Y2O3-MgO—Al2O3烧结助剂对SiC陶瓷烧结和导热性能的影响
摘要：对SiC粉体进行热处理，采用Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂，在1750～1950℃下30MPa热压烧结1h，制备SiC陶瓷。TG分析SiC的氧化特性，测定Zeta-电位研究SiC粉体的分散特性，测定其高温浸润性研究烧结助剂与SiC之间的亲和性。结果表明：SiC粉体热处理和提高SiC浆体的pH值，有利于提高Zeta．电位，进而提高分散均匀性；Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂高温下与SiC具有良好的浸润性；SiC粉体热处理明显降低了烧结温度。尽管Y2O3-MgO-Al2O3烧结助荆在高温下有一定的挥发，但是当其含量大于等于9％（质量分数）时，1800-1950℃下热压烧结可获得显气孔率小于等于0．19％的致密SiC陶瓷，其热导率大于190W·m^-1·K^-1。Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2．5Zr7Nb2B10Cu0．5合金的热性能、微观结构及磁性能研究
摘要：采用单辊快淬法制备了Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2．5Zr7Nb2B10Cu0．5非晶合金，在不同温度下对两种合金进行了热处理。利用差热分析仪（（DTA）、X射线衍射仪（xRD）和振动样品磁强计（VSM）等仪器对两种合金的热性能、微观结构和磁性能进行了测试分析。结果表明在Fe78Co2．5Zr7Nb2B10Cu0．5合金的晶化过程中存在预结晶效应，而在Fe81Zr7Nb2B10合金的晶化过程中没有。Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2．5Zr7Nb2B10Cu0．5合金经803K退火后，分别有α-Fe和α-Fe（Co）相从非晶基体中析出。随退火温度的升高，两种合金的比饱和磁化强度（怄）变化趋势相似，但矫顽力（Hc）变化趋势明显不同。LiNbO3／ZnO：Al集成结构的外延生长及电性能研究
摘要：采用脉冲激光沉积（PLD）法在蓝宝石衬底上先后外延生长了ZnO：Al（ZAO）和LiNbO3（LN）薄膜。通过X射线衍射分析（XRD）可知二者之间的外延关系为：LN（001）／／ZAO（001）、LN[110]／／ZAO[1^-10]、LN[100]／／ZAO[1^-20]。制备了Au／LN／ZAO和ZAO／LN／ZAO两种电容器结构，对其进行了电流．电压（J-E）测试和铁电（P-E）分析，结果表明：LN／ZAO集成结构具有整流作用，ZAO／LN／ZAO结构表现出较好的绝缘性能，所制备的LN薄膜在室温下的剩余极化强度（Pr）约为1×10^-6C／cm^2，温度的升高能够促进电畴的翻转，使Pr增加为3×10^-6C／cm^2。水热法制备棒状纳米氧化锌及其气敏性能研究
摘要：以ZnCl2和KOH为原料，十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为表面活性剂，利用水热法合成了棒状氧化锌纳米粉体，通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和X射线光电子能谱仪（XPS）等对产物的物相、微观形貌及表面化学状态进行了表征，并用静态配气法测试了其气敏性能。结果表明：所得ZnO具有六方纤锌矿结构，结晶良好，平均直径约150nm，长度为500nm～1μm，其在工作电压为5．5V时对体积分数为100x10-6的乙醇和丙酮气体均能快速响应，且灵敏度分别达到21和30．2。β-Ga2O3薄膜的分子束外延生长及其紫外光敏特性研究
摘要：采用分子束外延（MBE）方法在Al2O3（0001）基片上生长了β-Ga2O3薄膜，利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征。制作了基于β-Ga2O3薄膜的金属．半导体．金属（MSM）结构紫外探测器并对其进行了电学特性测试，结果表明：在20v偏压下，器件的暗电流为8nA；在波长为254nm、光照强度为13×10^-6W／cm^2的紫外光照射下，器件的光电流为624nA；器件的光电流与暗电流比值为78，光响应度达360A/W，表现出明显的日盲紫外光响应特性。厚度对TaN薄膜电性能的影响研究
摘要：采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜，研究了薄膜厚度对TaN薄膜微观结构及电性能的影响。结果表明，薄膜厚度对TaN薄膜的表面形貌和相结构都没有影响，但会显著影响TaN薄膜的电学性能。在87～424nm的范围内，随着薄膜厚度的增大，所制TaN薄膜的电阻率从555×10^-6Q·cm减小到285×10^-6Q·cm，方阻从84刚口减小到9Ω/□，电阻温度系数（TCR）从120×10^-6／℃增加到＋50×10^-6／℃。可以通过调节薄膜的厚度调节TaN薄膜的电阻率和TCR。硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
摘要：采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜（sEM）对样品进行了表征。结果表明：ZnO经0．5h硫化就能全部生成ZnS，适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性，但硫化时间超过2h后，结晶性会有所降低；所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长，其晶粒明显比ZnO更大。此外，这些ZnS薄膜在500～1100am波长范围内的光透过率均高达约75％，带隙为3．65～3．70eV。SAPS法沉积Ni-Mn-Mg-Al-O系负温度系数热敏厚膜及其性能研究
摘要：首次采用超音速等离子喷涂（SAPS）方法在氧化铝基板上沉积了Ni0．6Mg0.3Mn13Al0．8O4厚膜，利用扫描电子显微镜、X射线衍射和电阻-温度特性测试仪研究了热处理温度对沉积厚膜性能的影响规律。结果表明：随热处理温度的升高，沉积厚膜的平均晶粒尺寸增大，尖晶石相增多；当热处理温度低于500℃时，所制厚膜的电阻-温度曲线在室温到80℃的温度范围内呈现v型特征，而在800℃和1200℃处理后，厚膜的电阻在室温至200℃的温度区间内呈现良好的负温度特性。物理所等在Pt薄膜磁近邻效应研究中取得新进展
摘要：自旋电子学的发展依赖于对电子自旋状态进行有效调控。除传统的磁场调控手段外，自旋极化电流、自旋流产生的自旋转移力矩效应是对自旋电子材料的自旋动力学行为进行调控的重要手段，尤其是后者，因为不产生焦耳热，是发展未来自旋电子器件的关键技术之一。活化温度对超级电容器用酚醛树脂基活性炭电化学性能的影响
摘要：以水溶性酚醛树脂为原料，采用KOH活化法制备超级电容器用高比表面活性炭（AC）。考察活化温度所引起活性炭的孔隙结构变化，进一步分析其对超级电容器电化学性能的影响。实验结果显示，在650℃所制得活性炭（AC650）具有最大比表面积和最小的微孔比率；然而在700℃所制得活性炭（AC700）和750℃所制得活性炭（AC750）呈现微孔特征。电化学阻抗谱（EIS）揭示由于AC700和AC750的微孔相互贯通，使得它们的导电性和离子迁移阻力均优于AC650。此外，倍率充放电性能和1000次循环测试也表明AC650的电化学性能是由其自身导电性和电解液离子迁移阻力所决定。一种圆极化可重构微带天线的设计
摘要：对圆弧寄生单元微带天线进行了理论分析，设计了一种圆极化可重构的圆形微带天线。该天线通过电控开关控制圆弧寄生单元的状态，从而实现左、右旋圆极化的转换。并利用仿真软件HFSS13．0对天线的特性进行了仿真验证。结果表明，在天线回波损耗S11〈-10dB时，该天线在频段为2．38-2．51GHz，3dB轴比带宽为30MHz，且最大辐射方向处正交极化差达20dB以上。天线的整体辐射性能良好，且结构简单易于实现，很容易在低频段匹配到50Ω，能够满足WLAN在2．4-GHz频段的要求。第十二届全国超导学术研讨会（第一轮通知）
摘要：由国家超导技术联合研究开发中心发起和主办的全国超导学术研讨会，是我国超导界规模最大的系列学术会议，其目的旨在交流我国超导物理和技术领域的最新研究成果，探讨在超导技术研究领域的新思想和新方法，提供学术上相互了解和交流的机会，促进我国超导物理研究和技术开发的进一步发展。共面波导馈电的频率可重构印刷单极子天线
摘要：提出了一种间接改变天线辐射体长度的方法。该方法通过改变天线馈线中地导体的长度，间接地改变天线辐射体的长度，有效避免了有源开关对天线辐射性能的影响。为验证此方法，设计了一个共面波导馈电的频率可重构印刷单极子天线，该天线利用PIN二极管来改变馈电端地的长度。实验结果表明：控制开关的工作状态，可使天线的谐振频率发生明显的变化。相应的中心频率分别为1．9GHz和2.3GHz，相对阻抗带宽分别为20．8％和17．2％。基于磁性介质棒的可调太赫兹波吸收器研究
摘要：设计了一种中心吸收频率可调的太赫兹波吸收器。在开口谐振环两侧引入磁性介质棒（钇铁石榴石），在改变外加磁场的条件下，通过影响开口谐振环周围环境的有效磁导率来控制中心吸收频率的大小。计算仿真结果表明，当磁感应强度从0T变化到18T时，该吸收器的中心吸收频率变化范围高达4GHz（0．532～0．536THz），而且吸收率均超过99％。一种低温漂的高精度带隙基准源的设计与分析
摘要：根据基准源产生的基本原理、特性，综合温度补偿及电阻分压技术，设计出了一款能广泛应用于开关电源PWM控制器、隔离反馈发生器等的带隙基准源。该基准源电路基于6gm标准BJT工艺实现，仿真结果表明，当电源电压为15V时，当温度为25℃时，VREF输出为5V；当12V≤VCC≤25V时，线性调整率为0．16mV；当1mA≤I0≤20mA时，负载调整率为1．61mV左右；温度稳定性良好，大约为0．05mV／℃。精简热模型在集成电路封装中的应用研究
摘要：探讨了为一款FBGA封装产品建立DELPHI型热阻网络的新方法。首先利用恒温法为芯片封装建立星型网络，在此基础之上求解支路耦合热阻值，构成DELPHI型热阻网络。经过仿真验证显示，所建立的两种DELPHI型热阻网络模型与详细热模型（DTM）的结温误差均在10％以内，从而具备较好的边界条件独立性。可伐合金与玻璃一步封接工艺的研究
摘要：摘要：研究了玻璃与具有Fe3O4氧化膜的可伐合金的封接工艺。结果表明最佳熔封温度为980℃，熔封时间为30min。在此基础上，开发出将脱碳、氧化和熔封集于一个升降温周期的一步封接工艺。该工艺是将未氧化的可伐合金和玻坯首先升温至500℃并氧化40min，而后升温至980℃并保温30min，最后缓慢降至室温。结果表明，当采用该工艺时，与传统工艺相比不仅能简化操作，而且封接件的封接质量更高、可靠性更好。高可靠熔断器步进电应力极限评估试验
摘要：介绍了高可靠熔断器极限评估技术的提出背景，分析其熔断机理，设计了熔断器电流步进极限评估试验，考察熔断器在电应力下的热平衡状态和可靠性水平；并选用国产典型型号的宇航用高可靠熔断器，对设计的试验方法进行了验证，结果显示本试验方法合理可行，从而为规范熔断器极限评估试验方法提供了基础和依据。
