摘要:采用溶胶.凝胶法结合旋涂技术制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜前驱体。将一部分前驱体在s气氛中于500℃硫化1h,另一部分先在250℃预退火0.5h后再在500℃硫化1h。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计等对所制CZTS薄膜的微观结构、表面形貌以及光学性能等进行了表征,研究了预退火对CZTS薄膜性能的影响。结果表明:经预退火制备的薄膜比未经预退火制备的薄膜更为纯净,表面更加致密,其禁带宽度(1.49eV)更接近CZTS薄膜太阳能电池的最佳禁带宽度(1.50eV)。
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化学推进剂与高分子材料