0．7CaTiO3-0．3（LaxNd1-x）AlO3微波介质陶瓷的研究
摘要：利用传统固相反应法制备了具有不同LaAlO3含量的0．7CaTiO3．0．3（LaxNd1-x）AlO3（以下简称CTLNA）系微波介质陶瓷，研究了所制CTLNA陶瓷的微观结构和微波介电性能。结果表明，用x=0．5的La^3＋取代Nd^3＋能有效促进样品晶粒的均匀分布，降低样品的气孔率。少量添加SrTiO3能进一步增加样品的致密度，提高CTLNA系微波陶瓷的介电性能。经原料组分及工艺优化，制备的0．7（Sr0.01Ca0.99）TiO3—03（La0．sNd0．5）AlO3样品密度高、晶相均匀，其微波介电性能如下：εr45．87，Q·f=41612GHz（4GHz），τf=10×10^-6／℃。碱金属氧化物添加剂对（Mg1-xCax）TiO3陶瓷微波性能的影响
摘要：采用固相反应法制备了（Mg1-xCax）TiO3微波介质陶瓷。探讨了复合添加Na2O和K2O对（Mg1-xCax）TiO3陶瓷烧结性能和介电性能的影响。结果表明：复合添加碱金属氧化物，陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3，同时，可以抑制中间相MgTi2O5的产生，有效降低陶瓷的烧结温度至1280℃。当Na2O和K2O添加总量为质量分数1．2％，且Na2O／K2O质量比为2：1时，所制陶瓷介电性能最佳：εr=19．71，Q·f=3．59×10^4GHz（7．58GHz），τf=-1．40×10^-6/℃。TiO2掺杂量对PTFE／SiO2复合材料性能的影响
摘要：采用新型化学工艺，制备了SiO2与TiO2共同填充的PTFE复合材料，系统研究了TiO2掺杂量对所制复合材料显微结构、微波介电性能和热膨胀系数的影响。结果表明，复合材料的密度、介电常数和热膨胀系数都随着掺杂量的增大而增加，吸水率随着掺杂量的增大而减小，介电损耗随着掺杂量的增大先减小后增大。当TiO2掺杂量为质量分数7％时，PTFE很好地包覆在SiO2表面，复合材料结构致密，具有与铜箔较为匹配的线膨胀系数（17．76×10^-6／℃），且介电性能优良（εr=2．94，tanδ=0．00082）。石墨烯“多层糕”可做纳米变压器
摘要：据物理学家组织网10月15日（北京时间）报道，英国曼彻斯特大学研究人员最新研究显示，把单原了层精确地堆叠起来，有望造出大量新型材料和设备，石墨烯及有关单原予厚度晶体为此提供了广阔的选择。织构化BaBi4Ti4O15压电陶瓷的制备与性能研究
摘要：以熔盐法制备的BaBi4Ti4O15片状粉体作为模板，流延法制备了BaBi4Ti4O15压电陶瓷，并与传统固相法制备的BaBi4Ti4O15压电陶瓷进行比较。通过XRD分析不同工艺制备的陶瓷样品相结构，SEM观察其微观形貌。结果表明：流延法制备的BaBi4Ti4O15陶瓷在（001）方向实现了定向排列，且随着模板含量的增加，（001）晶面的定向度／增加，模板质量分数为20％时，f=57．7％。另外，流延法制得的BaBi4Ti4O15陶瓷样品容易致密，当烧结温度从1140℃到1145℃时，密度由5．39g·cm^-3。增大到6．64g·cm^-3，在1150℃达到最大密度7．39g·cm^-3。BaTiO3基无铅PTC热敏电阻材料的制备与研究
摘要：利用传统陶瓷工艺制备了掺杂（Bi0．5Na0.5）TiO3（BNT），CaCO3和Mn（NO3）2的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料（Bi0．5Na0.5）xBa1-xTiO3-yCaCO3-0．0002Mn（N03）2（x=0．005，0．020，0．040，0．080；y=0，0．02，0．04，0．06，0．08），研究了BNT和CaCO3的掺杂量对所制陶瓷微观结构和导电特性的影响。结果表明：试样的晶格常数比c／a、居里温度tc以及室温电阻率P25均随着BNT掺杂量的增加而增大；CaCO3的加入能有效降低样品的室温电阻率。当x=0．080，y=0．06时所制得材料的性能最好，其室温电阻率为7×10^2Ω·cm，居里温度高于150℃，升阻比（ρmax／ρmin）达到10^3。旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作
摘要：基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10GHz电阻器，采用磁控反应溅射制作TaN薄膜，电压驻波比VSWR均小于1．25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器，可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中，从而能制作出更加小型化的微波隔离器，有效减小器件体积，符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。熔断电阻器瞬态特性仿真分析
摘要：为了简单有效地改进熔断电阻器的性能，采用有限元分析软件ANSYS建立了熔断电阻器的模型，对其在过电流状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟，并进行了实验验证。通过对熔断电阻器的热电耦合模拟，得到了不同电流下的熔断时间和温度分布云图。熔断时间的实验结果和模拟结果误差率为5％左右，这为熔断电阻器的设计和生产提供了方法和理论依据。200微米DC腐蚀铝箔极限长度的研究
摘要：为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理，进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平，研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀，隧道孔的极限生长有限，不能贯穿整个夹芯层，这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向。在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小，低于70℃下甚至不生长隧道孔，所形成的夹芯层非常厚。而经过0．8mol／L游离酸的二级腐蚀，隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层。科学家观察到量子条件下的化学反应
摘要：在量子条件下观察到化学反应的进行，这是科学家们在半个世纪前就开始寻求得到的“真相”。而据物理学家组织网10月12日（北京时间）报道，以色列魏茨曼科学研究所的团队现在已用实验证实了这一点，相关研究结果已刊登在本周出版的美国《科学》杂志上。一种新型的单面蚀刻技术制备埋容电路板
摘要：介绍了一种新型的埋入电容电路板的单面蚀刻工艺。本工艺主要针对介质层厚度≤50μm的埋入电容材料，在制作单面图形时，不去掉未曝光一面的千膜及干膜保护膜，棕化后再过显影线将干膜去掉。对该工艺可行性进行了评估，并验证了其可靠性。实验结果表明，采用此工艺可以减少工艺难度，加工成本降低了3％，且产品合格率达86％以上。Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究
摘要：采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜，采用光刻一湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验，详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[（NH4）2Ce（N03）6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明，Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为：硝酸铈铵浓度1．16mol／L，pH值4，30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180nm／min，侧蚀为400nm，桥区边缘线条整齐，其在5A恒流作用下点火效果良好，点火时间约为27．4ms。0．7BiFeO3-0．3PbTiO3薄膜结构与电学性能的厚度效应
摘要：以溶胶一凝胶法在Pt／Ti／Si02／Si（111）基底上制备了厚度为30～1110nm的0．7BiFeO3．0．3PbTiO3（0．7BFO-0．3PT）薄膜，研究了薄膜厚度对0．7BFO-0．3PT薄膜的结构与电学性能的影响。结果表明，随着膜厚的增加，晶格常数C与日的比值c／a以及晶粒尺寸都呈现先增大后减小的趋势，但其剩余极化强度及介电常数却均与薄膜厚度呈正比。厚度为180nm的0．7BFO-0．3PT薄膜具有最大的矫顽场（2．99×10^5V／cm）和晶粒均匀度（42nm），同时其品格常数比c／a也达到最大，为1．1299。ZnO缓冲层和退火处理对MgO薄膜结构的影响
摘要：采用直流反应磁控溅射法在Si衬底上引入ZnO缓冲层制备了沿（200）晶面择优取向生长的MgO薄膜，然后分别采用快速退火和常规退火两种不同的方式对MgO薄膜进行晶化处理。利用X射线衍射仪（XRD）以及原子力显微镜（AFM）研究了ZnO缓冲层以及两种不同的退火方式对MgO薄膜的结构和形貌的影响。结果表明：具有合适厚度的ZnO缓冲层可以显著地提高MgO薄膜的结晶质量。另外，与快速退火相比，常规退火处理后得到的MgO晶粒均匀圆润，有着较大的（200）衍射峰强度以及较小的表面粗糙度。玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜磁性能的影响
摘要：采用丝网印刷法制备了钡铁氧体厚膜，系统研究了玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜磁性能的影响。结果表明，随着玻璃粉含量的增大，样品的致密度逐渐提高；饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均呈现出先增大后减小的趋势；而剩磁比（Mr/Ms）单调上升。当玻璃粉含量增大到质量分数7％时，所制得样品的饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均达到最大值，分别为151，76．6，310kA／m。当玻璃粉含量为质量分数13％时，剩磁比达到0．615。等离子体可用于石墨烯掺杂
摘要：据物理学家组织网10月11日（北京时间）报道，美国莱斯大学的研究人员通过将石墨烯与光结合，有望设计和制造出更高效的电子设备，以及新型的安全与加密设备。相关研究报告发表在近日出版的《美周化学学会·纳米》杂志上。交叉耦合在直线型波导滤波器中的研究
摘要：利用相位关系和交叉耦合的模型，提出了直线型波导滤波器的一种关于交叉耦合的具体实现方法：即在不相邻的腔体之间直接用同轴线引入交叉耦合。采用这种方法设计了一种五腔滤波器，应用HFSS软件进行了仿真验证。结果表明，所设计的滤波器整体结构得到简化，中心频率为8．5GHz，带宽为150MHz。低损耗贴片式独块状介质滤波器的设计与制作
摘要：设计制作了一种低损耗、贴片式（SMD）独块状的八级介质滤波器。该滤波器采用切比雪夫响应的方法设计，利用εr为45的高Q值独块状微波陶瓷制作，谐振器之间使用电容和电容加载耦合。制备出了中心频率为897．5MHz、插入损耗小于2．5dB的介质滤波器。测试结果表明，该滤波器满足800-1500MHz频率范围通讯基站要求。
