电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2013年第10期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

锆钛酸铅铁电薄膜的制备及光伏特性研究进展

摘要:介绍了铁电材料光伏效应的研究背景,指出了锆钛酸铅铁电薄膜光伏特性的研究意义。分析、归纳了锆钛酸铅铁电薄膜电极、膜厚和退火制度(退火温度、退火时间和退火气氛)等工艺参数与所制样品的界面层厚度、肖特基势垒以及取向的关系,综述了这些工艺参数对锆钛酸铅铁电薄膜光伏特性影响的研究现状,提出了锆钛酸铅铁电薄膜光伏特性研究中亟待解决的问题。
1-5

我国钕铁硼永磁材料产业技术现状与发展趋势

摘要:简述了我国钕铁硼永磁材料产业技术现状,针对存在的高磁能积、高矫顽力、产品一致性好烧结钕铁硼磁体生产工艺不稳定以及各向异性粘结钕铁硼磁体产业化技术不成熟等问题,提出了可通过改善烧结钕铁硼制备工艺、开发耐高温高矫顽力烧结钕铁硼以及加大各向异性粘结钕铁硼产业化技术研究来提升我国钕铁硼永磁材料产业技术水平。
6-9
电子元件与材料杂志研究与试制

TiO2掺杂量对TZO陶瓷靶材性能的影响

摘要:用常压烧结方法制备了掺钛氧化锌(TZO)陶瓷靶材,研究了TiO2掺杂量对TZO靶材的微观形貌、相对密度、抗弯强度和电阻率的影响。结果表明:添加适量TiO2利于TZO靶材的致密化,掺杂过量TiO2会使TZO陶瓷中析出Zn2Ti04;随TiO2掺杂量增大,靶材的相对密度和抗弯强度先增大后减小,电阻率则先减小后增大。当w(TiO2)为1.5%时,靶材相对密度获得最大值98.32%;当w(TiO2)为1.0%时,所制靶材抗弯强度最大(98.39MPa),电阻率最小(2.586×10^-3Ω·cm),且其相对密度为98%。
14-16

CeO2掺杂对SiO2-Al2O3-CaO-MgO玻璃的改性研究

摘要:采用高温熔融的方法制备了掺杂不同质量分数的CeO2的SiO2-Al2O3-CaO-MgO玻璃,研究了所制玻璃的物理化学性能。结果表明:掺杂少量CeO2可以使SiO2-Al2O3-CaO-MgO玻璃的网络结构更加完整,降低玻璃的转变温度;随着CeO2含量的增加,玻璃的线膨胀系数呈现先降低后增加的变化趋势;掺杂CeO2的玻璃相对介电常数高于未掺杂的玻璃,随着CeO2含量增加,玻璃的相对介电常数呈现下降的趋势。
17-20

热压成型温度对PTFE/SiO2复合材料性能的影响

摘要:采用热压工艺制备了PTFE/SiO2微波复合基板材料,研究了热压温度对PTFE/SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高,熔限先变宽后变窄。同时通过扫描电镜观察发现,热压成型温度升高使复合材料表面出现气孔,材料内部气孔数目增多,从而导致材料密度、相对介电常数下降,吸水率A升高。由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用,介电损耗先降低后增高,热导率疋则先增高后降低.热压温度为370℃时,复合材料性能较好(ετ=-2.90,tanδ=0.001l,A=0.58‰,Kc=0.566W/(m·℃)).
21-24

脉冲电沉积法制备PANI/CNTs复合材料及其超电容性能

摘要:采用脉冲电沉积法,于苯胺、浓硫酸和碳纳米管(CNTs)的混合溶液中,制备得到PANI(聚苯胺)/CNTs复合物,并对所制PANI/CNTs复合材料的微观形貌、结构以及电化学性能进行了研究。结果表明,CNTs的加入增大了PANI/CNTs复合物的比表面积,提高了其导电性。PANI/CNTs复合物用作超级电容器电极材料时,其比容量可达420.7V/g,经500次循环后衰减幅度为8.9%,表现出优良的电化学性能。
25-28

银微粉制备过程中比表面积影响因素的研究

摘要:采用液相化学还原法制备了高比表面积的银微粉,通过分析测试银微粉比表面积的变化情况,研究了各种因素如PVP分散剂用量、银质量浓度、碳酸钠用量、反应温度及混合并流压强等对银微粉比表面积的影响。结果表明:制备比表面积为6~9m2/g的银微粉的最佳条件为:PVP分散剂用量为银量的2.0%-2.5%(质量分数),银质量浓度40-50g/L,碳酸钠用量35-40g/L,温度35-45℃,并流压强0.4-0.6MPa。
29-32

亚微米球形金粉的制备与应用

摘要:采用化学还原法,以草酸、亚硫酸钠和抗坏血酸(VC)等为还原剂,以PVP(聚乙烯吡咯烷酮)为分散剂还原雷酸金制备了亚微米球形金粉,利用SEM对所制金粉进行了表征。讨论了还原剂种类对金粉形貌的影响,优选出了弱还原性的VC作为制备亚微米球形金粉的还原剂。探讨了金溶液质量浓度、pH值、PVP用量对金粉粒径的影响。结果表明:当金溶液质量浓度为30g/L,pH值为3.5,质量比ζ(PVP:Au)=0.5:1.0时,所制备的金粉具有规则的球形形貌和约0.3μm的粒径。该金粉制备的金导体浆料具有优良的导电性能。
33-36

Sn-Bi焊点发黑问题分析

摘要:针对锡铋焊膏形成焊点表面发黑问题以及回流过程中出现的黑色物质,通过扫描电子显微镜、能谱分析、x射线晶体衍射等方法,采用焊点表面黑色残留物直接测试以及高温下提取黑色物质测试两种方法进行分析。结果证明,焊点表面发黑的原因与元素Bi有关,并根据焊点形成条件的不同生成单质铋或铋的氧化物。
37-40

器件焊端和印制板镀层对混装焊点性能的影响

摘要:随着电子产品无铅化的不断推进,在高可靠电子产品组装中,无铅镀层器件与有铅焊料混合装配焊接的情况不可避免。采用正交实验研究四种不同镀层的QFP器件、三种镀层PCB、两种温度曲线和SnPb焊膏的兼容性,并测定焊点的抗拉强度,采用扫描电镜分析焊点形貌。结果表明,在不同镀层器件的混装实验中,sn和SnPb镀层焊点强度高于NiPdAu和SnBi镀层焊点;对于纯sn镀层器件,采用有铅工艺温度曲线能够兼容该类器件的焊接;在实验采用的三种镀层工艺中,含铅热风整平工艺对焊接温度曲线的兼容性最好。
41-44

法兰焊接工艺对射频功率电阻性能的影响

摘要:射频功率电阻的法兰焊接工艺对于该元件的热传导性能及长期可靠工作特性起到关键作用.首先通过对射频功率电阻进行热结构分析,找出影响热传导的关键部位,然后通过软件仿真模拟大功率条件下的温度分布,再通过不同工艺条件的优化改进其性能,最终在采用铜钨合金作为法兰、锡铅焊片作为焊料并辅以助焊剂的条件下制备出热性能良好的射频功率电阻。该电阻在长期寿命实验时其法兰安装处表面温度仅为94℃。
45-48

一种新颖的微带馈电椭圆缝隙超宽带天线研究

摘要:研制了一种具有扇形终端的微带线馈电椭圆缝隙超宽带天线,利用仿真软件分析了椭圆结构和扇形结构尺寸对天线性能的影响,对天线的结构参数进行了优化。实测天线的阻抗带宽为3.8~9.2GHz,在整个带宽上基本呈现全向性,并且具有较稳定的增益,约为5dBi。该天线可广泛用于通信、军事等领域。
49-51

一种加载超材料吸波体的新型三面角反射器设计

摘要:针对传统角反射器的性能强烈依赖于入射波长,难以对抗变频雷达探测的问题,设计了一种加载超材料吸波体的新型三面角反射器。在8GHz与12GHz两个频点,产生近似相同的后向雷达散射截面(RCS)。对该角反射器的性能进行测试验证。结果表明:加载超材料吸波体后,在12GHz频点,其RCS值下降约3.6dBsm,在8GHz频点,其RCS值与普通角反射器相比,下降约0.1dBsm。新型角反射器的性能满足设计要求,为有效对抗变频雷达对角反射器假目标的探测与识别提供了新的途径。
52-54

一种新型边带陡峭宽带带通LTCC滤波器的设计与实现

摘要:提出了一种基于LTCC技术的新型边带陡峭宽带带通LTCC滤波器的实现方法。采用垂直交指型梳状线耦合结构,一方面可以减小滤波器横向面积,另一方面由于其强耦合结构可以设计出较宽的带宽。边带陡峭是该款滤波器最突出的优点,通过两个方式实现:一是增加滤波器级数,这里用了两个五级滤波器级联;二是带外采用多个可控有限传榆零点。运用该方法设计了中心频率为6.75GHz,带宽为4.3GHz,50dB矩形系数达到了1.5的边带陡峭宽带带通滤波器。实物测试结果和全波电磁仿真结果吻合较好。
55-58

基于宽线性BOTA的新型通用滤波器设计

摘要:提出了一种CMOS实现的平衡输出跨导运算放大器(BOTA)电路模型,该模型结构简单,仅由一个跨导运放和一个可变换的电流增益模块级联构成,通过偏置电流调节跨导增益,使线性电压输入范围提高三个数量级。采用BOTA与接地电容实现了三输入单输出的二阶通用滤波器设计。结果表明,该滤波器ω0可独立调节,且与Q正交,实现了ω0线性可调的高Q滤波。用Pspice仿真软件证实了滤波器的陷波特性和带通特性,实现了高、低9值的灵活调节。
59-61

薄膜电容式表面应力生物传感器设计与优化

摘要:在总结传统微悬臂梁表面应力生物传感方法缺陷的基础上,提出了基于PDMS(polydimethytsiloxane,聚二甲基硅氧烷)微薄膜的电容式表面应力生物传感器,分析了其基本结构原理及优点,并运用ANSYS软件建立了传感器仿真模型,对相同表面应力下,Au电极大小不同的薄膜形变进行了仿真,计算输出电容。结果表明,薄膜形变量及电容改变量与Au电极在PDMS薄膜上的覆盖率有关,通过比较输出电容改变量与薄膜形变之间的关系,得出了传感器最优结构尺寸。
62-65

安捷伦推出可提升测试效率的下一代光调制分析仪软件

摘要:安捷伦科技公司日前宣布为旗下光调制分析仪系列产品推出下一代光调制分析软件。新软件能够将设置步骤减少一半,可以让光测试工程师轻松完成光调制分析仪的测试设置,以提升测试效率。该软件能够自动执行测试,从而最大限度地减少测试误差。借助新软件,工程师只需输入几个描述光输入信号的参数即可设置仪器。根据参数信息和信号本身的特性,软件可以确定最佳的设置,并选择最适合的算法,然后在数秒内提供分析结果。只需单击一次,软件即可保存被测器件的状态,并使用EVM、BER或Q因子来表示质量。预定义40和100G设置可以进一步加快仪器的设置速度。
65-65
电子元件与材料杂志行业资讯

叠层式3D封装技术发展现状

摘要:随着电子产品朝小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向发展,将多种芯片、器件集成于同一封装体的3D封装成为满足技术发展的新方向,其中叠层3D封装因具有集成度高、质量轻、封装尺寸小、制造成本低等特点而具有广阔的应用前景.综述了叠层式3D封装的主要类型、性能特点、技术优势以及应用现状.
67-70