倒装芯片封装技术的发展
摘要：倒装芯片（FC）技术已经广泛应用于集成电路封装工艺中。介绍了FC技术的发展，讨论了FC的关键技术，如凸点下金属（UBM）、焊料凸点（Solderbump）、下填料（Underfill）、基板技术（Substrate），阐述了FC中的新技术，如铜柱（Cupillar）、可控塌陷芯片连接新工艺（C4NP），分析了FC的可靠性，最后展望了FC与硅通孔（TSV）技术的结合趋势。IC封装基板超高精细线路制造工艺进展
摘要：概述了目前超高精细线路制作的减成法、加成法、半加成法。针对减成法在倒装芯片球栅阵列封装和倒装芯片级封装积层精细线路制造中存在的缺点，重点介绍了超高精细线路半加成及改进的半加成工艺，并从精细线路制造角度分析了曝光、快速蚀刻等关键流程，展望了后续超高精细线路半加成工艺的发展方向。等离子体硅基薄膜太阳能电池光电仿真研究进展
摘要：将金属表面等离子体共振理论应用到高性能薄膜太阳能电池设计当中已成为近年研究的热点之一。从金属表面等离子体共振理论在薄膜太阳能电池中的应用机理出发，重点介绍了不同纳米结构设计的等离子体硅基薄膜太阳能电池在光学和电学仿真中的研究进展，最后对等离子体硅基薄膜太阳能电池的发展方向进行了展望。导电胶导电／导热性能影响因素研究
摘要：选用双氰胺固化环氧树脂体系制备导电胶，分别研究了银粉含量和尺寸、低熔点合金以及短链二元酸的添加对导电胶导电／导热性能的影响。结果表明，所制导电胶的导电及导热性能均随银粉含量的增加或尺寸（3～9LLm）的增大而增强。低熔点合金可在银粉间形成冶金键合，降低银粉间的接触电阻与热阻，从而有效提高导电胶的导电及导热性能。少量己二酸的添加可有效去除银粉表面的绝缘油酸，提高导电胶的导电性能，同时其会与双氰胺反应起到偶联作用，降低银粉与树脂的接触热阻，最终有效提高导电胶的导热性能。MOD法生长LaMnO3缓冲层工艺的研究
摘要：采用金属有机沉积（MOD）法在LaAlO3（LAO）单晶基片上沉积了LaMnO3（LMO）缓冲层薄膜，通过控制LMO薄膜关键生长工艺（如退火温度、退火时间），系统地研究了薄膜微结构的变化。实验表明：在较宽的退火温度窗口范围均能获得单一取向生长的LMO薄膜，但其面外织构特退火温度和退火时间的影响很大。在退火温度为750℃，退火时间为60min的最优工艺条件下，制备的LMO缓冲层具有纯C轴取向。在该LMO缓冲层上沉积的YBa2Cu30h（YBCO）超导薄膜的临界电流密度为1．0×10^6A／cm^2，成功证明MOD法制备LMO缓冲层的可行性。小型化和差功分器的设计
摘要：提出了一种小型化微带环形耦合器，利用该耦合器和成尔金森功分器设计并制作了一个和差功分器。测试结果表明，在1030～1060MHz内，该功分器插损小于1．2dB，输入端回波损耗大于14dB，输出端隔离度大于20dB。该和差功分器在保证了器件各端口的相位关系的前提下，其尺寸可减小30％，具有插损小、隔离度大、结构简单、成本低的优点。电子设备散热器热传导的三维数值模拟及结构优化
摘要：借助ANASYS软件对热解石墨（TPG）／胶层／Al三明治结构在温度作用下Mises等效应力的分布进行了数值模拟，并通过改变TPG层、胶层、Al板的厚度实现结构优化。结果表明：不论是Al层，还是TPG层或胶层，最大拉应力区域均出现在边缘拐角处，距离边缘拐角较远的区域表现较小的应力；边缘拐角处在加载温度后最易受损，实际工艺设计时尽量使边缘拐角钝化，缓解应力集中；A1层、TPG层、胶层厚度依次为0-3，3．9，0．3mm，三明治夹层结构的热应力分布比较合理。利用非对称共面波导提高共面波导弯曲结构传输性能
摘要：针对共面波导弯曲结构传输损耗较大的问题，提出了一种改进弯曲结构。该结构引入非对称共面波导弯曲结构以及相应的转换单元，解决了传统共面波导弯曲结构中容易激发奇模信号的问题。结合使用频域和时域的有限差分方法，对弯曲结构的传输系数进行了计算。理论分析和测试结果表明改进后的弯曲结构有效地抑制了奇模信号的传榆，降低了共面波导弯曲结构的传输损耗。改进后的弯曲结构具有结构设计简单、易于加工的特点。一种低温漂低功耗带隙基准的设计
摘要：基于UMC0．25μmBCD工艺，设计了一个低温漂低功耗的基准源。针对传统放大器反馈结构带隙基准中运放榆入失调较大以及输出阻抗较高的问题，通过改进电路将这两者降低，产生低温漂的基准电压；结合基准核心电路产生的负温度系数电压和多晶电阻的负温度系数特性，利用简单的电路实现基准电流源。仿真结果表明，在-40-＋125℃，基准电压温度系数为15×10-6／℃，基准电流为1．02μA，低频时电路电源抑制比为-84dB，整体静态电流仅为12．8从。化学镀铜对厚膜敷铜陶瓷基板敷铜层的影响
摘要：通过化学镀铜对厚膜敷铜陶瓷基板敷铜层进行致密化处理，采用SEM、XRD、导电性测试和结合力测试研究了化学镀铜对敷铜层结构和性能的影响。结果表明：基板敷铜层经化学镀铜处理后，孔洞深度明显变浅、平均孔径由10μm下降为3μm；表面铜层和中间层结合得更加紧密，敷接强度增加了143．6N／cm^2。同时，基板敷铜层的表面方阻由4．30mΩ／下降至3．02mΩ／口，敷铜层的导电性能增强。热处理温度对CoTaZr薄膜磁芯电感性能的影响
摘要：通过不同温度的热处理来改变磁控溅射法沉积的CoTaZr薄膜的组织结构，研究了热处理温度对薄膜微观结构及磁电性能的影响，并将这些薄膜作为电感磁芯，研究其热处理温度对电感低频段（频率范围为0～3MHz）性能的影响。结果表明，镀膜态薄膜呈非晶态，随热处理温度的升高，薄膜晶化逐渐明显，其电阻率逐渐降低；150℃和300℃热处理均有利于提高薄膜的饱和磁化强度M以及薄膜电感的电感量L，150℃热处理可提高薄膜电感的品质因数Q，所以最佳的热处理温度为150℃。陶瓷基板及钎焊技术对LED散热性能的影响
摘要：提出了一种新型的板上芯片直装式（COB）散热基板与散热翅片的连接技术——钎焊技术，结合实验和热仿真对比分析了钎焊连接与传统的导热膏连接对LED封装结构散热性能的影响。研究结果表明，在相同的热载荷下钎焊连接的封装结构中基板与翅片的温差为3℃，而导热膏连接的却为4．5℃。计算机仿真结果显示，在60℃恒温热载荷下钎焊连接和导热膏连接的封装结构的温差分别为0．8℃和1．6℃，并且施加更大功率热载荷时，钎焊连接的LED封装结构温差增加趋势更小，钎焊连接可以有效提高大功率LED的散热性能。带阈值补偿功能的峰值电流模式LED驱动芯片
摘要：设计了一款带阈值补偿功能的峰值电流模式大功率LED驱动芯片。该芯片在传统的斜率补偿技术的基础上，采用电压电流转换的跨导结构，将输入端电压和负载端电压的变化转化为对应的电流变化的方式，实现在峰值电流模式下对斜率补偿的阈值进行补偿的目的，此结构提高了电路斜率补偿的精度和准确度以及峰值电流模式下电流环路反馈控制的精度。通过1μmBCD工艺进行仿真验证，结果表明在20-40V的输入电压范围内输出电流最高可达到1A，电流精度在士0．1％以内。未来可用于类人皮肤科学家成功研发可变形银纳米传感器
摘要：在2012年的时候朱永博士（Dr．YongZhu）和他率领的美国北卡罗来纳州立大学研究团队利用银纳米线成功开发出了具备高导电性和弹性的导体，当时他就曾表示使用这项技术能打造戴多功能传感器的可穿戴电子设备。经过接近两年多的研发，近日该研究团队成功宣布开发出这样一个多功能传感器。La2O3和Sm2O3掺杂对SrTiO3陶瓷结构与性能的影响
摘要：对SrTiO3陶瓷分别进行了La2O3和Sm2O3微量掺杂改性研究，观察了稀土掺杂后陶瓷样品的显微结构，研究了其介电损耗、相对介电常数及电容量变化率随测试温度变化的规律，分析了样品在不同测试电压下的绝缘特性。研究结果表明，La2O3和Sm2O3的微量掺杂对SrTiO3陶瓷的影响相似。稀土掺杂后，样品的晶粒尺寸变小，介电损耗增大，相对介电常数明显提高，电容量变化率明显改善，绝缘电阻明显减小。当稀土掺杂量高于0．2％（摩尔分数）时，La2O3的细晶效果比Sm2O3更明显。世界首创高效能电池隔膜技术在我国诞生
摘要：由江西师范大学首席教授、江西先材纳米纤维科技有限公司副董事长候豪情博士率领的科研团队，历经数年艰难探索，研发出聚酰亚胺（PI）纳米纤维电池隔膜。这一世界首创的具有自主知识产权的高科技材料，可大幅提高汽车动力电池或电池组性能。钛酸钡基低频热稳定陶瓷掺杂CCTO的研究
摘要：以CaCO3、CuO及Ti02为原料，采用固相法制备了CCTO（CaCu3Ti4O12）。通过在纯BaTiO3与掺杂有M（M由Nb205、C02O3、Nd2O3、CeO2及MnCO3构成，可改善陶瓷材料的温度特性）的BaTi03中掺杂不同量CCTO，研究了CCTO掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响。实验结果表明，掺杂CCTO后，陶瓷晶粒长大，陶瓷介电性能随着CCTO掺杂量的改变而改变，居里峰随CCTO掺杂量的增加向高温方向移动。在烧结温度为1160℃时所制备的添加有M和7％CCTO（质量分数）的BaTi03陶瓷片样品在-55--＋150℃的相对介电常数变化率在士15％以内，符合X8R的要求．Ca／Si摩尔比对CBS系微晶玻璃结构与性能的影响
摘要：采用高温熔融法，制备了四种不同Ca／Si摩尔比的CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃。考察Ca／Si摩尔比对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明：Ca／Si摩尔比的上升，有利于CaSi03晶相的生成，试样的致密度及相对介电常数下降，介电损耗明显增大。Ca／Si摩尔比为0．6时，875℃烧结试样的体积密度为2．46g／cm^3，显气孔率为0．27％，9．8GHz的相对介电常数和介电损耗分别为6．12和0．0019。
