电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2014年第07期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

新型电接触材料Ag/La1–xSrxCoO3

摘要:回顾了电接触材料的发展历史并介绍了新型电接触材料Ag/La1–xSrxCoO3。分析了Ag/La1–xSrxCoO3电接触材料的性能特点,并指出当前研究中需要解决的关键问题:陶瓷成分及微观结构和复合材料成型工艺对材料最终性能的影响。最后阐述Ag/La1–xSrxCoO3材料可作为电接触材料的一个崭新发展方向。
1-3

叠层片式PTC热敏陶瓷与基体研究进展

摘要:叠层片式PTC热敏陶瓷(MLPTC)具有尺寸小、质量轻、电阻低、通流量大、反应快、无明火、无触点、无噪音和可修复等优点,可作为低压电路中过流保护和温度补偿等元件。介绍了叠层片式PTC热敏陶瓷的发展历程和研究现状,以及该样品基体配方的研究,分析了当前制备工艺中存在的问题,并提出了解决的方法,同时指出叠层片式PTC热敏陶瓷向着低阻化、片式化、微型化和绿色化方向发展。
4-7
电子元件与材料杂志研究与试制

织构化钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备与性能研究

摘要:用熔盐法制备了片状Bi4Ti3O12模板,由Bi4Ti3O12片状前驱体制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)模板,由模板晶粒生长法制备了织构化0.91Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3-0.03K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究了Bi4Ti3O12以及Bi0.5Na0.5TiO3两种模板及模板含量对Bi0.5Na0.5TiO3无铅压电体系织构化的影响及织构化陶瓷的压电性能。结果表明Bi0.5Na0.5TiO3模板比Bi4Ti3O12模板更适合用于此体系的织构化,并且,在加入质量分数15%的Bi0.5Na0.5TiO3模板时Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷取向度达到87.3%。质量分数5%的BNT模板织构化的陶瓷在6×103 V/mm电场下应变达到0.226%,相较于随机取向陶瓷提高了48.7%。
8-11

Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的微观组织与微波介电性能

摘要:采用固相合成法,通过控制烧结温度和烧结时间,成功制备了单相Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷。采用XRD、SEM研究了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的物相组成和微观结构,采用平行板谐振法测试了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的微波介电性能。结果表明,单相Ba2Ti9O20微波介质陶瓷具有均匀一致的等轴晶,过高或过低的烧结温度将导致柱状BaTi4O9晶出现。1 360℃烧结4.5 h制备的Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷介电性能为:ξr=39.53,Q?f=33 800 GHz,τf=1.68×10–6/℃。
12-15

(Na1/2Nd1/2)TiO3陶瓷的晶体结构及微波介电性能

摘要:通过固相烧结法制备了具有高介电常数的(Na1/2Nd1/2)TiO3微波介质陶瓷,研究了烧结温度对该陶瓷微观结构及微波介电性能的影响。结果表明,在烧结温度低于或等于1 350℃时,所制陶瓷样品的主晶相为立方相的(Na1/2Nd1/2)TiO3;当烧结温度高于1 350℃时,所制陶瓷样品的主晶相变为四方相的Nd0.667TiO3。陶瓷样品的相对介电常数和品质因数随着烧结温度的升高均先增大后减小,在烧结温度为1 300℃时所制陶瓷样品最为致密,并具有最佳的微波介电性能,εr=110.06,Q×f=8 147 GHz,τf=244.6×10–6/℃。
16-18

废旧电池溶胶-凝胶-水热耦合法制备Mn0.6Zn0.4Cr0.4Fe1.6O4

摘要:以硝酸溶解废旧碱性锌锰电池所得的溶液为原料,采用溶胶-凝胶-水热耦合法制备了Mn0.6Zn0.4Cr0.4Fe1.6O4。借助于IR、XRD、SEM和VSM对产物的结构、晶型、形貌及磁性能进行研究,进而探讨了不同制备条件对材料结构和性能的影响。结果表明,在柠檬酸与金属离子的摩尔比为0.6:1,溶胶的pH值为7,水热温度为240℃的条件下能制备出性能较好的Mn0.6Zn0.4Cr0.4Fe1.6O4。在该条件下制备的样品形貌近似为球形,分散均匀,其磁性能参数为:饱和磁化强度为60.586 A·m2/kg,剩余磁化强度为4.010 4 A·m2/kg,矫顽力为41.786 kA/m。
19-22

复合陶瓷BaTiO3/Ni0.5Zn0.5Fe2O4的常温巨介电特性研究

摘要:采用传统的固相反应法和氧化物陶瓷工艺制备了无铅磁电复合陶瓷(1–x)BaTiO3/x Ni0.5Zn0.5Fe2O4(质量配比,x=0,0.2,0.5,0.8)(BTO/NZF),研究了NZF含量对复合陶瓷的物相组成、微观形貌、致密度和介电性能的影响。结果表明:当NZF含量较低(x=0,0.2,0.5)时,NZF对复合陶瓷有介电稀释效应;当NZF含量较高(x=0.8)时,复合陶瓷晶粒尺寸、致密度及两相间接触面积增大,其NZF含量达到复合陶瓷渗流阈值,产生Maxwell-Wagner(M-W)表面极化效应,使得复合陶瓷在低频(f=40 Hz)下具有高的巨介电常数(ε′=312 238)和较低的介电损耗(tanθ=0.40)。
23-28

不同形貌纳米ZnWO4的制备及其气敏性能研究

摘要:以Zn(NO3)2和Na2WO4为主要原料,利用水热法制备了一系列的纳米ZnWO4,探讨了水热条件对产物物相和形貌的影响,并研究了不同形貌样品对甲醛、苯、酒精、乙酸和氨气等的敏感性能。结果表明:水热条件对产物的物相和形貌有较大的影响;在适宜的水热条件下,可成功制备出ZnWO4纳米颗粒和纳米棒;所制ZnWO4为n型半导体气敏材料;在pH=7,水热温度为180℃时反应24 h所获得的ZnWO4长纳米棒样品制成的元件在305℃时对体积分数为1 000×10–6的酒精蒸气的灵敏度为47.5,并具有较好的选择性,响应时间和恢复时间分别为10 s和24 s。
29-34

新型光敏纳米粒子可同时获得光电最佳性能——太阳能转换效率最高可达8%

摘要:加拿大研究人员设计并测试了一种新型固态、稳定的光敏纳米粒子——胶体量子点技术,该技术或将用于开发更为廉价、柔性的太阳能电池及更好的气体感应器、红外激光器、红外发光二极管。此项研究成果发表在最新一期《自然·材料》上。胶体量子点基于两种类型的半导体收集阳光:N型(富电子)和P型(乏电子)。但N型半导体材料暴露于空气中时,会与氧原子结合,失去其电子,转变成P型材料。
34-34

W6+掺杂CeO2纳米材料的合成及光学性质研究

摘要:以普通无机盐为原料,成功合成了W6+掺杂的CeO2纳米材料。利用X射线衍射和扫描电子显微镜等测试手段对产物的物相和形貌进行了表征。结果表明:当W6+掺入CeO2的摩尔分数小于等于30%时,所得产物均为具有单一立方萤石结构的纳米粒子。光学性质研究发现,与未掺杂的CeO2纳米材料相比,Ce0.7W0.3O2.3纳米材料表现出了不同的光吸收性能,其发光光谱上出现的蓝光发射表明,Ce0.7W0.3O2.3纳米材料在发光材料领域具有潜在的应用前景。
35-38

基于纳米粒子独特热性能的标记方法问世

摘要:英国《自然》下属《科学报告》期刊6月5日的一篇论文中,描述了一种方法,可以在敏感类的爆炸物、固态或液态的药品中甚至墨水上做标记,这就是基于纳米粒子独特热性能的隐形条形码。其在安保及防伪领域,尤其是跟踪、验证和追寻各种物品来源等方面,被看做是非常有前途的新方法。条形码人们已很熟悉,这种按照一定的编码规则排列,可以表达一组信息的图形标识符,其实是随计算机与信息技术发展而诞生的,带动了自动识别系统与数据采集技术。
38-38

倒岛膜凹槽电容式压力传感器设计与特性分析

摘要:结合岛膜结构电容式压力传感器高灵敏度和凹槽结构电容式压力传感器较好线性度的优点,设计了一种倒岛膜凹槽电容式压力传感器,并根据其结构特点建立了倒岛膜凹槽电容式压力传感器的理论模型,使用FEA(有限元分析)法分析了传感器的电容-压力特性。结果表明,设计的倒岛膜凹槽电容式压力传感器具有较好的测量特性,其测量灵敏度和线性度分别为0.005 12 fF/Pa和0.981 78。与相同设计参数的岛膜或凹槽电容式压力传感器相比,该传感器较好地缓解了测量灵敏度和线性度之间的矛盾问题。
39-43

美研制出新型模拟计算设备能耗仅为目前数字系统的1%

摘要:目前的计算机采用的是二进制逻辑:使用0和1来进行存储和计算,这种被称为布尔计算的计算方法有两大弊端:需要耗费大量能源并使用无数晶体管。现在,美国科学家研制出一种新型计算体系,其能将信息存储在周期信号的频率和相位内。研究人员表示,这类计算体系相对来说更像人脑,只需要耗费很少的能源就能进行计算。研究结果发表在5月14日出版的《科学报告》杂志上。二氧化钒(VO2)从导电的金属变为绝缘的半导体(以及相反的过程)只需少量热或电流。
43-43

S频段大扫描角圆极化相控阵天线研制

摘要:设计了一套S频段圆极化相控阵天线,该相控阵天线采用9个微带贴片天线单元进行优化排列与旋转组阵实现。通过HFSS软件仿真,在辐射功率10 dBW的情况下,该相控阵天线在方位360o俯仰±80o的大扫描角范围内,具有大于15 dBW的等效全向辐射功率(EIRP),法向轴比在整个频带内平坦且小于0.5 dB。设计并装配好该相控阵天线后进行测试,得到扫描范围内大于15 dBW的EIRP值,同时测得法向轴比在整个频带内平坦且小于1 dB,测试值与仿真设计值吻合很好。
44-47

天线孔径共用技术研究

摘要:提出了一种新的天线孔径共用的方法。在低频单圆锥天线的辐射非敏感区上加载高频段微带天线阵,可以将两个不同频段和极化的天线集成为一个天线孔径,该天线的体积质量与原低频段天线相当,天线的两个馈电端口集成在原单圆锥天线的地板上。利用电磁仿真软件HFSS分析了该共用孔径天线的性能,在双频段0.7~1.3 GHz和4.1~4.2 GHz内反射系数均小于–10 dB,两个端口之间的隔离度大于31 dB,辐射方向图低频段为全向,高频段为定向,4.15 GHz增益达到11 dBi,仿真结果验证了该孔径共用方法的可行性。
48-51

硅与非硅材料“混搭”难题解决有助于开发更快、更稳定的电子和光子设备

摘要:美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管,并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称,该技术有望帮助硅材料突破瓶颈,为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。硅是目前最常见的一种电子材料,但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成电路在尺寸上已经小到了极限,这限制了系统运行速度和集成度的提升。此外,传统硅电路的一些"先天不足"也使其无法在一些特殊条件下获得应用,如250摄氏度以上的高温环境,高功率、高电压电路,以及一些光学电路等。
51-51

基于三维织物的四元阵纺织天线

摘要:研制了一种新型的基于三维正交织物的纺织天线。该天线采用串馈四元阵形式,具有柔软性、易共形的性能,除了具有天线的功能,还具有纺织结构的功能。通过实验测定了天线的带宽、增益等指标。实验证明,该天线带宽为1.43~1.54 GHz,最大增益为7 dB,其尺寸为428 mm×155 mm。实验验证了新型天线的实用性。
52-54

一种可展宽频带的U型切角天线

摘要:设计了一种可展宽频带的U型切角天线。将U型贴片天线进行切角处理,改变天线的结构与电流路径,可以有效展宽天线频带,并使其具有良好的阻抗匹配特性。采用HFSS15.0软件对天线模型进行仿真分析,对切角的长度、宽度进行优化,给出了天线的反射系数S11与U型槽尺寸和切角尺寸间的关系。结果表明,优化后的U型切角天线覆盖了整个2.4~2.5 GHz频带范围,电压驻波比VSWR≤2的相对带宽为19%,天线增益达到7 dB,波束宽度为83o左右。
55-59