MgxZn1-xO纳米材料的研究进展
摘要：近年来，镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主要总结概括了 MgxZn1–xO 纳米材料的制备方法，并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了MgxZn1–xO纳米材料在紫外光电探测方面的应用前景。Li2O-B2O3-SiO2玻璃掺杂对BZN陶瓷介电性能的影响
摘要：采用传统的固相反应法制备了Li2O-B2O3-SiO2（LBS）玻璃掺杂的（Bi1.5Zn0.5）（Zn0.5Nb1.5）O7（BZN）陶瓷，研究了LBS作为烧结助剂对BNZ陶瓷的烧结特性、晶相组成、微观结构以及介电性能的影响。结果表明，添加少量LBS玻璃后的陶瓷试样中没有出现第二相，主晶相仍为立方焦绿石结构。烧结助剂能有效降低BZN陶瓷的烧结温度，当LBS质量分数为0.6%时，陶瓷试样的烧结温度降到900℃，制备的试样具有良好的介电性能：相对介电常数为159，介质损耗为8×10–4（1 MHz）。中国科大等成功研制一维三元多节点鞘硫化物异质纳米棒
摘要：有效操控电荷流动是研究半导体体系中物理和化学性质的核心内容。异质纳米结构能够集成不同组分的优势，而且常常可以获得优于单一组分的协同性质。如何设计合理的合成方法制备新颖独特的异质纳米结构，并且精确调控材料的组分、分布和形貌，仍然是目前尚待解决的关键科学问题。预烧温度对NiCuZn铁氧体材料显微组织及直流偏置特性的影响
摘要：采用激光粒度分析仪、XRD、SEM等分析手段，测试研究了预烧温度对NiCuZn铁氧体物相组织、烧结显微组织和直流偏置特性的影响。结果表明：当预烧温度较低时，固相反应不完全，致使铁氧体中残留CuO，晶粒生长不均匀；提高预烧温度能够细化NiCuZn铁氧体的晶粒，并改善其直流偏置特性；当预烧温度在850℃时，能够获得较高的初始磁导率和较好的直流偏置特性。CuO纳米线对挥发性有机化合物的气敏性能
摘要：通过简单经济的水溶液法并配合后续煅烧制备出了一维CuO纳米线。利用SEM、XRD、XPS等手段对所得纳米线的形貌、组成和晶体结构进行了表征，同时还测试了其在200℃下对常见挥发性有机物（VOC）的气敏响应状况。结果显示，CuO纳米线气敏传感器对（10～1000）×10–6（体积分数，以下同）的乙醇、甲醇、丙酮体现出优良的气敏响应特性，在（10～100）×10–6范围内，灵敏度随气体浓度增加呈线性增长，超过100×10–6后增长趋于平缓；响应时间均在10 s以内；浓度累加实验和多次重复实验显示出材料良好的稳定性和重复性；对所测11种VOC中的乙醇、甲醇、丙酮有一定的选择性；响应恢复基线无明显漂移；基于单根酞菁铜纳米线的FET式H 2 S气体传感器
摘要：结合FET和一维微纳材料的优势，构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现，在室温条件下，器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H 2 S具有良好的灵敏度和低检测极限（5×10–6）。相比于薄膜FET传感器，检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示：引起器件对H 2 S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。MgTiO3掺杂对BST基电容器陶瓷介电性能的影响
摘要：采用固相法制备了MgTiO3掺杂的（Ba0.65Sr0.35）TiO3（BST）陶瓷，研究了MgTiO3掺杂量对（Ba0.65Sr0.35）TiO3（BST）基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明：随着MgTiO3掺杂量的增加，BST陶瓷的介电常数（εr）、介质损耗（tanδ）和耐压强度（Eb）均先增大后减小。当MgTiO3掺杂量为质量分数0.8%时，BST陶瓷的综合介电性能较好：εr为4350，tanδ为0.0055，Eb为5.7×103 V/mm（AC），容温特性符合Y5U特性。Pt/PZT铁电薄膜结晶性能与界面结构研究
摘要：锆钛酸铅[Pb（ZrxTi1-x）O3，PZT]薄膜具有优异的铁电性能，其中以（111）取向的PZT薄膜铁电性能更优异。目前对影响PZT薄膜取向生长的因素还未完全研究清楚，而PZT薄膜制备中，薄膜的择优取向生长控制是薄膜制备工艺的难点。采用TEM观察界面微观结构，利用高斯软件在TPSS/def2-TZVP水平下计算优化出Pb x Pt团簇分子的结构，发现界面层上形成的这类分子属于量子点范畴，结构上与PZT薄膜（111）晶面取向相似。提出高温退火生成的大量Pb x Pt团簇分子是（111）晶面取向生长的“诱导剂”，控制界面层这种物质的生成和扩散可以控制PZT薄膜（111）取向生长。合肥研究院有机单晶PTCDA纳米线制备及其物性研究获进展
摘要：近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心科研人员在有机单晶纳米材料制备及光、电特性研究方面取得了新进展。9月21日英国皇家化学会出版期刊Nanoscale以《苝四甲酸二酐（PTCDA）纳米结构的制备、光学以及电学特性》（Preparation, Optical and Electrical Properties of PTCDA Nanostructures ）为题在线发表该研究成果。压电体表面电极圆形脱层屈曲仿真研究
摘要：由压电材料层与金属电极组合的层状结构功能器件应用很广，但在工程应用时因受荷载作用此类层合结构很容易在层间界面出现脱层屈曲现象。为了研究脱层屈曲时的临界荷载、力电耦合效应对屈曲临界载荷的影响，为此类层状器件的设计提供参考，本文用ABAQUS对压电层表面金属层圆形脱层的屈曲问题进行有限元研究，并将有限元解与利用弹性稳定理论将圆形脱层简化成薄圆板在考虑简支和固支边界时的结果进行对比分析，用以说明有限元结果的正确性。相变存储器失效时间分析
摘要：从保持力失效时间的角度出发，对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现，在比较高的温度下，随着测试时间的增长，存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arrhenius模型。而且，温度越高，失效时间越短。不同初始 RESET 阻值条件下的阻值分布曲线也验证了通过增加非晶区域的有效体积可以改善保持力可靠性。不同存储器单元的失效时间分布也验证了一个假设：若在非晶区域中本来就存在晶粒，则晶粒生长重组会缩短失效时间；若是晶化过程发生在非晶区域和结晶区域的边界处，失效时间会明显增长。前结背接触晶硅太阳电池发射区研究
摘要：利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度（cE）、结深（xj）及发射区覆盖比率（EF）对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明：基于常规低成本P型晶硅衬底（利用直拉法生长，电阻率为1.5Ω·cm，少子寿命为10μs）的前结背接触太阳电池，其上表面发射区表面浓度及结深对太阳电池的输出特性产生显著影响。上表面发射区表面浓度和结深越大，短波入射光外量子效率越小。当上表面发射区表面浓度为1×10^19 cm–3，结深为0.2μm时，电池效率高达20.72%。侧面和下表面发射区表面浓度及结深对太阳电池输出特性的影响较小。但侧面和下表面发射区覆盖比率对太阳电池的输出特性产生显著影响。侧面和下表面发射区覆盖比率越大，太阳电池外量子效率和转换效率越高。基于并联枝节蜿蜒线的小型化微波六端口结设计
摘要：首次提出了一种并联枝节蜿蜒线。利用周期性结构传输线理论，首先对并联枝节蜿蜒线进行了结构与理论分析，提出了具体设计方法，并利用该方法成功设计实现了一个中心频率为2.4 GHz的小型化微波六端口结。该六端口结的电路尺寸仅为传统结构的25.3%，并且不以损失电性能为代价，具有与传统结构相近的频率响应特性。中国科大等在多层石墨烯压电效应研究中取得进展
摘要：中国科学技术大学教授乔振华课题组与南京大学教授缪峰、王伯根合作，在多层石墨烯的压电效应的研究方面取得新进展，首次在实验上观察到石墨烯材料体系中正的压电效应，并在理论上揭示了多层结构内层间相互作用对该效应的显著贡献。研究成果于9月11日在线发表在《自然·通讯》上，乔振华课题组的博士研究生王科为共同第一作者。具有陷波特性的UWB带通滤波器设计
摘要：基于复合左右手传输线理论，设计了一款新型超宽带（UWB）带通滤波器。该滤波器结构简单且尺寸只有0.288λg ×0.105λg （4.58 mm×12.62 mm）。通带为2.9~10.75 GHz，3 dB，10 dB分数带宽分别为115%，153.8%，通带内插入损耗小于0.5 dB，回波损耗小于–16.5 dB，边带抑制能力为–31.5 dB。为了抑制WLAN信号对超宽带通信系统的干扰，利用加载短截线谐振器的方法对该滤波器进行了陷波处理，陷波深度大于20 dB。滤波器实物测试与仿真结果相吻合，能应用于超宽带通信系统中。微型热导检测器的结构设计研究
摘要：基于MEMS技术设计了一种新型结构的微型热导检测器。选择了高电阻率、高温度系数的热敏元件，以四臂直通式作为结构模型，并对结构器件材料的热耗散性能进行仿真分析，采用热损耗最小的聚酰亚胺作为绝热层，以微加工工艺为基础完成了微型热导检测器的制作。实验结果表明，该新型热导检测器测量体积分数85%的标准气体时最大误差为0.068%，相比传统的热导检测器灵敏度提高约25%。青岛能源所等新型石墨炔储能材料研究获进展
摘要：石墨炔，是继富勒烯、碳纳米管、石墨烯之后，一种新的全碳纳米结构材料。它是由sp和sp2杂化形成的一种新型碳的同素异形体，是由1，3-二炔键将苯环共轭连接形成的具有二维平面网络结构的全碳材料。应用于WLAN/WiMAX的三频段微带缝隙天线设计
摘要：提出了一款新型平面三频段微带缝隙天线。首先设计了一个由阶梯阻抗辐射贴片构成的宽带天线，然后通过在贴片上开 C 型和 U 型缝隙，引入了两个陷波，实现了三频段天线。所设计三频段微带天线的三个频段的中心频率分别为2.54，3.56以及5.06 GHz。其中，第一频段电压驻波比（VSWR）≤2的阻抗带宽范围为2.32～2.76 GHz，第二频段VSWR≤2的阻抗带宽范围为3.34～3.78 GHz，第三频段VSWR≤2的阻抗带宽范围为3.96～6.16 GHz，天线的尺寸为52 mm ×56 mm×0.813 mm。该天线的频带范围包含了无线局域网（WLAN）和全球微波互联接入（WiMAX）的所有频段。
