电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2011年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

Sr0.3Ba0.7Nb2–yZryO6–y/2陶瓷的微观结构和介电性能研究1-5

摘要：采用传统固相法制备了Sr0.3Ba0.7Nb2–yZryO6–y/2（SBNZ） （0≤y≤0.50）陶瓷。研究了Zr掺杂对SBNZ陶瓷微观结构和介电性能的影响。结果表明：y≤0.10时，Zr固溶到SBNZ晶体结构，使陶瓷晶格发生畸变并引起晶粒异常长大；y=0.30时，第二相Ba3ZrNb4O15的生成抑制了晶粒的异常长大。随Zr掺杂量的增加，SBNZ陶瓷的最大介电常数总体上呈先降后升的变化趋势，其室温介电常数则增加，另外，居里温度向室温移动。

柠檬酸溶胶-凝胶法制备Ca2Co2O5粉体及结构表征6-8

摘要：以Ca（NO3）2·4H2O, Co（NO3）2·6H2O为原料，超纯水为溶剂，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备了Ca2Co2O5粉末。确定了适用于Ca2Co2O5粉体制备的工艺条件，并利用TG-DSC、XRD、FT-IR、SEM和EDX等手段对Ca2Co2O5的热分解过程、物相组成和形貌进行表征。结果表明：干凝胶在700 ℃下，煅烧36 h后得到单相Ca2Co2O5粉体，所制粉体形貌呈现疏松片层状结构，颗粒尺寸为15～20 μm。

闭腔法测量微波介质材料参数的研究9-12

摘要：采用TE01δ模闭腔法，推导了介电常数和介质损耗的计算公式。制作了4种介质谐振器，分析了支撑物的材质及高度、耦合的结构及强弱、金属腔材质对所制介质谐振器的谐振频率和品质因数Q值的影响。结果表明：较高的聚四氟乙烯支撑使介质谐振器有较高的有载Q值，弱的耦合使有载Q值非常接近无载Q值，高Q值的金属腔利于介质材料Q值的精确测量。

微桥结构PZT厚膜红外探测器研究13-16

摘要：利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅（PbZr0.3Ti0.7O3，PZT）厚膜热释电红外探测器，得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构。使用由斩波器调制的黑体辐射，测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数。结果表明，探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×10^2 V/W；在调制频率为167.3 Hz时，其探测率达7.5×10^8 cm·Hz1/2/W；PZT厚膜探测器的热时间常数为51 ms，与PZT陶瓷器件相比小约一个数量级，有利于其在高频响应方面的应用。

水热－溶胶凝胶法制备PZT薄膜17-20

摘要：采用水热-溶胶凝胶法制备了锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷薄膜。首先利用水热法处理Si基板，使之生成SiO2/Si 层，然后采用旋涂法在处理好的Si基板上涂覆摩尔比r（Zr∶Ti）为52∶48的PZT前驱体溶胶。研究了基板处理方式、退火温度以及涂胶层数对PZT薄膜结晶性能、表面形貌及厚度的影响。结果表明：水热处理Si基板对PZT薄膜性能有很大提高；随着退火温度的提高，薄膜的结晶性提高，表面更加致密；200 ℃下水热处理Si基板16 h，最终退火温度为850 ℃的PZT薄膜结晶性及表面形态最好。

染料敏化太阳能电池TiO2薄膜电极的染料吸附性能研究21-23

摘要：采用手工刮涂法制备了染料敏化太阳能电池（DSSC）的TiO2薄膜电极，用解吸的方法和正交试验研究了DSSC电池TiO2薄膜电极的染料吸附性能，并结合统计分析方法对染料吸附试验数据进行了分析处理。研究结果表明TiO2薄膜电极具有最优染料吸附性能的烧结条件为：以2 ℃/min的速率升温至450 ℃，保温50 min后随炉冷却；浸泡条件为：待薄膜电极温度降至60 ℃时，放入物质的量浓度为5×10–4 mol/L的N719染料中浸泡12 h。且此时组装的染料敏化太阳能电池也具有最好的光电转化效率。

退火温度对高介电常数Ta2O5薄膜电学性能的影响24-26

摘要：利用磁控溅射法在硅（Si）衬底上沉积了Ta2O5薄膜，对薄膜进行了不同温度的退火处理，并利用X射线衍射仪对薄膜的微观结构进行了分析。然后在Si的背面和介电薄膜的上面沉积Pt电极，组成了金属－氧化物－半导体（MOS）电容器，对不同温度下退火得到的薄膜制备的MOS电容器的电学性能进行了研究。结果表明，薄膜在700 ℃开始结晶，且是四方结构的β-Ta2O5。700 ℃退火得到的薄膜制备的电容器电学性能最好：其相对介电常数最大，为34.9；漏电流密度最小，为1.87×10^–6 A/cm^2（所加电压为1 V）。

sol-gel法制备ZAO薄膜的结构与光学性能研究27-29

摘要：采用溶胶–凝胶法在普通玻璃衬底上制备了ZAO（ZnO：Al）薄膜，利用XRD、SEM、紫外–可见光谱和光致发光光谱对所制备的AZO薄膜进行了表征，研究了ZAO薄膜的结构和光学性能。结果表明：ZAO薄膜的微晶晶相与ZnO一致，且具有c轴择优取向；ZAO薄膜在可见光区的透过率超过了88%，在350~575 nm范围内有强的发光带。随着Al掺杂量的增加，ZAO薄膜的禁带宽度变大，光吸收边出现蓝移，发射峰强度先变强后变弱；当摩尔比r（Al：Zn）为0.010时，ZAO薄膜的可见光透过率最高，达91%；发射峰强度达46.3。

花状纳米结构ZnS：Cu的制备与光学性质研究30-33

摘要：采用水热法合成了具有花状纳米结构的ZnS：Cu粉末。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、透射电子显微镜（TEM）和荧光光谱仪研究了在不同正硅酸四乙酯（TEOS）含量的条件下制备的样品的物相、形貌与光致发光（PL）性质。测试结果表明：制备的ZnS：Cu样品都具有立方相闪锌矿结构；由于TEOS分子的影响，制备的样品不再是微球状，而是由厚度为30 nm的纳米片组成的花状纳米结构；随着TEOS含量的增加，样品的PL光谱强度先增强后减弱。此外，样品的发光峰波长保持在560 nm，分析其发光机理为硫空位到Cu的t2能级的跃迁。

电子元件与材料杂志综合信息

发光材料与器件国家重点实验室在华南理工正式获批建设33-33

摘要：近日，科技部正式公布了关于批准建设49个国家重点实验室的通知（国科发基（2011）517号），依托华南理工大学建设的“发光材料与器件国家重点实验室”榜上有名。

电子元件与材料杂志研究与试制

ZnO压敏电阻两片并联方法及性能分析34-37

摘要：目前，常采用将压敏电阻片（MOV）并联的方法来提高压敏型电涌保护器（SPD）的通流容量和电压保护水平。根据ZnO压敏电阻的伏安特性，利用冲击发生器HAEFELY PSURGE 30.2和CJ1001型压敏电阻直流参数仪进行了大规模实验，通过对实验数据进行对比分析发现，将压敏电压U1mA作为并联选片的参数是可行的；双片MOV并联的通流容量是单片MOV通流容量的1.4-1.6倍，MOV并联使用能够降低残压以及提高电压保护水平。

电子元件与材料杂志综合信息

第29届全国化学与物理电源学术年会在长沙召开37-37

摘要：由中国电子学会化学与物理电源技术分会、中国电工技术学会、中国化学与物理电源行业协会等共同主办的第29届全国化学与物理电源学术年会于2011年10月22～23日在湖南省长沙市召开。来自全国几十所高校的专家、学者及电池行业相关企业的科研人员共350多人参加了会议。

电子元件与材料杂志研究与试制

多层印制电路板网印内埋电阻技术研究38-41

摘要：利用网印导电碳浆的方法制作电阻，通过层压工艺实现电阻在多层印制电路板中的内埋。研究了导电碳浆的固化温度及固化时间与电阻值的关系，分析了导电碳浆固化程度及棕化后烘板对层压工艺可靠性的影响，测试了高温高湿与冷热冲击对内埋电阻阻值稳定性的影响。结果表明：导电碳浆固化条件选择固化温度170 ℃，固化时间4 h，以及棕化后105 ℃烘板1 h，是避免层压后内埋电阻与粘结片分层的必要条件；层压后的内埋电阻具有良好的耐湿热性能与耐冷热冲击性能。

基于MEMS工艺的硅基红外辐射源研制42-44

摘要：利用微机电系统（MEMS）制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源。该辐射源采用单晶硅为衬底，通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜，并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层。研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响。结果表明，随着支撑层厚度的减小，红外辐射源的调制驱动电压会降低。当支撑层厚度为1 μm时，辐射源调制频率在50%的调制深度下达13 Hz，其频响特性已基本满足红外传感器系统的应用要求。

基于LTCC的微通道散热设计45-47

摘要：设计了基于LTCC（低温共烧陶瓷）的微通道散热模型，运用ANSYS软件对其进行了热-流耦合仿真分析，并制作了试验样件。测试结果显示，在环境温度25 ℃、冷却水入口水温25 ℃、入口流量27 mL/min、热源功率30 W的工况下，系统平衡时的最高温度为79.3 ℃，与仿真结果的85.7 ℃较为吻合，等效散热通量达到120 W/cm2。

宽阻带超宽带带通滤波器的设计48-49

摘要：针对某些传统滤波器阻带较窄，抑制谐波性能差的缺点，对传统的阶梯阻抗谐振器（SIR）进行了改进，使之通带内回波损耗降低，频带增宽，同时利用缺陷接地结构（DGS）抑制谐波特性来增加阻带宽度,得到一款低插损滤波器，最后使用HFSS建模仿真。结果表明：该滤波器具有良好的通带效果，通带内插入损耗小于1 dB，回波损耗大于10 dB，其上阻带频率超过18 GHz，在17.5 GHz处的衰减大于29 dB，可以有效抑制谐波。

广义切比雪夫波导带阻滤波器设计50-53

摘要：广义切比雪夫带阻滤波器含有相移的设计可以使带阻滤波器实现任意位置的反射零点。含有相移的网络在实现之前必须进行优化以减少杂散波的影响，据此从低通原型电路出发，设计制作并测试了一个结构新颖的含有相移的四阶线形带阻滤波器，其中心频率为9.780 GHz，阻带抑制为39 dB，通带中的回波损耗超过18.17 dB。最终的测试和仿真结果证明了这种设计的可行性。

基于裂纹扩展的无铅焊点阻抗等效模型54-57

摘要：以单个无铅焊点为研究对象，根据裂纹扩展及趋肤效应建立了无铅焊点的阻抗等效模型，给出了模型参数的计算方法，并用Matlab软件对模型进行了仿真。结果表明：随裂纹扩展，焊点阻抗经历了一个由缓慢变化到突变的过程，且信号频率越高，阻抗突变时间越早；在500 MHz信号作用下，当裂纹面积约为焊点横截面的75%时，焊点阻抗便发生突变，而直流电阻则在焊点临近断裂时才有较大的变化。