电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2014年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

基于专利分析的全球纳米光电技术发展趋势研究

摘要:首先对全球纳米光电技术的发展概况进行了概述。然后,基于德温特专利数据库,利用汤姆森数据分析器(TDA)及其他分析工具,以全球纳米光电技术领域的专利为研究对象,从宏观、中观、微观三重视角,对专利的全球年度申请量、技术生命周期、重点国家/地区专利申请态势、技术布局及领先机构研发重点等进行了分析,揭示了全球纳米光电技术的研发和竞争态势。
1-5
电子元件与材料杂志研究与试制

低温烧结(1-x)Ba3(VO4)2-xLi2WO4微波介质陶瓷的研究

摘要:为了获得低温烧结的陶瓷材料,用固相反应制备了(1–x)Ba3(VO4)2-x Li2WO4(0.05≤x≤0.20)微波介质陶瓷。实验结果表明:随着添加剂Li2WO4的增加,复合陶瓷的相对体密度、相对介电常数εr和品质因数Q·f都呈现出先增加随后又降低的趋势,而谐振频率温度系数τf呈线性降低。添加了摩尔分数0.15Li2WO4的微波介质陶瓷在850℃烧结2 h达到约96.8%的致密度,并获得最佳的微波介电性能:εr=13.7,Q·f=97000 GHz,τf=1.8×10^-6/℃。
6-9

三氧化二钕掺杂量对低温烧结BST陶瓷介电性能的影响

摘要:采用固相法,研究了Nd2O3掺杂量对ZBS玻璃添加的Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)基低温烧结的陶瓷的物相组成、显微结构及介电性能的影响。结果表明:Nd2O3的掺杂并没有改变低温烧结的BST基陶瓷的物相结构,仍为单一钙钛矿结构。随着Nd2O3掺杂量的增大,BST基陶瓷的介电常数先增大然后减小,介质损耗先减小然后增大。当Nd2O3添加质量分数为1.5%,烧结温度为975℃时,BST基陶瓷的综合性能较好,此时相对介电常数为667,介质损耗为0.01,在–30-+85℃容温变化率为–35.2%-14.8%。
10-13

PbTiO3压电陶瓷掺杂改性研究

摘要:为了获得适用于剪切振动模式的钛酸铅(Pb Ti O3)压电陶瓷材料,通过XRD、SEM等实验与分析,研究了不同掺杂元素Ca、Co、W、Mn和掺杂量对Pb Ti O3压电陶瓷材料性能的影响。结果表明,掺杂后得到的改性压电陶瓷配方为Pb(1–x)Cax Ti(0.96–y)(Co0.50W0.50)0.04Mny O3,当x=0.24,y=0.025时,其相对介电常数εr为200,K15为35%,Qm为1 000,频率变化率小于±0.15%(–40-+85℃),适用于剪切振动模式。
14-16

Zn掺杂对Ni-Mn-Cu-O系NTC热敏电阻的影响

摘要:采用传统固相反应法制备了Zn掺杂的Ni0.5Mn2.38–x Cu0.12Znx O4(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)系列MF58型NTC热敏电阻工业化产品,使用XRD、SEM、XPS等技术手段表征了所制陶瓷烧结体的晶体结构、微观结构和成分,重点考察了Zn元素含量对热敏电阻电学性能和老化值的影响。结果表明:随着Zn含量的增加,Ni0.5Mn2.38–x Cu0.12Znx O4固溶体的晶体结构从立方尖晶石转变成四方尖晶石,样品的电阻率和热敏常数B值呈现逐步增加的趋势,同时老化值显著减小,当x=0.8时,其在150℃放置6天后的老化值可低至0.33%。
17-20

SiO2含量对FeCo/SiO2复合薄膜结构和磁性能的影响

摘要:采用溶胶-凝胶旋涂法并结合氢气还原工艺,在Si(001)基片上制备了FeCo/SiO2复合薄膜,利用X射线衍射、原子力显微镜和振动样品磁强计研究了SiO2含量对薄膜样品的结构、形貌和磁性能的影响。结果表明,随着SiO2含量的增加,FeCo/SiO2薄膜中FeCo的晶粒尺寸减小,样品的矫顽力呈现先略有降低然后增加的趋势。当w(SiO2)低于43%时,Fe Co具有较明显的(200)晶面择优取向。当w(SiO2)为23%时,FeCo的(200)晶面择优取向度最高,样品的矫顽力最小,复合薄膜具有较好的软磁性能和较大的垂直磁晶各向异性。
21-24

拓扑绝缘体材料中不饱和线性磁电阻研究获进展

摘要:一直以来,大磁电阻的材料由于其在基础研究和器件应用中所起的重要作用而备受关注。半个世纪来,研究发现材料的经典磁电阻随外磁场具有二次方关系,在大磁场下,磁电阻趋于饱和。特殊的是,非饱和线性磁电阻可能存在于具有开放费米面材料中。在能隙接近零(或较小)的半导体材料中发现多种有趣的磁电阻现象,如在银掺杂Ag2+δSe和Ag2+δTe材料中发现反常大的线性磁电阻,很多理论试图解释这种非饱和线性磁电阻。
24-24

阵列型高功率薄膜匹配负载研究

摘要:基于功率分配思想和简化实频法设计了频率为DC-20 GHz,承载功率为40 W的阵列型微波薄膜匹配负载器件;采用丝网印刷工艺和射频磁控溅射工艺制备了设计的Ta N薄膜匹配负载器件。研究了所制器件的性能,结果表明,在DC-23.6 GHz,电压驻波比均小于1.3。加载功率为8,18,40 W时,薄膜表面的最高温度分别为37.6,59.5,113.6℃。热成像测试结果表明,所设计器件的两个电阻膜温度基本一致,实现了功率的平均分配。
25-28

高分子辅助沉积法(PAD)制备LaBaCo2O5+δ薄膜的研究

摘要:用高分子辅助沉积法在Si(001)基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5+δ(LBCO)薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si(001)薄膜是(111)择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM照片可以看出,LBCO薄膜的晶粒大小并不均匀,其大的晶粒尺寸为1-2μm,小的晶粒尺寸为0.1-0.2μm;同时,可以明显观察到一些小的空隙,这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在LBCO薄膜的电阻(R)-温度(t)曲线测试中,电阻随温度的升高先急剧下降后缓慢下降,表明LBCO薄膜具有典型的半导体材料性质。LBCO薄膜在纯氧和空气中电阻的最低值分别为36Ω和382Ω,前者为后者的1/10,说明LBCO薄膜对氧气具有敏感性。
29-32

LaBaCo2O5+δ薄膜的电输运及氧敏性质研究

摘要:采用高分子辅助沉积法制备了Si基La BaCo2O5+δ(LBCO)薄膜,主要研究了Si基LBCO薄膜的电输运性质及氧敏性质。通过对LBCO薄膜的电输运性质研究,发现LaBaCo2O5+δ薄膜的激活能Ea为0.32 e V,远小于同类体材料PrBaCo2O5+δ激活能(Ea=0.67 e V),说明将材料薄膜化以后,有利于降低材料的激活能;此外,LBCO薄膜阻-温曲线满足小极化子热激化跳跃理论,证明该材料的导电机制是小极化子电子电导。氧敏性质研究发现,在较低的温度356℃下,当测试气体从氢气切换到氧气时,薄膜电阻从3×10^5Ω迅速下降到4.5×10^2Ω(ΔR≈3.0×10^5Ω),响应时间为4.2 s,说明在较低温度下,LBCO薄膜对氧气具有较高的敏感度。同时,发现LBCO薄膜材料导电能力并不与氧气的浓度成正比。
33-36

纯锡的速率相关性变形行为

摘要:考察了纯锡在拉伸载荷下的力学性能及形变,探讨了应变速率对纯锡的变形机制的影响。采用扫描电镜形貌观察,对比不同应变速率(0.001-0.1 s^-1)下样品表面的晶粒形貌、形变特征、断口信息。发现在较低的应变速率(0.001 s^-1)下,纯锡的形变机制以蠕变为主要模式;在较高的应变速率(0.1 s^-1)下,形变机制以位错滑移为主要特征。
37-40

片状还原铁粉的制备及电磁性能研究

摘要:以小于250目(58μm)的还原铁粉为原料,直径3 mm的ZrO2球为磨球,采用湿法球磨制得片状还原铁粉;利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和矢量网络分析仪分别表征了球磨前后还原铁粉的形貌、物相结构和其在2-18 GHz的电磁参数,并运用传输线理论模拟了其反射率(RL)。结果表明:球磨后的还原铁粉呈片状,片厚度为100-200 nm;与球磨前样品相比,球磨后样品的ε′和μ′增大约2倍,ε″增大7-10倍,μ″增大2-4倍;相应2 mm厚的涂层在8.12 GHz有最小RL=–60 d B,RL〈–10 d B的带宽为9.48 GHz(5.12-14.60 GHz)。
41-44

助熔剂对Ca0.7Sr0.3MoO4∶Eu^3+红色荧光粉发光性能的影响

摘要:采用高温固相法并添加不同助熔剂(H3BO3、不同氟化物以及H3BO3与Al F3的组合)制备出了Ca0.7Sr0.3Mo O4∶Eu^3+红色荧光粉。通过XRD、激发和发射光谱研究了助熔剂对荧光粉的物相和发光性能的影响。研究表明,除Ca F2外,其他种类助熔剂的添加均能提高荧光粉的发光强度,且不影响样品的物相结构。H3BO3的最佳用量为荧光粉质量的1%;在氟化物助熔剂中,用量为荧光粉质量的2%的Al F3对荧光粉发光强度的提高最为显著。当以H3BO3与Al F3同时作为助熔剂制备荧光粉时,效果要好于单一助熔剂。
45-48

碱性体系下水热合成ZnS∶Sm微球及其发光特性

摘要:以硝酸锌和硫粉分别为锌源和硫源,利用水热法在碱性体系下合成了具有光谱下转换功能的Zn S∶Sm微球。探讨了Sm^3+掺杂浓度、反应温度对Zn S∶Sm微球的晶相结构和发光性质的影响。采用SEM、XRD、PL和PLE等对微球的晶体形貌、物相结构和荧光性能进行表征。结果表明,Sm3+掺杂浓度越高,晶体中发光中心越多、发光越强,但Sm^3+掺杂浓度达到摩尔分数5%时,在浓度淬灭和Zn S晶格畸变的双重作用下,导致发光减弱。反应温度越高,晶体生长越完整,晶体的发光越强。
49-51

应用于WLAN/WiMAX的双1型双频微带天线设计

摘要:设计了一种同轴馈电的双1型缝隙结构的双频微带贴片天线。采用加载缝隙的方法改变圆形贴片表面电流路径来实现天线的双频带工作,利用电磁仿真软件HFSS 14.0对天线特性进行仿真,通过分析缝隙宽度和长度对天线辐射特性的影响,获得了最佳结构参数。结果表明,当回波损耗小于–10 d B,天线工作于2.57-2.63 GHz和5.78-5.84 GHz,且相对带宽分别达到2.3%和1.0%,天线的整体辐射特性良好,且结构简单,易于实现,可应用在微波存取全球互通(Wi MAX 2.6 GHz)和无线局域网络(WLAN 5.8 GHz)。
52-56

WLAN频段新型EBG微带天线的设计与分析

摘要:利用微带贴片开槽和同轴馈电技术,通过在普通微带贴片的周围加载新型EBG(Electromagnetic Band-gap)结构,实现了一款工作于WLAN(Wireless Local Area Network)频段的新型DL-EBG微带天线。运用HFSS进行建模仿真,结果表明:新型EBG微带天线出现了4个谐振点,分别为:5.10,5.30,5.60和5.70 GHz,它们的工作频段为5.02-5.98 GHz,带宽960 MHz,比未加载EBG结构的微带天线增加了380 MHz,且可以明显看出覆盖了WLAN系统的5G频段。天线整体尺寸为29.4 mm×29.4 mm,有效实现了小型化。
57-60

一种分高低压供电的低压差线性稳压器的设计

摘要:针对传统低压供电的低压差线性稳压器线性响应比较慢的情况,提出了一种基于 BICMOS 0.5 μm 工艺分高低压供电的低压差线性稳压器。经过 Hspice 仿真验证, 该稳压器具有高增益、高 PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)、低功耗、响应速度快的特点,输入电压范围为 0.5-28.0 V,输出电压为 5 V。此稳定器低频时的开环增益达到 86 dB,相位裕度为 68o,低频时的电源电压抑制比为–91 dB,高频时也能达到–2 dB,静态电流只有 13.5 μA。
61-64

苏州纳米所柔性印刷碳纳米管电路研究取得新进展

摘要:随着各种新型高性能无机、有机半导体材料和无机/有机半导体复合材料的出现,以及新型印刷设备、印刷工艺和印刷电子相关理论的发展,各种新型无机和有机薄膜印刷薄膜晶体管器件性能在不断提高,并朝全印刷、大面积、柔性化、集成化和低功耗方向蓬勃发展。半导体碳纳米管不仅尺寸小、电学性能(如碳纳米管晶体管器件在室温下载流子迁移率可达到1 000cm^2V^-1s^-1以上,电流密度超过10^9 A·cm^-2)、光学性能和机械性能优异、物理和化学性质稳定,构建的电子元件具有发热量更少以及运行频率更高等优点。
64-64