电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2011年第06期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

高密度BiFeO3陶瓷的制备与介电性能1-4

摘要：采用固相烧结法制得了不同粒径的铁酸铋（BiFeO3）粉末,随后,采用混杂工艺与放电等离子烧结技术（SPS）结合的方法对BiFeO3单相粉末进行二次烧结,制得了BiFeO3陶瓷。研究了所制陶瓷的介电性能。结果表明,所制BiFeO3陶瓷具有很好的相组织及致密的结构,其相对密度达到97.3%,压电系数d33为13.6 pC/N.经氧气退火处理后,BiFeO3陶瓷具有明显的介电频率弥散及高温与低温两个阶段的介电弛豫行为;但经真空退火处理后,陶瓷的低温介电弛豫现象消失。

球磨时间对硼硅玻璃基复相陶瓷性能的影响5-8

摘要：采用经过不同球磨时间制备的硼硅玻璃与氧化铝复合,低温烧结制备了硼硅玻璃/氧化铝系复相陶瓷。利用XRD和SEM,研究了硼硅玻璃粉料球磨时间对流延成型及所制复相陶瓷的烧结性能、介电性能（10 MHz）的影响。结果表明：随着球磨时间增加,粉料粒径减小,硼硅玻璃复相陶瓷烧结温度降低,密度增加,介电常数和介质损耗降低。球磨90 min在850℃烧结的试样性能较佳：密度为3.22 g.cm–3,10 MHz下的相对介电常数和介质损耗分别为7.92和1.2×10–4。

电子元件与材料杂志综合信息

工业和信息化部加快培育和发展新材料产业8-8

摘要：2011年5月17日,第一届中国国际新材料产业博览会新闻会在北京举行。工业和信息化部党组成员、总工程师朱宏任出席会并致辞。

电子元件与材料杂志研究与试制

钛酸铋掺杂对BaTiO3-Nb2O5-ZnO陶瓷微结构和介电性能的影响9-12

摘要：采用固相反应法制备了Bi4Ti3O12（BIT）掺杂的BaTiO3-Nb2O5-ZnO（BTNZ）陶瓷,研究了BIT掺杂对所制陶瓷晶体结构、烧结性能及介电性能的影响。结果表明：BIT掺杂改善了BTNZ陶瓷的烧结特性。随着BIT量的增加,四方率c/a增大,电容变化率减小。当质量分数w（BIT）为1.0%,1 230℃烧结的BTNZ陶瓷样品在–55,125,150℃的电容变化率分别为–7.95%,0.11%,–17.97%,完全符合EIA X7R标准,有望用于X8R型多层陶瓷电容器的制备。

去离子水清洗工艺对PZT铁电电容性能的影响13-15

摘要：采用磁控溅射制备了结构为Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si的PZT铁电电容,并对样品用去离子水处理,通过测试其电滞回线以及漏电流,并结合XPS分析,研究了去离子水对PZT铁电电容的性能影响。结果表明,在去离子水清洗后,由于在PZT表面有吸附,PZT电容电滞回线沿电压轴发生漂移,电子势垒降低,漏电流增大,经过高温热处理后,性能可恢复。

Co和Ca掺杂对（Mg0.7Zn0.3）TiO3系微波介质陶瓷性能的影响16-19

摘要：采用固相反应法制备了（1–y）（Mg0.7Zn0.3）1–xCoxTiO3-yCaTiO3（MZCCT）（x=0-0.2,y=0.03-0.09）微波介质陶瓷。研究了Co和Ca掺杂对所制陶瓷的相结构、烧结性能和介电性能的影响。Co掺杂后,MZCCT陶瓷的密度增大,Q.f值从90 000 GHz提高到152 000 GHz;Ca掺杂后,MZCCT陶瓷的介电常数增大,温度系数接近于零。当y=0.05,x=0.075,1 200℃烧结时,MZCCT陶瓷具有较优的微波介电性能：εr≈21.9,Q.f≈62 460 GHz,τf≈–1×10–6/℃。

电子元件与材料杂志综合信息

制造业服务化成为趋势——服务能力提升成为企业竞争优势转移的基础19-19

摘要：制造业向服务领域延伸,其原因主要有5个方面：过剩经济的发展、高新技术行业特性的要求、世界各国制造业的竞争、企业提升竞争力的要求、差异化战略的实施。这些因素的共同作用,促使企业竞争优势开始变迁,服务能力提升成为企业竞争优势转移的基础。

电子元件与材料杂志研究与试制

掺杂Sm2O3对Ba（Ti,Sn）O3的介电性能的影响20-22

摘要：以碳酸钡、二氧化锡和二氧化钛等为原料,制备了掺杂Sm2O3的Ba（Ti0.9Sn0.1）O3（BTS）陶瓷,研究了所制陶瓷的介电性能。结果表明：当摩尔分数x（Sm2O3）〈0.60%时,Sm3＋主要进入BTS陶瓷晶格A位,随着x（Sm2O3）的增加,Sm3＋倾向于进入晶格B位。Sm2O3的掺杂量对BTS陶瓷的相对介电常数和介质损耗影响显著,x（Sm2O3）=0.60%时,BTS陶瓷的相对介电常数达到最大值5 560;当x（Sm2O3）=0.10%时,BTS陶瓷的综合性能最佳：介质损耗降至最低值0.005 0。

微波烧结法制备ITO陶瓷23-25

摘要：采用微波烧结,在常压、纯氧气氛条件下制备了ITO陶瓷。通过XRD、SEM和金相分析等方法研究了烧结温度和保温时间对ITO陶瓷相对密度的影响。结果表明,微波烧结具有升温速度快、保温时间短的优点,大幅缩短了ITO陶瓷的烧结周期。1 550℃微波烧结并保温20 min的ITO陶瓷相对密度达到了99.5%,晶粒大小均匀,结构紧密,没有单相析出,晶粒尺寸为3~8μm。

ZnO压敏防雷芯片工频耐受与通流能力的相关性26-28

摘要：为了研究ZnO压敏防雷芯片的工频过电压耐受特性和8/20μs通流能力的相关性,在生产线上抽取同批次产品进行工频过电压耐受试验和8/20μs通流能力试验。研究结果表明：工频过电压老化后会使压敏电阻的通流能力下降,但经过8/20μs雷电流峰值20 kA冲击后,压敏电阻的工频过电压耐受能力会增强,在冲击15次左右时达到最大值,随着冲击次数的增多,工频过电压耐受能力会降低。

电子元件与材料杂志综合信息

顺络电子将在贵州投资10亿扩产28-28

摘要：顺络电子日前与贵阳国家高新技术产业开发区管理委员会签署了《投资协议书》,拟由公司或公司全资子公司贵阳顺络迅达电子有限公司在该开发区投资10亿元,建设顺络迅达电子工业园。

电子元件与材料杂志研究与试制

金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究29-32

摘要：采用开管涂源法,对ρ25为7？.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明：扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在（2~3）×103？.cm。

电子元件与材料杂志综合信息

日本灾后供应不足 苹果被迫从台湾寻找出路32-32

摘要：鉴于日本在地震海啸之后无法满足苹果对产品组件的供应需求,苹果不得不转向台湾兴勤电子（Thinking Electronic）保证元件供应。

电子元件与材料杂志研究与试制

制备工艺对聚合物电致发光器件稳定性的影响33-35

摘要：探讨了发光层厚度以及复合阴极材料对聚合物电致发光器件稳定性的影响,并通过对同一器件在不同初始亮度下的寿命进行测试比较,得到了该器件寿命的加速老化因子。然后,通过计算得知,结构为ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/Ba/Al的聚合物电致发光器件在初始亮度为100 cd/m2情况下的寿命高达10 124 h,基本上达到了实用化要求。

掺氮氧化钒薄膜的椭偏光谱表征36-39

摘要：利用反应溅射法,在Si（100）衬底上沉积了掺N氧化钒薄膜。借用SE850椭偏仪对薄膜进行了近红外波段（1 300~2 300 nm）的光谱测量,运用Tauc-Lorentz模型对薄膜的椭偏光谱数据进行了拟合,并计算了薄膜的光学参数（n,k）和厚度。结果表明：随着掺N量的增加,氧化钒薄膜的光学参数（n,k）随之增加,而其沉积速率则随之降低。这可能源于掺N增加了薄膜的致密度,同时减小了氧化钒的光学带隙。

电子元件与材料杂志综合信息

钒行业 走出底部的金属储能的希望之星39-39

摘要：钒是典型的中国优势资源。从储量来看,中国钒占全球钒矿的比例为35%,居全球第一位,其他钒矿资源丰富的国家是俄罗斯和南非;从产量来看,中国钒产量占到全球产量的48%,其他钒产量较大国家是俄罗斯和南非。

电子元件与材料杂志研究与试制

沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响40-42

摘要：采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA）衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列（Au/Si-NPA）,不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响。结果表明：在沉积时间小于30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大。这种电学特性变化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出现变化引起的。

新型异向介质及其在滤波器中的应用43-47

摘要：提出了一种结构简单、损耗小、阻带宽的新型异向介质单元。在对该异向介质单元进行等效电路分析的基础上,研究了其结构参数对电磁波传输的影响,并利用S-参数提取法对其等效磁导率和介电常数进行了提取,揭示了该异向介质单元的带阻工作原理并进一步验证了其等效电路和分析的合理性。采用该异向介质单元设计出的截止频率为9.6 GHz的波导高通滤波器具有非常紧凑的尺寸（20.00 mm×22.86 mm×10.16 mm）、小于0.17 dB的通带损耗和陡峭的阻带过渡曲线,这是常规介质滤波器所无法比拟的。