电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2011年第05期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制
Sm2O3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响1-4

摘要:为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm2O3掺杂的PMN陶瓷(PSMN)。研究了Sm2O3掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响。结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值εm及室温下的介质损耗减小,介频稳定性增强。相变弥散度则随x(Sm)的增加而增加。x(Sm)=0.01时,PSMN陶瓷的性能最佳:εm=15567,tanδ=0.127×10-2。

添加BaCu(B2O5)和ZnO的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2陶瓷低温烧结研究5-8

摘要:采用固相反应法制备了添加复合助烧剂BaCu(B2O5)-ZnO的16CaO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO2(CLST)陶瓷,研究了所制CLST陶瓷的烧结特性、微观结构及介电性能。结果表明:低熔点的BaCu(B2O5)-ZnO复合助烧剂的加入,使CLST陶瓷的烧结温度由1 300℃降至1 000℃,能和Cu共烧。当掺入质量分数1.00%的ZnO和4%的BaCu(B2O5)时,CLST陶瓷的介电性能较好:εr=69.53,tanδ=0.025 9,τf=8×10–6/℃(1 MHz)。

Fe2O3掺杂量对BaBiO3基陶瓷电性能的影响9-11

摘要:为改善BaBiO3基热敏陶瓷的NTC性能,采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂的BaBiO3基热敏陶瓷。研究了Fe2O3掺杂量对BaBiO3基陶瓷微结构与电性能的影响。结果表明:随着Fe2O3掺杂量的增加,BaBiO3基陶瓷的B25/85值与室温电阻率均先减小后增大;当Fe2O3摩尔分数为1.5%时获得了较好的电性能,其室温电阻率为305Ω·cm,B25/85值为3466K。

电子元件与材料杂志综合信息
综合信息11-11

摘要:多晶硅副产物高值利用规模化据报道,四川银邦硅业有限责任公司通过艰苦努力,探索出一条规模化、连续化高值利用多晶硅副产物四氯化硅的有效途径,建成了国内第一条连续、封闭、节能、高效的塔式化学法处理四氯化硅中试生产线。这项成果于3月4日通过四川省科技成果鉴定。公司负责人牟浩斌透露,该企业眼下正在筹划5万t级产业化项目。

电子元件与材料杂志研究与试制
原位生长钙长石/莫来石复合材料的制备12-14

摘要:采用高岭土、氢氧化铝和碳酸钙等为主要原料,通过原位生长法制备了钙长石/莫来石复合材料。研究了烧结温度以及钙长石/莫来石质量比对复合材料性能的影响。结果表明:当烧结温度为1 400~1 420℃,钙长石/莫来石质量比为30:70时,所制复合材料的抗折强度达到128.9~151.7 MPa。该复合材料与低介玻璃粉末复合制备出了力学强度高和介电性能较优的玻璃/陶瓷复合材料,可望用于低温共烧陶瓷基片材料。

原位制备PZT/ZrO2纳米复相陶瓷强韧机制研究15-17

摘要:采用聚合物B位前驱体法制备了锆钛酸铅基(PZT/ZrO2)纳米复相陶瓷,研究了所制陶瓷的力学性能。采用残余应力场模型讨论了纳米ZrO2粒子强韧化PZT基体的机制。结果表明:四方和单斜ZrO2纳米粒子在原位析出,PZT/ZrO2纳米复相陶瓷的断裂韧性和抗弯强度相对于纯PZT分别提高了79%和41%,同时压电性能稍微降低。

铜掺杂氧化锌薄膜的阻变特性18-22

摘要:采用脉冲激光沉积法在SnO2:F(FTO)衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO:Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO:Cu/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试。结果显示:两种器件在室温电场作用下均显示出双极可逆变阻特性;Cu掺杂使ZnO薄膜的开关比大幅增加,电流–电压曲线拟合结果显示这是由Schottky结界面机制产生的高低阻态引起的。

衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响23-25

摘要:利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大。当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10–4Ω.cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上。

Pd掺杂SnO2气敏薄膜XPS分析及其气敏性能研究26-30

摘要:分别在氧气和氩气气氛下,于纯SnO2气敏薄膜上溅射金属Pd制备了Pd掺杂SnO2气敏薄膜。利用XPS分析了溅射气氛和老化处理对该气敏薄膜表面元素含量变化的影响。结果表明:溅射气氛和老化处理对气敏薄膜的表面吸附氧含量和其他元素的含量均有很大影响,如氩气气氛下制备的Pd/SnO2气敏薄膜在老化前与400℃/2 h老化后的表面吸附氧原子的摩尔比为11.632 9:4.341 6。Pd掺杂SnO2气敏元件的灵敏度比未掺杂的元件灵敏度提高数十倍。最后对气敏元件的敏感机理进行了探讨。

掺锆Co3O4的制备及电容性能31-34

摘要:采用反相微乳液法制备了掺杂锆的Co3O4电极材料,并对其电容性能进行了研究。结果表明:掺锆Co3O4粉末由具有立方晶型的球形粉体组成;当锆的摩尔分数x为1%~3%时,掺锆能降低Co3O4电极材料的晶粒尺寸;当x为1%~5%时,掺锆能增强电极的可逆性、提高电极的比电容以及延长电极的循环寿命;当x为5%时,Co3O4电极材料的最大比电容达451 F.g–1,比未掺杂时提高了67%,另外,循环800次后,其比电容仅下降了4.21%。

电子元件与材料杂志综合信息
我国首创红色长余辉发光材料34-34

摘要:据报道,包头稀土研究院近日成功研制出一种新型稀土发光材料稀土钛酸钙体系红色长余辉荧光粉,标志着我国在稀土长余辉发光新材料领域获得重大突破。

电子元件与材料杂志研究与试制
热处理对片状Fe-Si-Al磁微粉微波电磁性能的影响35-37

摘要:以气体雾化Fe-Si-Al(Fe5.5Si9.5Al)合金粉末为原料,采用退火热处理和机械球磨相结合的方法制备出了片状Fe-Si-Al磁微粉,并研究了退火热处理对片状磁微粉微波电磁性能的影响。研究表明:通过对原料进行机械球磨可以获得片状形貌优良、磁性能良好的Fe-Si-Al磁微粉。机械球磨使Fe-Si-Al粉末的磁导率在微波低频段得到大幅度提升,而退火热处理可进一步调节粉末的磁导率;此外,对原料进行预退火热处理,更有利于获得高磁导率的Fe-Si-Al磁微粉。本研究所制磁微粉的磁导率实部μ′最大可达5.09,虚部μ″最大可达3.65。

SiC/Cu-Al复合材料无压浸渍制备工艺的研究38-41

摘要:利用化学镀法在SiC颗粒表面包覆Cu层制备了SiC/Cu复合粉体,然后将其压制成预制体并在熔融铝液中无压浸渍,制出了SiC/Cu-Al复合材料。研究了浸渍温度和时间对所制SiC/Cu-Al复合材料浸渍效果的影响。结果表明:SiC颗粒表面的Cu包覆层分布均匀;在800℃、保温2 h条件下制备的SiC/Cu-Al复合材料显微组织致密;在700~900℃的浸渍温度范围内,铝的浸渍深度随着浸渍温度的升高先增加后减小;随着浸渍时间的延长,复合材料的显微组织越来越致密;Cu包覆层有效地改善了SiC颗粒与铝熔体间的润湿性,抑制了Al4C3脆性相的生成。

电子元件与材料杂志编读通信
《有机介质电容器选集》内容简介41-41

摘要:该选集包含专题论文篇、已获得的专利和未申请的专利资料篇、重要试验篇和"有机介质电容器设计资料"篇等四部分共计专题论文136篇,共523页。

电子元件与材料杂志研究与试制
叠层片式铁氧体电感器银端电极匹配研究42-45

摘要:通过对比实验,运用扫描电子显微镜分析了银端电极烧银后的显微结构,并用能谱分析仪对三种烧银后的银端电极进行成分分析,找出与自主研发的叠层片式铁氧体电感器用软磁铁氧体粉料相匹配的银端浆。实验结果和工艺验证表明:Ⅲ号ML78银端浆具有直流电阻低(≤0.61Ω)、温升低(≤16.2℃)等特点,完全满足MLCI批量化生产的要求。

电子元件与材料杂志综合信息
我国学者在二氧化碳转化为碳氢化合物燃料方面取得进展45-45

摘要:在国家自然科学基金等项目的资助下,南京大学邹志刚课题组利用人工光合成反应,将二氧化碳转化为碳氢化合物燃料,这在利用光催化反应实现碳的循环利用方面具有积极的意义,相关研究结果发表在近期的Angew.Chem.Int.Ed和J.Am.Soc.Chem杂志上。

电子元件与材料杂志研究与试制
基于AFSS的吸波性能可调的微波吸收体46-48

摘要:从传统的Salisbury屏结构出发,设计了一种由半圆和三角图形组合而成的频率选择表面(FSS)单元,随后将PIN二极管与FSS图形相结合,制得了一种AFSS吸波结构体。利用电抗加载方式对该结构体进行了仿真,并在微波暗室下对实物进行了测试。结果表明:测试结果和仿真结果变化趋势相似。在2~8 GHz内,结构体吸收峰从–4 dB到–16 dB动态可调;而在8~18 GHz内,–8 dB以下的结构体吸波带宽从1 GHz到5 GHz动态可调。

电子元件与材料杂志综合信息
日本成功研制无需稀土强力磁铁48-48

摘要:据报道,日本东北大学研究生院等科研机构团体宣布,目前已成功开发出一种无需稀土即可获得强磁力磁铁的基础技术。这种“无稀土磁铁”的磁力可与用于混合动力车的发动机和家电的钕磁铁磁力相匹敌,预计2025年前后该技术将走向实用化。