比容提高了78%-220%;加入Fe^3+后,不能形成微电池反应,对铝箔腐蚀没有明显影响;加入Zn^2+后,能够形成Zn-Al微电池反应,促进铝箔腐蚀,但促进效果弱于加入Cu^2+。
48-52

基于超表面的圆极化印刷偶极子天线研究

摘要:利用一种以双头箭头作为结构单元的反射型极化旋转超表面,设计了圆极化的印刷偶极子天线。通过将该超表面加载在普通印刷偶极子天线的下方,使线极化的偶极子天线辐射圆极化波。测试表明,天线的圆极化工作带宽为6.96 GHz到7.13 GHz。在7.04 GHz处,垂直方向上的轴比达到约1 d B。该天线有着较好的圆极化效果,并且实现了低剖面以及小型化。
53-56

上海微系统所成功研制1.5英寸石墨烯单晶晶圆

摘要:在国家重大专项"晶圆级石墨烯材料和器件基础研究"等项目的支持下,中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯研究取得新进展。信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队在国际上首次实现石墨烯单核控制形核和快速生长,成功研制1.5英寸石墨烯单晶,研究论文于2015年11月23日在Nature Materials上在线发表。
60-60

一种工作于0.7-3.8 GHz的小型化Vivaldi天线研究

摘要:利用电阻加载及开槽技术,设计了一种工作于0.7-3.8 GHz的小型化Vivaldi天线。利用电磁仿真软件HFSS 13.0对天线进行了仿真模拟,并与实测结果进行了对比。结果表明:在0.7-3.8 GHz内,S_(11)小于-10 dB,增益适中,天线性能良好。电阻加载在一定程度上缩小了天线的尺寸,利用指数渐变曲线阶梯型开槽方法,改善了天线在低频段的电特性。该天线后向辐射较小,具有很好的定向辐射性能,天线平面尺寸为70 mm×80 mm,可用于探地雷达。
61-63

高性能电容加载LTCC带通滤波器的研究

摘要:提出一种基于LTCC技术的高性能电容加载带通滤波器的实现方法。通过在带状线两端加载电容,从而实现谐振单元的小型化。同时通过交叉耦合,在通带两端引入两个零点,实现了陡峭的边带衰减,大大提高了滤波器的带外衰减抑制,之后借助电磁场三维仿真软件HFSS对模型进行优化。实际测试结果与仿真结果吻合较好,中心频率为4.75 GHz,带宽为500 MHz,在2.6 GHz至4.1 GHz频带以及5.4 GHz至6.9 GHz频带上的衰减均优于35d B,尺寸仅为3.2 mm×2.5 mm×1.5 mm。
68-71

中国科大低温合成硅纳米锂离子电池负极材料

摘要:一直以来,利用廉价的二氧化硅或硅酸盐制备硅材料都需要较高的反应温度。目前工业上采用的方法依然是高温碳热还原法(〉1 700℃),所制备的硅大都为块材,难以应用于锂离子电池负极材料。2007年至今,650℃条件下镁热还原二氧化硅是主要的制备纳米硅材料的方法,但该方法条件苛刻,容易产生副产物Mg2Si,且产率较低。铝热还原二氧化硅因产生惰性的Al_2O_3,需高于铝的熔点,700℃以上的高温反应才能进行。
71-71

基于多模谐振器的超宽带滤波器设计

摘要:从经典的多模谐振器出发,针对其插入损耗过大和阻带抑制较低的问题,提出了基于多模谐振器的超宽带带通滤波器新结构。通过奇偶模分析方法对其谐振特性和耦合特性进行了系统分析,利用ADS粗略仿真验证新结构的可行性,最后通过HFSS进行参数优化,设计了一个中心频率6.5 GHz、相对带宽约为120%的超宽带带通滤波器,该滤波器整体性能良好,带外衰减十分陡峭,在11.5 GHz处达到45.5 d B,阻带宽度很宽,且具有插入损耗小、结构紧凑和尺寸小等优点。
72-76

开口圆环单元带通频率选择表面的仿真与测试

摘要:通过对常规圆环孔单元加载金属贴片得到改进的开口圆环单元。分析结果表明:TE模入射时,与封闭圆环频率选择表面(FSS)相比,圆环开口对传输特性几乎没有影响,谐振频率稳定在12 GHz,–3 d B带宽为8 GHz;然而TM模入射时,单开口圆环FSS结构使谐振频率降低到5.5 GHz,并在16.6 GHz出现二次谐振,而双开口圆环FSS结构使谐振移向更高的频率21.5 GHz。
77-80