导电胶在倒装芯片互连结构中的应用进展
摘要：介绍了导电胶的基本分类以及导电胶的渗透理论;讨论了各向异性导电胶（ACA）、各向同性导电胶（ICA）、绝缘粘合剂（NCA）在倒装芯片互连结构中的应用;分析了导电胶互连的可靠性。最后展望了导电胶的发展趋势。二维MoS_2纳米材料的制备及在光催化中的应用进展
摘要：二硫化钼（MoS2）是一种类石墨烯过渡金属二硫化物。单层MoS2凭借其超薄的层状结构和适宜的禁带宽度（1.9eV）,在纳米电子学,光电子学和微纳器件等领域备受关注。此外,凭借丰富的边缘结构、巨大的比表面积、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度,二维MoS2逐渐成为新型光催化材料的研究热点。综合近年来国内外关于二维MoS2在光催化领域的研究成果,详细归纳并梳理了二维MoS2的结构、性能及制备方法。特别关注了二维MoS2与其他半导体材料结合形成二元或三元光催化复合体系在光催化水解制氢和光催化降解有机污染物两方面的最新研究进展。最后,对二维MoS2在光催化领域的研究前景进行了展望。导电胶在倒装芯片互连结构中的应用进展
摘要：介绍了导电胶的基本分类以及导电胶的渗透理论；（ICA）、绝缘粘合剂（NCA）在倒装芯片互连结构中的应用；发展趋势。讨论了各向异性导电胶（ACA）、各向同性导电胶分析了导电胶互连的可靠性。压电俘能器研究现状及新发展
摘要：压电俘能器以其微型、环保、自供能的特点在微电子设备应用领域得到广泛关注。从压电俘能器常用的压电材料出发，简单总结了目前应用最广泛的压电陶瓷PZT、压电复合材料PVDF、1-3型压电纤维复合材料的性能和制备方法；阐述了压电俘能器的结构设计，在此基础上从提高压电能量俘获的效率和功率的角度重点介绍了接口电路的类型和俘获能量的效果，总结了压电俘能技术未来的研究趋势和方向。IGBT热阻测量方法的综述
摘要：通过对近年来国内外IGBT热阻测量技术进行分析,根据各方法测量原理不同归类为四种方法：热敏参数法、数学物理法、实测结温法、红外扫描法。描述了近年来热阻测量的不断改进之处,并总结了各测量方法的优缺点。最后分析了热阻测量的发展趋势和所需解决的关键问题。Ag-SnO_2触头材料制备工艺的研究现状与发展趋势
摘要：结合当前银基触头材料制备的研究现状,介绍了Ag-SnO2触头材料的传统制备方法——合金内氧化法和粉末冶金法,分析了各种新技术在传统制备工艺中的应用。综述了近年来国内外Ag-SnO2触头材料的新型制备工艺,对比讨论了各种制备方法的优缺点,并在现有制备技术的基础上,展望了Ag-SnO2触头材料制备的发展趋势。纳米WO_3/聚苯胺复合材料的制备及气敏性能
摘要：用过硫酸铵作为氧化剂,通过界面聚合法制备纳米聚苯胺,并进一步通过水热法制备了纳米WO3/聚苯胺复合材料。通过XRD、FTIR、TG-DTA、SEM等手段对不同聚苯胺掺杂（质量分数为1%,5%,10%）的WO3/聚苯胺复合材料进行了表征,并进行了气敏性能研究。结果显示,合成的球状纳米WO3包覆棒状聚苯胺核-壳结构复合材料主晶相为正交晶系,晶粒大小约为20 nm;掺杂质量分数10%的聚苯胺后,主晶相变为六方晶系,晶粒大小为15 nm左右。复合材料的分解温度提高到262℃左右。气敏性能研究表明,复合材料在室温对三甲胺显示出较好的气敏性能,对体积分数200×10–6的三甲胺的灵敏度达到4.8。晶界应力对BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻居里温度的影响
摘要：采用固相法制备了掺杂（K0.5Bi0.5）TiO3（KBT）的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料（K0.5Bi0.5）xBa（1–x）TiO3。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电阻-温度测试对材料的微观组织和热敏特性进行了表征,研究了晶界处应力对所制陶瓷材料居里温度（tC）的影响,发现通过构建更多的氧八面体结构来减小晶界应力有助于提高居里温度,并制出了居里温度为137℃的无铅PTC元件。CuBi_2（V_2O_5）掺杂Li_2O-ZnO-TiO_2系陶瓷的低温烧结和微波介电性能
摘要：以CuBi2（V2O5）（简称为CBV）低熔点氧化物为烧结助剂,采用传统的固相烧结工艺制备了CBV掺杂的Li2O-ZnO-TiO2系微波陶瓷。并利用XRD、SEM等研究了Li2O-ZnO-TiO2系陶瓷的烧结行为、物相组成、显微结构及微波介电性能等。结果表明：当CBV掺杂量为质量分数3.25%时,875℃烧结的Li2O-ZnO-TiO2陶瓷微波具有良好的微波介电性能：εr=25.63,Q·f=53400GHz,τf=–5.27×10–6/℃。Fe_（74）Co_xY_（6-x）B_（20）合金的热稳定性和磁性
摘要：采用单辊快淬法制备合金薄带Fe74CoxY6-xB20（粒子数分数x=2,3,4）合金系,取不同的温度对合金进行热处理,用X射线衍射（XRD）,差热分析仪（DSC）,振动样品磁强计（VSM）等测试手段对样品的晶化过程、热性能和磁性能进行研究。结果表明：制备的Fe74CoxY6–xB20均为非晶合金,Fe74CoxY6-xB20（x=2,3,4）非晶合金的晶化激活能分别为473.7,583.0和570.1kJ/mol,Fe74Co3Y3B20非晶合金热稳定性最好。非晶合金Fe74CoxY6-xB20（x=2,3,4）的饱和磁化强度MS分别为110,105和109A·m2·kg–1,矫顽力都较低,适量地添加Co提高了合金的非晶形成能力和磁性能。铁系氧化物对Bi2O3-ZnO-B2O3封接玻璃性能的影响
摘要：采用熔融淬冷法制备了铁系氧化物（Fe2O3、C02O3、Ni2O3）掺杂Bi2O3-ZnO-B2O3（BiZnB）系玻璃。分别采用差热分析法（DTA）、X射线衍射分析（XRD）、热膨胀仪等测试手段，研究各铁系氧化物对基础玻璃体系结构与性能的影响。结果表明，掺杂铁系氧化物后，BiZnB系玻璃的特征温度有所下降。玻璃转变温度（tg）从416℃降低至406℃，软化温度（tf）从464℃降至456℃，开始析晶温度（＆）从633℃最低降至609℃，其中Ni203的降低作用最为显著。铁系氧化物的掺杂使玻璃的线膨胀系数（a）从99×10-7／℃-1增大至108×10-7／℃-1。BiZnB系玻璃掺杂铁系氧化物后，仍具有良好的化学稳定性。塑封器件芯片与塑封料界面分层的研究
摘要：针对一款LQFP塑封器件，利用ANSYS有限软件建立了三维模型，根据断裂参数——J积分，讨论分析了芯片／塑封料界面的三种分层区域模型，得到了分层的主要扩展模型，即凸形分层区域，同时提出了一种分层扩展趋势的新模型，进而对凸形分层模型探讨了温度和裂纹半径对器件分层影响。仿真数据表明，在极端低温或高温下，器件的分层区域容易扩展；而在一定的应力条件下，裂纹扩展的趋势会受到裂纹半径大小的影响。全新SCHOTT TEC TO封装10Gbit/s带制冷器件的理想封装选择
摘要：2015年8月31日,德国高科技跨国公司肖特拓展了其面向10GBit/s应用的高性能TO封装设计组合,用于满足高频、带制冷有源器件应用的需求。全新的SCHOTT？TECTO封装可助力电信及数据通信领域开发出数据传输速率极高的应用,是需要热电制冷器（TEC）的10GBit/s激光器的理想选择,可实现中长距离传输。基于TO结构的封装,其尺寸也小于常规壳体式封装。黄铜矿结构CuInS_2薄膜的液相可控合成及电学性能表征
摘要：以无机盐作为金属源（InCl3、CuCl以及CS2）,采用溶剂热法制备CuInS2纳米粒子。利用XRD和TEM等检测技术对产物的结构、尺寸和形貌进行表征。分析结果表明,实验得到的样品为分散性良好的黄铜矿结构CuInS2纳米粒子。随后以易热解的铜铟硫金属有机前体作为成膜交联剂,采用旋涂法制备了CuInS2薄膜（厚度约为1.5μm）。进一步分析样品光电性能表明,制备的CuInS2薄膜适合作为薄膜太阳能电池的吸收层。温度对全钒液流电池性能的影响
摘要：全钒电池的传热参数优化和电堆温度分布的研究，对提高全钒电池的性能和可靠性起着重要的推进作用。基于对流传热的原理，提出了一个关于全钒液流电池系统的热模型，通过对不同流量和传热系数下全钒液流电池温度分布的研究，得到全钒电池电解液罐温度和电堆温度之间的关系。利用Fluent模拟仿真不同流量下电堆中电解液的温度分布。仿真结果表明，系统的对流换热参数和电解液流量是影响温度分布的重要因素，在该电池配置下电解液流量为90cm^3·s-1时，电堆的温度分布均匀，此时的电池性能较好。钒电池潜力被不断挖掘2017年市场规模将达11000亿
摘要：在新能源技术开发成为全球性发展趋势的时期，各种新能源的潜力被不断挖掘。近期，普能集团与攀钢集团、万里通公司研发出了一种千瓦级的钒电池产品已经批量生产，还有一款兆瓦级的钒电池产品处于商业化示范阶段。中国测试技术研究院为四川省钒电池产业关键技术研究提供测试技术服务
摘要：电池技术是新能源储能领域的研究热点。目前,锂电池和铅酸电池已得到广泛应用,但大容量锂电池造价成本高,铅酸电池容易造成环境污染且循环寿命差,在风能、光伏储能领域的应用前景十分有限。全钒液流电池（Vanadium Redox Flow Battery,VRB）具有大容量、低成本、功率可调的优点,已在日本、南非、北美等地用作电站调峰和太阳能、风力发电的储能介质。MEMS多层结构的热应力分析
摘要：温度载荷能够引起MEMS多层薄膜结构发生翘曲和分层等失效模式,而界面应力则是引起这些失效的直接原因。根据Suhir.E的双金属带热应力分布理论,对温度载荷作用下MEMS界面中的剪应力和剥离应力的分析表明,这两种应力随着与界面中心距离的增大呈指数增加,在界面端处达到最大值。界面应力与材料热膨胀系数和所加载温度呈线性相关,另外还与两材料层的厚度密切相关。以铜/铬组成的双层结构为例,利用Matlab数值仿真研究了界面应力与材料层厚度的关系,结果表明,界面应力与两材料层厚度比有关,当铜层和铬层厚度比为1.5时,层间剪应力和剥离应力均较小,可有效提高MEMS结构的可靠性,降低分层失效的概率。
