电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》杂志在全国影响力巨大,创刊于1982年,公开发行的月刊杂志。创刊以来,办刊质量和水平不断提高,主要栏目设置有:研究与试制、科技动态、专家论坛、企业之窗、博士论文、会议消息、新品介绍、产品导购等。
  • 主管单位:工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.43
  • 综合影响因子:0.338
相关期刊
服务介绍

电子元件与材料 2012年第01期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

电磁波带隙材料的低温共烧陶瓷技术制备及性能

摘要:根据共面紧凑型光子晶体的原理和HFSS仿真结果设计了禁带位于超宽带(UWB,3.1~10.6 GHz)范围的EBG(电磁波带隙)结构,然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出了设计的EBG结构。利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了所制EBG结构的微观结构,结果显示烧结体中陶瓷与银电极结合良好。另外,经HP8720ES矢量网络分析仪测试发现其电磁波禁带位于4.0~5.5 GHz,深度大于20 dB。
1-3

Zr掺杂CBS微晶玻璃结晶相的定量分析

摘要:在850℃下制备了zr掺杂CaO—B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃。采用Rietveld全谱拟合法分析了所制微晶玻璃中各结晶相的相对含量,以及分峰法计算得到微晶玻璃的结晶度,从而分析出Zr掺杂CBS微晶玻璃中各结晶相的含量。与内标法计算结果比较,该方法计算得到的结晶度相对误差为1.35%,结晶相绝对含量的最大相对误差为5.47%。该方法可用于定量分析含有结晶相和非晶相的其他多组分材料,为其提供理论分析的依据。
4-7

我国飞秒超快激光法制备超小银纳米孔取得进展

摘要:尽管光学衍射极限极大地限制了纳米结构的光学方法制备,但是这方面的努力和进步一直都没有停止过。在这一进程中超快激光起到了重要的作用,“用超快制备超小结构”成为其特色。
7-7

Si掺杂对NdFeB磁粉吸波性能的影响

摘要:采用熔炼-高能球磨-微氧化-晶化热处理的工艺,按照质量比ξ(Nd:Fe:Si:B)=8.24:(86.64-x):x:4.J2(x=0,1,3,7)制备了NdFeSiB磁粉,借助x射线衍射仪和网络矢量分析仪等,研究了磁粉中Si含量对其相组成和吸波性能的影响。结果发现:当x=0和x=1时,所制粉体的组成相为a-Fe和Nd2O3相;x=3时,其粉体的组戍相为a-Fe、Nd2O3和FeSi3相;x=7时,其粉体的组成相为a-Fe、Nd2O3、FeSi3和NdFeSi相。当涂层厚度为1.5mm时,随Si含量的增加,所制粉体的反射率逐渐减小,吸波带宽逐渐增大,吸收峰先向低频移动然后向高频移动。
8-11

本刊第二届理事会成员确认及增补工作正在进行中

摘要:应理事会成员及其相关行业人士的要求,第二届理事会成员确认及增补工作已着手进行,理事会秘书处正在整理会员资料及新申请会员的入会登记工作。
11-11

钡镧钛系列高介电常数陶瓷研究

摘要:采用固相烧结法制备了BaO-La2O3-nTiO2(n=3,4,5和6,BLT)微波介质陶瓷。研究了TiO2含量以及添加Bi2O3和SrTiO3对所制BLT陶瓷的微观结构及介电性能的影响。结果表明:当n=4时,BLT陶瓷晶体结构致密。当n=5并添加Bi203和SrTiO3进行改性,所制BLT陶瓷的相对介电常数研从93增大到210,介质损耗tanδ从2.5减小到1.2,电容温度系数%向负方向移动。
12-14

CuPc/ZnO杂化材料的气敏性能研究

摘要:为了改善有机半导体材料CuPc的气敏性能,采用溶液法制备了含有不同量ZnO的CuPc/ZnO杂化材料。弄13用SEM、XRD等测试手段对所制CuPc/ZnO杂化材料进行了表征,并研究了其气敏性能。结果表明:当质量分数w(ZnO)为10%时,CuPc/ZnO杂化材料对C12的灵敏度最佳;与未杂化的CuPc相比,其在175℃的最佳工作温度下对体积分数为10×10-6的C12的灵敏度提高了1.79倍;另外,该材料对更低浓度的c12也具有良好的响应,在175℃温度下,其对体积分数为1×10-6的c12的灵敏度为513;CuPc/ZnO杂化材料对c12具有良好的选择性和响应特性,但恢复时间较长。
15-19

福建火炬电子科技股份有限公司

摘要:福建火炬电子科技股份有限公司始创于1989年,迄今已有二十多年的历史。公司主要从事陶瓷电容器的研发、生产、销售和服务。总部位于福建泉州,在北京、上海、深圳、西安、成都等地设有分支机构。产品主要为航天、航空、军事工程、医疗电子、工控设备、光电通讯系统等提供配套。
19-19

Nb2O5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响

摘要:通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数a和φ11值分别为174V,30和0.463eV。
20-23

化学所新型温敏化学荧光传感材料研究取得重要进展

摘要:近年来,化学荧光传感材料和器件的研究作为材料科学研究中的重要内容,受到化学研究者的极大关注。化学荧光传感器由于具有高灵敏度、可实时检测等优势,在分子识别和传感器的应用方面得到蓬勃发展。
23-23

压电材料能利用人类呼吸产生的风发电

摘要:美国威斯康星大学麦迪逊分校材料和工程学助理教授XudongWang和博士后ChengliangSun、研究生JianShi在2011年9月刊的《能源和环境科学》上报告了一种新型材料——聚偏二氟乙烯(PVDF)制成的微型塑料带,能够捕捉低速气流,利用压电效应将机械能转化为电能。
23-23

HoCoO3纳米材料的结构改性与气敏性能

摘要:利用溶胶-凝胶法成功合成了cu2+掺杂改性的HoCoO3纳米材料。经x射线粉末衍射(XRD)仪和扫描电镜(SEM)表征后发现,所得HoCoO3纳米材料具有纯相的钙钛矿结构,其晶粒粒径为50-130nm。将改性及未改性HoCoO3纳米材料分别制成气敏元件,并对其电性能和气敏性能进行对比研究,结果发现Cu2+掺杂可以明显降低HoCoO3气敏元件的电阻,并显著提高其对汽油的灵敏度和选择性。这表明Cu2+掺杂改性的HoCoO3纳米材料将来极有可能成为一种良好的汽油敏感材料。
24-28

《电子元件与材料》于2011年已实行优先数字出版

摘要:为加速优质稿件发表速度与传播速度,促进学术成果在国内外学术界的认可、传播和利用,从2011年6月始,期刊编辑部与“中国知网”(www.cnki.cn)签订了《学术期刊优先数字出版合作协议》,开始在中闺知网(CNKI)对本刊录用的高质量学术论文实行优先数字出版。
28-28

我国二氧化钛纳米管研究获重要进展

摘要:近期,中科院合肥物质科学研究院固体物理所的尹亮亮博士等研究人员发明了一种新的高电压阳极氧化法,通过控制电解液中供氧物种(水)的扩散过程,实现二氧化钛纳米管的快速生长(生长速率高达130微米每小时)。同时,研究发现二氧化钛纳米管的直径随着偏压的升高而出现极大值,纳米管的生长速度和管径可以分别调控。
28-28

羰基铁粉吸波涂层的优化设计

摘要:采用机械研磨工艺制备了片状羰基铁粉,并以此制备了羰基铁粉复合材料。研究了研磨时间对羰基铁粉复合材料电磁性能的影响,并对羰基铁粉吸波涂层进行了优化设计。结果表明:当研磨时间小于12h时,随着研磨时间的增加,羰基铁粉复合材料的介电常数和磁导率逐渐增大。以研磨12h的羰基铁粉(厚0.7mm)为底层,原始羰基铁粉为表层(厚1.4mm)的双层结构吸波涂层性能最优,其反射损耗在3.12—18.00GHz频域范围内小于-8dB,在2~18GHz频域范围内为-9.8dB(平均值)。该双层结构涂层可用于微波低频段的宽频薄层吸波涂层的制备。
29-31

PTC电极浆料用超细银粉制备过程中的消泡方法探究

摘要:研究了PTC(正温度系数陶瓷热敏电阻)电极浆料用超细银粉制备过程中温度和分散剂对泡沫高度的影响,探讨了几种消泡方法的优劣。结果表明,高温时,反应热聚集会造成液体局部沸腾,使泡沫高度增加;添加分散剂可增加泡沫液膜厚度和泡沫高度,高温高分散剂浓度使得银粉制备过程中必须进行消泡。消泡剂对生成银粉的粒径、灼烧失重等的影响较大,冷水降温消泡法用水量较大,负压消泡法效果显著。酒精、冷水消泡法可用于小批量生产,负压消泡法是提高生产量的好方法。
32-35

压扁型低噪声金属化电容器工艺研讨

摘要:针对压扁型金属化电容器特别是交流和滤波场合使用的电容器存在较大噪声的问题,通过研究聚丙烯薄膜的热传导规律和热收缩特性,总结出不同厚度电容器的最佳热压时间和热聚合条件。结果表明:选择100-110℃的热压温度和与电容器芯子厚度相适应的热压时间,在115~125℃条件下对芯子进行热聚合处理,保温2h,可使电容器的噪声达到35dB以下。
36-39

物理所非晶合金韧脆转变机理研究取得进展

摘要:关于合金材料的本征韧脆特性机理,究竟主要是原子尺寸因素,还是电子结构因素,长期以来有争论。为什么有些合金晶体结构相同且晶格常数相近,而在相同温度条件下韧性差别很大?显然不能仅用晶格类型和滑移系的多少来解释,而必须考虑原子间的结合性质。
39-39