电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2011年第11期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

BaWO4掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响1-4

摘要：采用传统电子陶瓷工艺合成了BaW04掺杂的Ba（Mg1／3Ta2s3）O3（BMT）微波介质陶瓷，研究了质量分数w（BaWO4）从2％～8％变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明：添加少量的BaWO4能明显改善BMT陶瓷的烧结性能，当w（BaW04）=4％时，BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1650℃以上降至1400℃，其体积密度为7．562g／cm2，相对密度达到99％，同时BMT陶瓷体系获得了良好的微波性能：εr=26．7，Q·f=98THz（8GHz），τf=6．5×10^4／℃。

液相包覆法引入B2O3对Ba2Ti9O20陶瓷介电性能的影响5-8

摘要：以BaCO3和TiO2粉末为原料，采用固相反应法合成Ba2Ti9020主晶相，以H31303溶液为前驱液，通过液相包覆技术引入B2O3助烧剂以降低Ba2Ti9020陶瓷的烧结温度。研究了液相包覆B=03对Ba2Tig020陶瓷的烧结和介电性能的影响。结果表明，液相包覆B203后，Ba2Ti9020陶瓷的烧结温度从1400℃降至1250℃，相对密度达98．3％。当H3803溶液的浓度为1．0mol／L，1250℃烧结4h所制Ba2Ti9020陶瓷的介电性能良好：相对介电常数εr=42，介质损耗tanδ=0．002，频率温度系数τf=-4×10^-6／℃（1MHz）。

真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响9-11

摘要：采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrAlY薄膜，并对NiCrAlY薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化，以生成一层致密的Al2O3膜，研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响。结果表明：经过真空热处理的NiCrAlY薄膜，高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相，Al和O的粒子数分数分别约为32％和50％；而未经过真空热处理直接氧化的NiCrAIY薄膜表面舍有θ-Al2O3和α-Ah03两种物相，且分布不均匀。

溅射气压对Bi1．5Mg1．0Nb1．5O7薄膜结构及介电性能的影响12-15

摘要：采用射频磁控溅射法在Pt／Si基片上沉积了铌酸铋镁（Bi1．5Mg1．0Nb1．5O7，BMY）薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明，制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高，薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃，溅射气压为5Pa，体积比ψ（02：Ar）为15：85的条件下制备得到的BMN薄膜在1．6×10^6V／cm外加电场下的介电调谐率为26％，介质损耗约0．8％；在5．0×10^5V／cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10^-8A／cm2。

基于尺寸效应的Cu／CuNi薄膜热电偶灵敏度研究16-18

摘要：采用磁控溅射法在镀有SiO2阻挡层的基底上制备了一系列的Cu／CuNi薄膜热电偶，其厚度分别为0．5，1．0，1．5和2．0μm，测得四种Cu／CuNi薄膜热电偶的灵敏度，分别为46．47，45．23，44．32和43．98μV／℃，通过实验和理论研究了薄膜热电偶灵敏度S与厚度δ之间的关系。结果表明：Cu／CuNi薄膜热电偶的灵敏度高于普通Cu／CuNi热电偶；在薄膜厚度大于临界厚度的情况下，薄膜热电偶的灵敏度S随着厚度的倒数1／δ增大而升高。

退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响19-21

摘要：采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜，研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响。结果表明：在溅射态及退火温度低于600℃时，薄膜为非晶态。随着退火温度的升高，薄膜的电阻温度系数（TCR）逐渐增大，应变因子（GF）先增大后减小，室温电阻率（P）则逐渐降低。在退火温度为300℃时，Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜的电性能最好：TCR为-1．1×10^-6／℃，GF为2．2，P为0．662Ω·cm。

溶胶-凝胶法制备H2S气敏材料LaFeO322-25

摘要：以La（NO3）3·6H2O、Fe（NO3）3·9H2O和柠檬酸为原料，采用溶胶一凝胶法制备了纳米LaFeO3。利用XRD和SEM对所合成材料的结构和形貌进行了表征，利用静态配气法测试了材料的气敏性能。研究了不同煅烧温度对LaFe03气敏性能的影响。结果表明，600和800℃煅烧2h均可得到不规则的块状纯钙钛矿相的LaFeO3，其中600℃煅烧得到的LaFeO3对H2S气体具有良好的灵敏度和选择性。在295℃的工作温度下，LaFeO3（600℃）对体积分数为100×10^-6的H2S气体的灵敏度达到141．6，对体积分数为10×10^-6的H2S气体的灵敏度也可达13．0。

环氧树脂／氧化铝复合材料的制备及导热模型26-29

摘要：采用浇注成型法制备了环氧树脂／氧化铝复合材料，研究了氧化铝含量对所制复合材料导热、介电以及力学性能的影响。结果显示：当氧化铝含量小于体积分数0．3时，所制复合材料导热系数与Maxwell方程的计算值比较吻合，而混联模型更适合于预测氧化铝含量较高时的导热系数；该复合材料的介电常数随着氧化铝含量的增加而增加，弯曲强度随氧化铝含量的增加而先升高后降低；当氧化铝体积分数为0．375时，所制复合材料的弯曲强度达到160MPa。

偶联剂对LiFePO_4的分散及掺杂性能的影响30-33

摘要：以Li2CO3和FePO4·2H2O为原料，葡萄糖为碳源，同时添加偶联剂作分散剂及杂质源来合成LiFePO4正极材料，研究了偶联剂的种类及添加量对所制LiFe04材料性能及分散效果的影响。结果表明：添加TC．Wt钛酸酯偶联剂且质量分数为3．0％时，所制LiFeO4具有更好的电化学性能，其0．1C，0．5c，1．0C，3．0C放电比容量分别达161．8，148．6，136．0，112．1mAh·g-1。

电子元件与材料杂志综合信息

中国科大纳米多孔V2O5电极材料研究取得新成果33-33

摘要：近日，中国科学技术大学化学与材料科学学院陈春华教授研究小组设计制备出具有优异大电流充放电性能的二维多孔钒氧化物锂离子电池正极材料。该研究小组采用静电喷雾沉积装置合成了一种由三维多孔V2O5亚微米球构成的钒氧化物薄膜材料。

电子元件与材料杂志研究与试制

圆形开槽贴片微带双模带通滤波器34-37

摘要：提出了一种新颖、简单的圆形贴片上刻蚀小方槽的微带双模带通滤波器结构。该滤波器仿真的通带中心频率为5．9GHz，最大回波损耗优于-31．5dB，通带内最小插入损耗为-0．7dB，3dB带宽为23．73％。实测和仿真结果相一致。

基于Hamming函数变迹加权SAW温度传感器设计38-41

摘要：选取特定切向的压电晶体，用Hamming函数对叉指换能器的电极长度进行变迹加权，制作了一个谐振频率为431．5MHz的声表面波温度传感器，研究了Hamming加权函数对叉指换能器频率响应旁瓣的抑制效果，并进行了温度一频率特性测试实验，研究了传感器的灵敏度、精度等性能。仿真和测试结果表明：基于Hamming函数变迹加权的叉指换能器带外抑制大于50dB，旁瓣抑制效果显著。其声表面波温度传感器的测量误差小于0．5℃，灵敏度（7．79kHz／℃）较好，在～20～＋120℃范围内，频率一温度特性呈现出良好的线性特征。

电子元件与材料杂志综合信息

西南科技大学材料科学与工程学院41-41

摘要：西南科技大学材料科学与工程学院成立于2001年，前身是1983年成立的四川建材学院硅酸盐工程系，1991年更名为材料科学与工程系。开展无机非金属材料、电子材料、高分子及复合材料、金属材料、材料物理、应用化学等方面的教学、科研工作。

电子元件与材料杂志研究与试制

一种适用于RFID的小型圆极化天线42-45

摘要：设计了一种适用于RFID手持机的小型圆极化天线。通过在天线贴片上加缝隙实现天线的小型化，并选择适当的馈点位置，实现单馈点圆极化，在此基础上通过加载金属层，扩展了天线的带宽。仿真和实验表明，天线贴片尺寸为128mm×128mm（即0．37A）时，在907-920MHz，该天线的输入驻波比小于2，最高增益为7dB。

电子元件与材料杂志综合信息

规模应用最大尺寸薄膜组件美国大型硅基薄膜电站并网45-45

摘要：据报道，新奥太阳能源集团世界最大的5．7m2电池板日前在美国最大的并网硅基薄膜电站中得到规模应用。该项目位于宾夕法尼亚州艾伦镇，总装机容量达2MW，全部采用硅基薄膜电池组件，于7月12日完成了并网。

韩国将垃圾填埋场的可燃性气体转化为氢能燃料45-45

摘要：据报道，韩国利用垃圾填埋场的可燃性气体生产出氢燃料，并为氢能源汽车建设了氢能供应站。 据介绍，首尔市利用上岩洞（地名）世界杯公园内的兰芝岛垃圾填埋场产生的可燃性气体，建造了每天可生产720标准立方米氢能的氢能供应站。

电子元件与材料杂志研究与试制

新型FSS缝隙阵列结构的分析与仿真设计46-50

摘要：提高传输特性一直是频率选择表面（FSS）缝隙阵列设计的主要方向。由于介质加载而引起栅瓣干扰则是设计过程中难以回避的问题。针对综合提高带通型频率选择表面阵列的带宽、陡截止性、极化和角度不敏感性等传输特性，通过数值计算和仿真分析设计了特性良好的外侧保护层厚度为0．3mm，介质材料相对介电常数为1．5，夹层介质厚度为4．58mm，夹层介质相对介电常数为2．2的新型单层介质加载双层频率选择表面缝隙阵列结构和以此为基础的双层介质加载三层频率选择表面缝隙阵列结构，并打破传统，采用了薄介质加载方式，从而有效地解决了各类栅瓣过早、连续出现的问题。

考虑压电效应的石英晶体谐振器设计程序51-57

摘要：介绍了一种新颖的基于Mindlin板理论的AT切石英晶体谐振器设计程序及其计算过程。该程序根据已知的石英晶体谐振器频率、电极厚度等参数来推算出最佳石英晶体板尺寸、电极长度、电容比等参数；可以计算出石英晶体板的色散、频谱、温频、电容比与频率关系，为石英晶体谐振器的设计提供重要参考。所有计算都考虑了石英晶体的压电效应，并给出了电容比这一重要的电路参数，进一步提高了结果的精确性。该设计程序可减少产品设计过程中的盲目性和试验时间。