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电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》科技期刊,国内外公开发行,北大核心期刊,综合影响因子:0.368。电子元件与材料报道国内外混合微电子、磁性材料的基础理论、科技创新成果。
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.491
  • 综合影响因子:0.467
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电子元件与材料 2015年第01期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

超级电容器电极材料研究最新进展

摘要:超级电容器是介于传统电容器与化学电源之间的一种新型储能元件,它具有充电时间短、循环寿命长、功率特性好、温度范围宽和经济环保等优势,目前在很多领域都受到广泛关注。概述了超级电容器电极材料研究的最新进展,包括碳基材料、金属氧化物材料及导电聚合物材料等,并在此基础上对其未来发展趋势进行了展望。
1-8

用于三维封装的铜-铜低温键合技术进展

摘要:在三维系统封装技术中,金属热压键合是实现多层芯片堆叠和垂直互连的关键技术。为了解决热压键合产生的高温带来的不利影响,工业界和各大科研机构相继开发出了多种低温键合技术。综述了多种不同的低温金属键合技术(主要是Cu-Cu键合),重点阐述了国内外低温金属键合技术的最新研究进展及成果,并对不同低温金属键合技术的优缺点进行了分析和比较。
9-14
电子元件与材料杂志研究与试制

(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3系抗还原高频介质瓷料的研究

摘要:采用固相合成法制备了(Ca, Sr)(Zr, Ti)O3(简称CSZT)系电容器陶瓷材料,研究了主晶相组分对所制材料介电性能的影响。结果表明:通过调整主晶相CSZT中各组分的配比,再加入适量的烧结助剂,能得到一种可在还原气氛中烧结的高频介质瓷料,该瓷料可与镍内电极共烧,其相对介电常数约为89,介质损耗(tanδ)小于5×10–4,绝缘电阻达到1012Ω,介电常数温度系数为–1037×10–6/℃。
15-17

单层石墨烯在空气中的热稳定性研究

摘要:采用化学气相沉积方法制备了高质量的大面积单层石墨烯,利用拉曼光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜对在空气中热处理前后的石墨烯进行了表征,研究了单层石墨烯在空气中的热稳定性。结果表明,在空气中热处理后,石墨烯的缺陷明显增加,晶粒发生细化,其主要是由于热处理后石墨烯会发生轻微的氧化,表面形成 C O及C—OH键。另外,由于石墨烯与衬底的结合形态有所变化,使得热处理后石墨烯表面更趋平整。
18-21

本土半导体封装企业“淡季不淡”

摘要:近期,全球半导体龙头企业纷纷表示将继续加大在中国大陆的投资和合作,与以往合作不同的是,合作已经不将人力成本和融资成本作为最大的看点,主要涉及龙头企业的最先进的技术。
25-25

封装用铜框架表面化学组成和粘接强度

摘要:电子封装用铜框架表面采用不同温度处理,与电子封装用环氧材料复合制备用于拉伸测试的Tap pull样品。XPS分析表明,一般铜框架表面成分包括一价的氧化亚铜和二价的氢氧化铜等。175℃热处理120 min可使表面的二价氧化铜质量分数达到73%,氧化铜和表面约20%的氢氧化铜一起显著提高界面的粘接性能。
26-28

锡后处理对锡镀层性能的影响

摘要:分别测试了纯锡镀层经钝化及金属保护剂处理后的孔隙率、防变色能力、可焊、回流焊性能及抑制锡须生长情况。试验结果表明:对纯锡层采用钝化和金属保护剂处理均能有效降低镀层的孔隙率,提高镀层的防变色能力。金属保护剂处理能有效防止锡层的氧化,延长产品的储存寿命,对焊接性能无影响,同时能有效抑制锡须生长;钝化处理降低了锡镀层的焊接性能,对抑制锡须生长作用不明显。
29-31

高温铜电子浆料的制备及性能研究

摘要:以铜粉、玻璃粉和有机载体为原料,采用丝网印刷将铜浆料印刷到氧化铝陶瓷基片上,制备高温烧结型铜电子浆料。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪和四探针导电性测试仪对烧结后的试样行了表征。结果表明:在氮气保护性气氛下、烧结温度为450℃、玻璃粉质量分数为8%时,铜电子浆料烧结后的铜导电膜层导电性最佳,方阻值为23.62 mΩ/□,133 d内电阻的变化率仅为28.7%,铜导电膜层光滑平整。
32-35

TiO 2/SrTiO 3薄膜电极制备及其光电化学性能研究

摘要:采用商用P25TiO2为原料制备纳米多孔TiO2电极,用水热法在多孔TiO2表面包覆SrTiO3。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外-可见光谱仪对TiO 2/SrTiO 3薄膜电极进行表征。探讨了水热反应温度对TiO 2/SrTiO 3薄膜电极组装染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电化学性能影响。结果表明:在纳米多孔TiO2电极表面生成了均匀的SrTiO 3包覆层,且SrTiO 3包覆的样品吸收边有红移;与TiO 2薄膜电极相比,不同水热反应温度下制备的TiO 2/SrTiO 3薄膜电极组装DSSC的光电转换效率均有所提高,180℃时全光转换效率提高了24%。
36-39

高可靠性车载用功率电感器的开发与量产

摘要:近来年,随着汽车电子化的发展,电子控制单元(ECU)日益增多,在这些电源电路中都会用到功率电感器。TDK近日开发出可满足–55~+150℃宽温度范围的高效、高可靠性的功率电感器CLF6045NI-D系列产品,它们能够对应使用条件最为严格的发动机舱内的严酷环境。该系列产品将从2015年2月起开始量产。产品符合AEC-Q200。TDK凭借独有的材料技术,选择高耐热性材料,断线部分引进焊接工法,实现无焊接结构。此外,还凭借独有的结构设计,提高了机械强度,可应用于发动机控制模块(ECM)、安全气囊、ABS、前大灯等的ECU。并且通过引进自动化流线型生成线的制造工序,实现了高可靠性、高质量的产品供应。
44-44

Pb0.88La0.08(ZrxTi1-x)O3铁电厚膜介电与储能性能研究

摘要:采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si(100)底电极上成功制备了厚度为1μm的Pb0.88La0.08(ZrxTi1–x)O3(PLZT, x=0.30,0.55,0.80)铁电厚膜。研究了不同Zr/Ti比对PLZT铁电厚膜的介电与储能性能的影响。结果表明,随着PLZT中Zr含量的增加,厚膜材料的储能密度与储能效率均增大,Pb 0.88 La 0.08(Zr 0.8 Ti 0.2)O 3厚膜在1400×103 V/cm的储能密度为23.8 J/cm3,储能效率为60%。
45-48

铁电材料有望使计算机告别硅时代计算处理与存储为一体

摘要:经过几十年的反复再造,硅晶体管开始显现出了其发展的瓶颈,整个行业都开始寻找它的替代品。目前,一种新的符合计算机行业使用要求的材料出现在人们面前。如果这种材料可以成功运用于计算机领域,这将使计算机处理器不仅能有效提高能源利用率,而且能够提高运算能力和存储能力。
48-48

水溶性聚苯胺/SmBaCu0.7Mn0.3O5+δ材料的制备与氨敏性能研究

摘要:采用化学氧化法制备了水溶性聚苯胺(PANI),用溶胶-凝胶法制备了SmBaCu1-yMnyO5+δ(y=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6)(SBCM)粉体,用微粒填充法制备了PANI / SBCM复合材料。利用FT-IR、XRD、TEM多种手段对产物进行表征,并制成气敏元件,在室温操作温度下测试其对氨气的灵敏度。结果表明,在相同条件下,在PANI元件、SBCM元件及PANI / SBCM元件气敏测试中,PANI/SmBaCu0.7Mn0.3O5+δ(PANI/SBC70M30)元件对氨气的气敏性能最优,对体积分数为100×10–6的NH 3灵敏度在室温条件下达到最大值为4.66,同时还具有较好的选择性、响应-恢复特性与稳定性,响应时间和恢复时间分别为16和121 s。
49-53

全球最小5合1传感器带来人机交互新体验

摘要:人机交互技术正在触觉、视觉、听觉和非接触式手势识别等多元且互补的融合中不断发展。如何在智能手机、平板电脑、可穿戴式设备、家庭自动化及控制等领域提供高度集成化、功能强大的小型传感器,为用户提供直观、无缝的交互界面,使智能设备无需触碰操控也能识别用户动作并做出回应,是相当多传感器厂商孜孜以求的目标。
53-53

阳极TiO 2纳米管的形貌及其光解水性能研究

摘要:采用电化学阳极氧化法制备了阳极氧化钛纳米管(Anodic TiO2 Nanotubes (ATNT)),用场发射扫描电镜和高分辨透射电镜表征了其形貌,并研究了ATNT的形貌对其光解水性能的影响。结果表明,阳极氧化120 min (长度为16.781μm)的ATNT光电流密度最高。此外,为了改善ATNT表面缺陷,又采用原子层沉积(ALD)法在ATNT表面沉积了一层高质量Al2O3,结果表明,经过钝化后的ATNT,其光电流密度相对于没有Al2O3层的ATNT提高了50%。
54-57

Fe掺杂GdBaCo2O5.5-δ的变磁性行为研究

摘要:采用固相反应法制备了GdBaCo1.8Fe0.2O5.5–δ块体,通过XRD及PPMS测量表征了样品的结构及磁性特征。研究结果表明,样品为单相正交层状钙钛矿结构,样品磁矩和测量历史有关,呈现团簇玻璃行为。样品在反铁磁奈尔温度以下存在变磁性转变行为,转变磁场区域较宽,转变磁场强度随着温度升高而降低。这些磁性行为被认为和掺铁样品中的相分离相关。
58-61

移动创未来5G中的超宽带技术

摘要:回顾过往历史,业界每隔10年就会发布一项新的行动通讯标准,例如从1980年代的1G、1990年的2G以及2000年的3G,再到近期迅速发展的4G标准。Ericsson认为下一代5G标准的采纳时间将会落在2020年,因此必需由当前开始进行布局,以因应未来次世代通讯技术的推出。
72-72

新型结构LTCC小型化带通滤波器的设计

摘要:提出了一种基于LTCC的由五个新型谐振腔组成的小型化带通滤波器。结合电路仿真以及三维电磁场仿真,辅之以DOE(design of experiment)的设计方法,该滤波器被设计并进行仿真测试。结果表明,该滤波器中心频率为6.5 GHz,其1 dB带宽为1.4 GHz,在1~4 GHz和8~14 GHz频率上的衰减均优于40 dB,体积仅为3 mm×2 mm×1.2 mm。
73-75

导入相位阵列IBM/Ericsson携手打造5G天线

摘要:IBM与爱立信(Ericsson)合作进行5G天线研发,将以相位式阵列(Phased-Array)天线设计,提升现行的网络数据传输速度,并在相同频率上提供多种全新服务,为广大的行动装置用户带来更好的使用体验。
75-75

基于悬置微带线的U波段分谐波混频器设计

摘要:采用商用DMK2308GaAs肖特基二极管管对,设计了一种U波段分谐波混频器。利用全波电磁场分析算法提取了二极管管对无源部分的寄生参量,建立了二极管管对的等效电路模型,并用于分谐波混频器的设计。测试结果显示:本振功率为10 dBm时,变频损耗在50~58 GHz小于14.5 dB,与仿真结果基本吻合,证明了所建模型的有效性。
76-79

业界推出首款15W Qi兼容的无线充电解决方案

摘要:飞思卡尔半导体日前推出业界首款15 W Qi兼容的无线充电解决方案,进一步扩展了其无线充电产品组合,使用户距离无线物联网未来(Internet of Tomorrow)又近了一步。该解决方案为针对平板电脑、大屏幕智能手机和便携式工业及医疗设备等各种大型移动设备的超快速无线充电铺平了道路。
79-79

一种输出电压可调带隙基准源设计

摘要:设计了一种输出电压可调的带隙基准源,其基于TSMC 0.18μm工艺,采用Cadence进行仿真验证。仿真结果显示,带隙基准源电压源在–25~+100℃内,温度系数为29×10–6/℃,电源抑制比PRSS在低频下为63 dB。在1.8 V的电源工作电压下,其输出电压为750 mV,电压可调节范围约20%,即从600 mV至900 mV,其输出电压可调的特性,使得其使用范围扩大。
80-83

凌力尔特公司全新开关稳压器LT8640在2 MHz提供95%效率

摘要:凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出5 A、42 V输入同步降压型开关稳压器LT8640。该器件采用独特的Silent Switcher架构,整合了扩展频谱调制,即使开关频率超过2 MHz时,依然能够将EMI/EMC辐射降低超过25 dB,从而使该器件能够轻松地满足汽车CISPR25 Class 5峰值限制要求。同步整流在开关频率为2 MHz时可提供高达95%的效率。其3.4 V至42 V输入电压范围使该器件非常适合汽车和工业应用。
83-83

一种基于降压DC-DC转换器的高性能误差放大器设计

摘要:基于降压型DC-DC转换器的工作原理,从系统需要出发,提出一种高性能的误差放大器。该误差放大器的输入级采用偏置电流消除结构,避免其输入对基准电压产生影响;核心电路采用对称性的差分运放结构,引入正反馈结构和负反馈电阻以提高其性能,电路结构采用CSMC 0.5μm BCD工艺。仿真结果表明该误差放大器跨导为1.5 mS,共模下限可以从0开始,共模抑制比为106 dB,失调电压为208.3μV,功耗约为100μW,验证了该放大器的良好性能。
88-91
电子元件与材料杂志可靠性

多层瓷介电容器绝缘特性RC的研究

摘要:采用N-沟道MOS场效应晶体管搭建电路,测得了多层瓷介电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ,对比了Ni和Pd/Ag内电极多层瓷介电容器的绝缘特性RC(绝缘电阻乘以电容量)指标,分析了Ni内电极绝缘特性较差的原因和潜在风险。结果表明:RC反映了介质材料的本身属性,代表电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ;Ni内电极的RC考核指标相对于Pd/Ag内电极从1000 s降至100 s;Ni内电极多层瓷介电容器在高可靠长寿命电路使用时应提高其绝缘特性RC的考核指标。
92-95

功率MOSFET管的热疲劳寿命预测

摘要:通过ANSYS有限元分析软件对TO-263器件功率MOSFET管进行电-热-机械耦合分析,并对其热疲劳寿命作出预测。首先进行了瞬态热分析,得出了芯片的热通量变化图,在此基础上进行模拟并通过 Coffin-Manson定律预测功率MOSFET管的热疲劳寿命。结果表明,TO-263器件功率MOSFET管的热疲劳失效循环总数为6113。
96-99

国际整流器公司针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET

摘要:全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。
99-99
电子元件与材料杂志研究简报

一种五频PIFA手机天线设计

摘要:提出了一种平面倒F五频手机天线,通过辐射贴片开缝和增加寄生单元,实现天线小型化和多频段需求。仿真结果表明,天线在回波损耗S11〈-dB时,工作频段完全覆盖了GSM900MHz、DCSl800MHz、DCSl900MHz、LTE2300MHz和ISM2450MHz的所有频率,工作性能良好,且增益均大于2dBi。该天线结构简单易于实现,便于集成,可满足多频手机应用要求。
100-101

降维算法设计低阶线性Kalman滤波器

摘要:基于四元数微分方程,采用四阶龙格.库塔法处理输出数据,建立了递推关系式,并以四元数作为系统的状态矢量,构成一种四维Kalman滤波器。最后,在DM3730Cortex.A8处理器平台上对算法进行了实现和实验验证。实验结果表明,经过降维处理后的算法,显著降低了算法的实现复杂度和计算量,滤波效果及实时性能均达到了预期的目标,具有较强的实用性。
102-104

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