电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2015年第05期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

0.92MgAl2O4-0.08(Ca(0.8)Sr(0.2))TiO3介质陶瓷微波烧结的研究

摘要:采用微波烧结法和常规烧结法制备0.92MgAl2O4-0.08(Ca0.8Sr0.2)TiO3微波介质陶瓷,研究了两种烧结方式对陶瓷烧结性能、微观结构、相组成和介电性能的影响。结果表明:与传统烧结方式相比,微波烧结0.92Mg Al2O4-0.08(Ca0.8Sr0.2)TiO3陶瓷缩短了烧结周期,其物相组成无变化,微波烧结后的样品致密度高,晶粒细小,分布均匀,介电性能更加优异。在1 440℃下采用微波烧结20 min制备的0.92MgAl2O4-0.08(Ca0.8Sr0.2)TiO3陶瓷获得最佳的介电性能,εr=11.20,Q×f=56 217 GHz,τf=–3.4×10–6/℃。
1-4

BiFeO3改性BPCTZ低铅陶瓷介电和压电性能

摘要:采用固相合成法制备了(1-x)(Ba0.89Pb0.1Ca0.01)(Ti0.99Zr0.01)O3-xBiFeO3(BPCTZ-BF,0≤x≤0.01)压电陶瓷,研究了BiFeO3对BPCTZ陶瓷晶体结构,介电和压电性能的影响。XRD结果表明Bi3+和Fe3+均进入BPCTZ晶格中,形成了具有纯钙钛矿结构的固溶体。随着BiFeO3含量的增加,居里温度(tC)向高温方向移动,当BiFeO3含量为x=0.004时,陶瓷样品的居里温度达到最大值178℃。在x=0.002时,该体系陶瓷具有最佳的压电性能:压电常数d33=144 pC/N,平面机电耦合系数k P=0.242,机械品质因数Qm=184。
8-11

脉冲功率电容器用PbLa(ZrTi)O3陶瓷性能研究

摘要:采用固相反应法制备了Pb0.96La0.06(Zr1-xTix)O3陶瓷,研究了Ti含量对所制陶瓷的电性能和储能特性的影响。结果表明,PbLa(ZrTi)O3陶瓷介电常数与电场强度呈非线性变化关系。当Ti含量x为0.08时,所测电滞回线细长狭窄,并呈下凹趋势,此时极化强度为22.18×10–6 C/cm2,储能密度为1.06 J/cm3。通过流延法制备的脉冲功率电容器击穿电压可大幅度提升,储能密度达1.95 J/cm3,具有高能量转换效率。
12-14

铝阳极氧化残存水合氧化膜热稳定性研究

摘要:采用水煮和直流阳极氧化法在铝箔表面获得残存的水合膜,研究热处理对水合膜结构和性能的影响。热重-差示扫描量热仪(TG-DSC)和傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)测试表明,铝箔存在两个质量损失过程,200 ℃以下为铝箔表面吸附游离水的蒸发,200 ℃以上为水合膜中结构水的分解。X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:氧化膜分为内层的结晶 Al2O3和外层的羽毛状 Al2O3 xH2O 两层,经过不同温度热处理后,水合膜的厚度和形貌无明显变化。电化学性能测试表明,热处理后样品的耐压值略有增大,比容值减小,主要是由于少量水合膜脱水转化为结晶 Al2O3所致。
15-18

有机固体电解质钽电容器的失效机理及预防措施

摘要:有机固体电解质钽电容器具有等效串联电阻(Res)小,温和的失效模式和高频特性好等特点,在很多电子信息领域都显示出独特的优势。结合传统钽电解电容器的失效机理和大量的统计实验结果,对有机电解质钽电容器的失效模式进行了详细分析,指出了介质氧化膜的晶化及导电聚合物膜层失效是导致有机钽电容器失效的主要因素,并提供了相应的解决方案,为高可靠性片式有机钽电容器的生产提供了技术支撑。
23-26

无线充电和近场通信兼用贫铁MnZn铁氧体材料

摘要:采用传统的陶瓷工艺制备贫铁MnZn铁氧体材料Mn0.61Zn0.41Ti0.02Fe1.96O4,并采用流延工艺制备出厚度为100~150μm的贫铁MnZn铁氧体薄片。研究了贫铁MnZn铁氧体材料的微观形貌和晶相结构,测试了贫铁MnZn铁氧体材料的磁性能。研究表明,贫铁Mn Zn铁氧体在低频区域的磁性能与富铁MnZn铁氧体相当,并在13.56 MHz的高频区域仍保持了较高的磁导率。通过运用仿真软件CST模拟NFC(近场通信)天线的场强分布并根据可读写距离测试了铁氧体薄片的屏蔽能力,讨论了贫铁MnZn铁氧体材料同时运用于无线充电及近场通信的可行性。
38-41

新型CRLH传输线带通滤波器设计

摘要:设计了一种新型双负介质传输线结构,该传输线结构具有负的磁导率和负的介电常数,同传统的混合左右手(composite right/left-handed,CRLH)传输线相比,该结构以更简单的构成、更小的尺寸实现了更好的左手媒质特性。应用该结构设计制作了一个任意可调双频带谐波抑制带通滤波器,测量结果显示:该滤波器第一个通带位于2.45 GHz,具有0.5 dB的插损和56%(1 400 MHz)的3 dB带宽;第二个通带位于5.8 GHz,具有1 dB的插损和27%(1 600 MHz)的3 dB带宽。这种CRLH传输线滤波器在无线通信、导航等多频带微波系统中具有良好的应用价值。
42-45

兰州化物所高性能锂离子混合超级电容器研究获进展

摘要:在中国科学院兰州化学物理研究所"一三五"重点培育项目和国家自然科学基金等项目的资助下,兰州化物所清洁能源化学与材料实验室在高能量密度超级电容器研究方面取得新进展。作为一种新型的储能器件,锂离子混合超级电容器具有比常规超级电容器更高的能量密度,因此近年来备受研究者和工业界的广泛关注。
49-49

一种带曲率补偿的CMOS带隙基准源

摘要:设计了一种基于UMC 0.25μm BCD工艺的带隙基准电路。采用放大器钳位的传统实现方式,运用自偏置启动电路,鉴于对温漂的要求选用了二阶补偿电路。HSPICE仿真结果显示:在5.0 V供电电压下,温度在–40~+125℃变化时,基准输出1.196 2 V,波动范围为1.195 9~1.196 3 V,温度系数为3.76×10–6/℃;电源电压从2.5 V到5.0 V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率为0.38%,低频时电路的电源抑制比(PSRR)为–83 d B。
50-53

苏州纳米所锂硫电池研发取得进展

摘要:随着社会和科技的发展,人类对电化学储能技术的需求日益增大,研究人员都在寻找具有更高比能量的下一代二次电池。锂硫电池以硫为正极活性物质,基于硫与锂之间的可逆电化学反应来实现能量储存和释放,其理论比能量可达2 600 Wh/kg,是目前锂离子电池的3~5倍,有望被应用于动力电池、便携式电子产品等领域。锂硫电池领域重要科学与技术难题之一是单质硫及其放电产物Li2S2,Li2S是典型的电子和离子绝缘体。
53-53

基于DDS技术L波段小步进低相噪频率源设计与实现

摘要:将DDS技术应用于超短波射频通信频率源中,比较了几种常见的小步进频率源的设计方案,设计实现了一种"锁相环-直接数字频率合成器-锁相环"(PLL+DDS+PLL)结构的高性能频率源。与传统的频率源设计相比,新的设计更能够满足工程应用过程中小步进、低相噪、高集成度的需求;设计频率源输出频率范围为1 766.5~1 771.5 MHz,步进0.000 5 Hz,相位噪声在距输出频率10 k Hz处小于–95 d Bc,杂散抑制度优于70 d Bc。
54-57

光电转化可在50飞秒内完成 石墨烯将此速度推至极限有助多领域发展

摘要:据美国《每日科学》网站4月14日报道,西班牙和美国科学家合作研制出一种基于石墨烯的光电探测器转化仪,其能在不到50飞秒(1秒的一千万亿分之一)的时间内将光转化为电信号,几乎接近光电转化速度的极限,将大力助推多个领域的发展。高效的光电转化技术,因为能让光所携带的信息转化成可在电子电路中进行处理的电信号,
57-57

结构功能一体化相控阵天线高密度集成设计方法

摘要:提出了一种新的结构功能一体化相控阵天线的高密度集成设计方法。采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现了有源相控阵天线的一体化设计,包括天线阵面、瓦式收发(TR)组件、热控装置、馈电网络的高密度集成。采用ANSYS等软件对天线的系统体系构架、总体性能评估、共形承载天线罩、天线阵面、瓦式TR组件以及系统热设计进行仿真分析并进行实物加工和测试。结果表明,该天线的等效全向辐射功率(EIRP)为23.6 dBw,噪声为3.57 dB,测试值与设计值吻合很好。
61-65

基于正交设计的硅通孔信号完整性分析

摘要:针对硅通孔(Through Silicon Via;TSV)高度、直径和绝缘层厚度三个结构参数建立了25种不同水平组合的HFSS仿真模型,获取了这25种TSV的回波损耗和插入损耗并进行了方差分析。结果表明:随信号频率升高,TSV最大表面电场强度和插入损耗减小而回波损耗增大;在置信度为99%时,TSV高度是影响回波损耗和插入损耗的显著性因素;TSV直径和绝缘层厚度对回波损耗和插入损耗影响均不显著;TSV高度对回波损耗和插入损耗影响最大,其次是TSV直径,最后是绝缘层厚度。
66-70

基于纳米黑硅的新型MEMS红外光源

摘要:结合等离子体处理制备黑硅技术,研究了一种可用于非色散红外吸收光谱(non-dispersive infra-red,NDIR)气体传感器的微机电(micro-electro-mechanical systems,MEMS)红外光源。相较于其他MEMS红外光源,该光源以新型纳米黑硅材料作为辐射层,黑硅的近黑体特性使光源在3~5μm波段发射率可达到98%以上。光源采用四梁固支悬浮薄膜结构,可有效减小辐射区向硅基底的热传导;采用深反应离子刻蚀(DRIE)进行背面释放,有效减小了器件的尺寸。经测试,该光源的光谱辐射特性和调制特性均能满足NDIR气体传感器的要求,且简单的制备工艺使该光源易于实现大规模重复性制造,利于实现产业化推广。
71-74

薄膜铝空气电池阴极复合催化剂性能研究

摘要:采用棒状alpha-MnO2作为阴极主催化剂,并掺杂La2O3和CeO2制成复合型催化剂,使用1 mm厚碱性凝胶聚合物电解质膜,组装成薄膜聚合物电解质铝空气电池。在0.5×10–3 A·cm–2电流密度下恒流放电考察不同阴极催化剂的性能,Mn-La和Mn-Ce型电化学性能均低于Mn-La-Ce型催化剂。随后的实验中,分别测试了薄膜铝空气电池在0.8×10–3和1.1×10–3 A·cm–2电流密度下的放电性能,并在1.1×10–3 A·cm–2电流密度下得到其容量密度为8.91×10–3 Ah·cm–2,能量密度为11.46×10–3 Wh·cm–2,以及功率密度为1.42×10–3 W·cm–2。
75-78
电子元件与材料杂志研究简报

硅基太赫兹微环谐振器的设计与分析

摘要:太赫兹频段缺少有效的有源器件模型是制约硅基太赫兹集成电路快速发展主要阻碍。介绍了微环谐振器的工作原理及分析方法,研究了耦合系数和损耗系数与微环传输特性的关系,使用硅基材料设计了一种串联三微环结构的硅基太赫兹谐振器模型,通过改变微环的传输损耗系数、耦合系数,运用有限差分数值计算方法模拟得到微环谱线和延迟特性曲线,分析其对传输特性的影响,优化微环谐振器的参数设计,得到高性能的硅基太赫兹集成器件。
84-87

金属所等在铁电材料中发现通量全闭合畴结构

摘要:中国科学院金属研究所研究人员在铁电材料中发现通量全闭合畴结构以及由顺时针和逆时针闭合结构交替排列所构成的大尺度周期性阵列。4月16日,美国《科学》(Science)周刊率先通过Science Express在线发表了该项研究成果,并将在几周后以Report形式正式发表。这项工作由金属所沈阳材料科学国家(联合)实验室固体原子像研究部研究员马秀良、朱银莲和唐云龙等人组成的材料界面电子显微学研究团队与磁学及磁性材料研究部研究员张志东以及乌克兰和美国的科学家合作完成。
87-87