超磁致伸缩材料在骨传导听觉装置上的应用
摘要：超磁致伸缩材料（简称GMM）是制作低频换能器的理想功能材料。介绍了GMM的磁致伸缩机理及其本身特性；与传统磁致伸缩材料以及当前广泛应用在骨传导听觉装置上的电磁和压电材料进行了分析比较；综述了GMM在骨传导听觉装置上的应用现状；重点介绍了骨传导发音振子的设计构想，并且对超磁致伸缩式骨传导听觉装置在军事通信上的应用进行了展望。YSZ/Al2O3复合薄膜高温绝缘层的研究
摘要：采用电子束蒸发、射频磁控溅射、等离子喷涂等方法，在镍基高温合金基底上制备 YSZ（质量分数12%Y2O3稳定的 ZrO2）、Al2O3复合薄膜结构绝缘层，并研究了复合薄膜结构绝缘层在室温到800℃范围内的绝缘特性，以及高温对复合薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明：晶态 YSZ/非晶态 YSZ/Al2O3结构绝缘层在室温下的绝缘电阻大于1.2 GΩ，在800℃大气环境下有150 kΩ左右的绝缘电阻。在室温到800℃范围内，随温度升高其绝缘电阻呈近指数下降的变化规律。经过在800℃大气环境中热处理8 h，YSZ的立方相结构未发生改变，Al2O3表面十分致密，表明该复合结构绝缘层薄膜具有良好的高温绝缘性能和稳定性。碳纳米管薄膜微光纤气体传感器的模场分析
摘要：基于包层薄膜折射率对微光纤中传输光能量分布的影响，进一步用模场分析仪观察碳纳米管薄膜微光纤在与二甲苯气体接触时，输出光的能量分布和倏逝场的变化。实验结果显示，未镀膜的微光纤暴露在一定浓度的二甲苯气体环境下时，表现出对光很弱的约束能力；而把碳纳米管薄膜微光纤置于与之相同浓度的气体环境时，微光纤的输出光强减小，高阶模的能量发生不稳定的变化，最后待气体挥发完全至浓度稳定后，薄膜微光纤输出光场高阶模能量减小，微光纤的能量分布趋向于高斯分布。SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳电池的影响
摘要：以In掺杂CdS量子点太阳能电池为例，讨论了SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳能电池性能的影响。通过SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光谱、J-V曲线、EIS等实验测试结果表明，当In 掺杂CdS的摩尔比固定在1：5时，随着SILAR 次数的增加，电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率都随着增加，当SILAR次数为6次时，In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值（η=0.76%）。随着SILAR次数的继续增加，其光电转换效率将会下降。纳米钛粉改性环氧底漆对GFEP飞机电磁屏蔽性能的影响
摘要：航空电子设备的发展和地面电磁波源的迅速增多对玻璃纤维增强环氧树脂（GFEP）机身结构飞机的运行安全构成了威胁，亟需提升此类机身结构的电磁屏蔽性能。介绍了电磁屏蔽效能的计算方法，提出了在GFEP飞机机身涂覆纳米钛粉改性环氧底漆的应对方案。制备了纳米钛粉质量分数为1.0%的改性环氧底漆，研究了改性底漆对GFEP飞机机身典型结构样品电磁屏蔽性能的影响。结果表明：在300 kHz～1.5 GHz的测试范围内，涂覆改性底漆的测试样品的电磁屏蔽效能良好，达到9.5～29.7 dB。本征层厚度对非晶硅叠层电池电流匹配的影响
摘要：采用PECVD技术制备a-Si：H/a-Si：H叠层双结非晶硅电池，研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间，得到不同厚度比例的本征层（di1：di2），经过实验对比发现 I层总体厚度为650 nm，di1：di2=1：5时得到的电池组件短路电流（Isc）和最大功率（Pmax）都是最大值。此时叠层电池的电流得到了较好的匹配，实现了工艺参数的优化。应用于导电墨水的铜胶体的研究
摘要：将自制的纳米铜粉作为导电墨水的导电填料，通过添加一定量的分散剂、表面活性剂等其他助剂，超声波粉碎后制得纳米铜导电墨水。结果表明：随着固含量的增加，超声波分散时间越长，墨水的黏度越大。但电导率与超声波分散时间并无直接关系。随着固含量和烧结温度的增加，导电薄膜变得更致密、平整，电阻率逐渐降低。经过300℃烧结后电阻率可减至9.4×10^–3Ω·cm。一款900V VDMOS的VLD终端结构设计
摘要：采用横向变掺杂（Varied Lateral Doping, VLD）终端设计，通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端，并讨论了线性掺杂曲线与终端耐压之间的关系，最终在此基础上设计了一款900 V VDMOS功率器件。在140μm终端长度上仿真实现了947 V的耐压，且最大表面电场强度为1.65×10^5 V/cm，有效提高了终端的可靠性；与传统功率器件的制造工艺兼容，同时没有增加额外的掩膜与工艺步骤。合肥研究院超导纳米线研究取得新进展
摘要：中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研究员田明亮课题组和张昌锦课题组合作在单晶超导纳米线的超导体-绝缘体转变研究中取得新进展，相关研究结果在线发表在美国化学学会《Nano Letters》上。高压功率VDMOS元胞的研制
摘要：基于Sentaurus TCAD仿真软件，在外延层参数与生产工艺确定的情况下，通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻，并通过对版图元胞面积的准确计算，设计了三款导通电阻目标值为2.4，3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示，导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%，表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。并联型忆阻器混沌电路设计
摘要：利用磁控忆阻器、电感和电容三个元件并联设计了一种新型忆阻器混沌电路。采用常规的动力学分析方法研究了系统的基本动力学特性，例如相图、平衡点稳定性分析、李雅普诺夫指数谱和分岔图。结果表明该系统产生了一类特殊混沌吸引子，且随系统参数改变，系统可以产生丰富的混沌行为。为验证电路混沌行为，利用Pspice进行了相应的电路仿真，仿真结果与理论分析、数值仿真基本一致。基于半圆异向波导的新型带通滤波器
摘要：根据异向传输线原理设计了一种半圆异向波导单元，基于该单元提出了一种新型带通滤波器。利用HFSS软件对级联的四阶单元进行仿真，研究了其不同结构参数对电磁波传输的影响。用八阶单元构成中心频率为2.8 GHz的新型带通滤波器，利用HFSS软件在S波段对其进行模拟。结果为：异向通带为2.25~3.25 GHz，3 dB带宽达35.7%。利用理论分析与仿真相结合的方法，验证了该滤波器具有异向特性，与常规波导滤波器及基于微带线异向传输线实现的滤波器相比该滤波器具有小尺寸、低成本、高功率容量、低损耗、带外衰减特性好等优点。一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准源设计
摘要：基于OKI（冲电气工业株式会社）0.5μm BCD（Bipolar, CMOS and DMOS）工艺，设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式，将一个类指数性质的电流叠加到基准源的核心部分，达到曲率补偿的效果。仿真结果表明，在5 V供电电压下，223~423 K （–50~＋150℃）内，基准电压的波动范围为1.175~1.182 V，温漂为2.15×10^–6/K，具有较高精度，低频时电路电源抑制比为–64 dB，整体静态电流仅为5.6μA。基于伏安曲线的熔断器熔断电流的无损检测
摘要：调节熔断器电流的同时测量熔断器两端的电压，获得待测熔断器的U-I曲线并计算出U-R曲线，对比两种曲线分析了熔断机理和规律，发现当熔断器的U-I曲线开始偏离直线时表示其即将熔断，此时所对应的电流可以较准确地表征待测熔断器的实际熔断电流。U-I 曲线检测方法简便并且对待测样品几乎无损，实验表明经过该法检测合格的熔断器可以更安全可靠地工作。工业级FPGA空间应用器件封装可靠性分析
摘要：分析了工业级和宇航级FPGA（Field Programmable Gate Array）在封装结构上的差别。用Ansysworkbench有限元软件对热循环、随机振动和外力载荷下封装的变形和应力以及焊点的塑性应变进行了仿真。依据剪切塑性应变变化范围预测了焊点热疲劳寿命。结果表明，FCBGA（Flip-Chip Ball Grid Array）封装内部倒装芯片焊点可靠性低于CCGA（Ceramic Column Grid Array）封装，其外部焊点的热疲劳寿命、随机振动等效应力均优于CCGA封装；在外力载荷下，其热疲劳寿命下降速率也明显小于CCGA封装。数值模拟法研究LED阵列散热器的热性能
摘要：采用计算流体力学（CFD）方法设计了LED阵列散热器的结构，模拟了散热器的热特性。基于回归分析法，推导阵列散热器的平均努谢尔特准则关联式。结果表明：散热器的模拟结果与实验结果基本吻合，表明所建立的数学模型对研究散热器的热特性和结构设计是可行的。合肥研究院实现银纳米线透明导电薄膜制备及加热器性能调控
摘要：近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究人员在制备超高长径比银纳米线方面发现了一种简易的新方法，并在所获得高品质银纳米线材料的基础上，制备了光/电性能优异的透明导电薄膜，并将其应用于透明加热器，成功实现了加热器加热温度、响应时间等性能的调控。智能手机和可穿戴设备能量收集技术
摘要：随着智能手机和可穿戴设备的普及，有限的电池容量限制了它们的进一步发展。降低功耗以“节流”不能从根本上解决问题，应从开源的角度来考虑。能量收集技术从外界环境或者人体收集能量为电池充电，为此问题提供了可行的解决方案。主要分析了能量收集系统中能量来源、调压电路、存储模块和最大功率点追踪算法几个方面的技术，指出提高转换效率是未来能量收集技术的主要发展方向。
