电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2011年第09期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制
NdAlO3-CaTiO3微波介质陶瓷材料的研究1-4

摘要:为实现NdAlO3-CaTiO3体系陶瓷材料的优异微波介电性能,采用传统固相反应法制备了(1-x)NdAlO3-CaTiO3粉末,研究了不同x值对NdAlO3-CaTiO3陶瓷结构和性能的影响。结果表明,当x取0.60,0.65,O.70,0.75,0.80时,所制陶瓷的结构均比较致密,无气孔,晶界清晰,主晶相为(1-x)NdAl03-xCaTiO3。随着x的增大,陶瓷的密度由4.95g/cm^3呈近似线性递减至约4.45g/cm^3,粒径由4μm增大至约10μm,微波相对介电常数εt由38增大至约65,谐振频率温度系数τf由-9×10^-6/K增大至32×10^-6/K,Q·f则由38000降至约29000。

微氧化温度对NdFeB粉体微波吸收特性的影响5-8

摘要:采用熔炼-高能球磨-微氧化-晶化热处理的工艺,制备了NdFeB磁粉,借助X射线衍射仪和网络矢量分析仪等,研究了不同微氧化温度下制备的NdFeB粉体的相组成和微波吸收特性。结果发现:经100℃氧化后再晶化的NdFeB粉体由α-Fe、Nd2O3、Fe2O3相组成,而经200℃氧化后再晶化的NdFeB粉体由。α-Fe、Nd2O3相组成;在6~18GHz频段上100℃氧化后再晶化的粉体的微波吸收效果较好,而在2~6GHz低频段上200℃氧化后再晶化的粉体的微波吸收效果较好;经200℃氧化后再晶化的NdFeB粉体的磁损耗和介电损耗较大。

BaCu(B2O5)的添加对Li2MgTi3O8微波介质陶瓷性能的影响9-12

摘要:采用传统固相反应法制备Li2MgTi3O8微波介质陶瓷,研究了BaCu(B2O5)(简称BCB)的添加对Li2MgTi3O8微波介质陶瓷的烧结性能及介电特性的影响。结果表明:BCB作为低熔点氧化物烧结助剂,可有效降低所制陶瓷烧结温度,而且可以调节可近零。当添加质量分数3%的BCB,900℃烧结所制陶瓷的综合微波介电性能最佳:εr=27.2,Q·f=48200GHz,τf=0.4×10^-6/℃。该陶瓷与Ag电极具有化学兼容性,是理想的LTCC候选材料。

SAW器件用金刚石膜的制备工艺研究13-16

摘要:针对声表面波(SAW)器件对金刚石膜的要求,采用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置,研究了不同气体体系对金刚石膜生长速率、电阻率、表面形貌、表层C化合态及相对含量(粒子数分数托)的影响。结果表明:在H2-CH3COCH3、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2三种气体体系下,金刚石膜的生长速率分别达0.63,0.59和0.58nm/h,较常规CH4-H2体系提高了1倍左右,且金刚石膜电阻率高(10^10Ω·cm)、晶型好、晶粒尺寸小、表层金刚石C—C键相对含量高(Xc〉80%)。氧、氩和氮对提高金刚石膜的生长速率和质量效果显著。

B2O3-Li2O掺杂对丝网印刷Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜微观结构及介电特性的影响17-20

摘要:采用丝网印刷工艺并通过有效掺杂B2O3-Li2O制备出了一致性和可重复性良好的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜。系统研究了B2O3-Li2O掺杂对BST厚膜的低温烧结特性、微观结构、相构成及介电性能的影响。结果表明:随着B2O3-Li2CO3含量的增加,BST厚膜的烧结温度逐渐降低,晶粒尺寸和介电常数显著变小。当B2O3-Li2CO3的掺杂量为4.5%时,BST厚膜可在900℃下低温烧结成瓷,所得样品在20℃和10kHz频率下的介电常数及介电损耗分别为312和0.00396,在3×10^3V/mm偏场下的可调率达16.2%。

衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响21-23

摘要:采用能谱仪(EDS)和原子力显微镜(AFM)对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现:当衬底负偏压在5~30V范围变化时,薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势,在偏压为10V时,达到最小值52.84%(摩尔分数,下同).Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反,且在偏压为10V时达到最大值29.85%,而Mn含量变化不大,保持在17.00%左右;薄膜呈典型岛状(Volmer-Weber)模式生长,表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小。

Zn2SiO4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响24-26

摘要:采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。

氧化锌压敏电阻老化过程中非线性系数变化的研究27-30

摘要:根据氧化锌压敏电阻(MOV)的非线性特征,结合双肖特基(Schottky)势垒理论和氧化锌陶瓷在小电流区的导电机制,提出了氧化锌压敏电阻老化劣化过程中必然伴随着非线性系数α的变化的结论。针对一种型号的MOV,通过大量实验数据分析得出:在不同老化劣化实验条件下,MOV的非线性系数α均随劣化程度的增加而呈下降趋势;在标称电流In冲击下,α值随冲击次数近线性下降。经实验论证,非线性系数α对评价MOV的老化劣化程度具有一定的参考价值。

不同锂过量和镍过量对5V正极材料LiNi0.5Mn1.5O4性能的影响31-35

摘要:采用柠檬酸络合自蔓延燃烧方法制备了5V正极材料LiNi0.5Mn1.5O4。分别考察了不同锂过量和镍过量对LiNi0.5Mn1.5O4材料结构、形貌和电化学性能的影响。结果表明:当焙烧温度为820℃,焙烧时间为12h,退火温度为600℃,退火时间为24h时,制备LiNi0.5Mn1.5O4的最佳锂过量为9%(摩尔分数,下同),最佳镍过量为7%,在此条件下所制样品的首次放电比容量达到122.7mA·hg^-1,20次循环后的放电比容量保持率为98.5%,且只存在单一的4.7V平台。

MLPB-PEG400/LiClO4固体聚合物电解质36-39

摘要:采用溶液浇铸法,以聚乙二醇400(PEG400)接枝马来酸酐聚丁二烯(MLPB)为基体,高氯酸锂(LiClO4)为碱金属盐,制备了MLPB-PEG400/LiClO4固体聚合物电解质。研究了MLPB-PEG400/LiClO4电解质的电化学性能。结果表明,所制氧锂摩尔比为8的MLPB-PEG400/LiClO4固体聚合物电解质综合性能较好,其电导率变化在温度为25-90℃时符合Arrhenius方程,在温度大于100℃时趋于稳定,电化学稳定窗口达到4.5V。

金属化薄膜电容器电容量衰减的解决方案40-42

摘要:针对抑制电磁干扰和降压用金属化薄膜电容器工作一段时间后容量不正常衰减的问题,通过样品解剖和理论分析,收集不同试验条件下的数据,发现金属化薄膜层间空气和封装方式导致容量不正常衰减。将热聚合温度从85℃提高到120℃,选用高温环氧树脂封装,可使所制金属化薄膜电容器在使用过程中电容量衰减小于1%,保证了电子产品在寿命周期内的正常工作。

电子元件与材料杂志综合信息
新材料可解玻璃防水雾难题42-42

摘要:科技日报多伦多3月19日电,加拿大拉瓦尔大学的科学家成功研制出一种新型玻璃防水雾涂层材料,涂层不会对玻璃的光学性质产生任何影响。他们认为该材料可以最终解决汽车玻璃、眼镜片以及光学镜头的防水雾难题。相关文章发表在最新出版的《应用材料与界面》杂志网络版上。

电子元件与材料杂志研究与试制
电阻法测量无铅焊点蠕变的有效性实验研究43-46

摘要:为了解用于焊点性能评估的电阻测试法能否精确反映其蠕变特性,利用特制的焊点测试系统,同步采集无铅焊点在室温、25N载荷下的电阻应变和剪切蠕变。实验表明它们的总体变化趋势相似,均可分为线性与指数阶段,但变化速率存在明显差异。两者临界拐点的延时程度与焊点的尺寸因子k有关,在一定的范围内(k=4.5-8.5),延时程度仅在零值附近(±0.075)微小波动。故电阻法测量无铅焊点的蠕变是有效的,较好地反映了其蠕变损伤。

电子元件与材料杂志综合信息
硒化锌光纤在美首次研制成功46-46

摘要:据《科技日报》近日报道,由美国宾夕法尼亚大学化学系教授约翰·巴丁领导的科研小组,首次研制出具有硒化锌内核的光纤。这种光纤能更加自如高效地控制光,激光雷达技术的应用因此更加广泛,比如可改良医学激光器,优化军事上使用的对抗激光器,改进环境感测激光器。相关研究成果将发表在最新出版的《先进材料》杂志上。

电子元件与材料杂志研究与试制
钎料稀土相表面Sn晶须生长的研究47-49

摘要:为了解对钎料可靠性影响极大的Sn晶须的生长机理,系统研究了钎料稀土相CeSn3、LaSn3及ErSn3表面Sn晶须生长的影响因素。结果表明:稀土相的氧化倾向与时效温度共同影响其表面Sn晶须的生长。室温时效条件下,在稀土相CeSn3与LaSn3表面易出现小尺寸的线状Sn晶须,直径为0.1~0.2μm,而在稀土相ErSn3的表面易出现大尺寸的杆状Sn晶须,直径可达1μm左右;150℃时效条件下,在稀土相ErSn3的表面易出现小尺寸的针状Sn晶须,而在稀土相CeSn3与LaSn3的表面不会出现sn晶须。

超宽频单极子陶瓷介质谐振器天线设计与仿真50-52

摘要:设计了一种尺寸小、频带宽、结构简单的单极子陶瓷介质谐振器天线,该天线经由在单极子周围加一个环形的介质谐振器而成。该设计主要通过在环形谐振器中使用高介电常数的陶瓷材料降低天线的尺寸,利用环形谐振器与单极子谐振频率之间的耦合展宽天线的频带。利用仿真软件HFSS为该天线建立模型并进行优化仿真,得到了最佳的天线设计参数,优化所得天线的频带宽度为2.5~19.0GHz,相对带宽达到了150%。

小型LTCC巴伦的设计53-56

摘要:提出了一种基于Marchand巴伦结构的小型化半集总参数巴伦。通过加载端电容和谐振电容减小巴伦耦合线电长度,LTCC多层布线的实现方式进一步减小了巴伦的实际体积。采用奇偶模分析方法对该结构进行分析,给出了设计曲线,采用A6-M材料仿真并制作出尺寸为2.5mm×2.0mm×1.0mm的巴伦。测得在2.7~2.9GHz,S11小于-15dB,幅度不平衡度小于±0.5dB,相位不平衡度小于±10°。最后分析了仿真值和实测值的差异的原因。

电子元件与材料杂志可靠性
焊点尺寸对微焊点拉伸断裂强度的影响57-60

摘要:采用基于动态力学分析仪(DMA)的精密拉伸试验与ANSYS有限元数值模拟方法研究了“铜引线/Sn-3.0Ag-0.5Cu钎料膳同引线”三明治结构微焊点(直径均为200μm,高度为75-225μm)的拉伸断裂行为。结果表明:微焊点直径不变而高度为225,175,125和75μm时,其拉伸断裂强度分别为79.8,82.8,92.5与104.6MPa,即焊点尺寸(高度)减小会导致拉伸断裂强度增大,同时微焊点最终断裂位置由焊点中部向钎科似同引线的界面处转移。