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电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》科技期刊,国内外公开发行,北大核心期刊,综合影响因子:0.368。电子元件与材料报道国内外混合微电子、磁性材料的基础理论、科技创新成果。
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.491
  • 综合影响因子:0.467
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电子元件与材料 2011年第03期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

稀土锰氧化物Sm1-xBaxMnO3的结构、红外

摘要:采用传统固相反应法,制备了一系列钙钛矿结构的稀土锰氧化物Sm1-xBaxMnO3(x=0-0.5)样品,借助XRD和FTIR对样品的相结构和组成进行了研究,用四端子法测量了样品在室温下的电导率。结果表明,当x〈0.4时,样品为单一的钙钛矿结构:当0.4≤x≤0.5时,样品为Sm1-xBaxMnO3和BaMnO3两相共存。红外光谱分析显示,样品在600cm^-1附近的红外吸收峰随着x值的增大向高波数方向偏移。室温下样品的电导率随着x值的增大先增大后减小,在x=0.3时达到最大值,为2.55S·cm^-1.
1-3

MoO3掺杂Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷

摘要:采用固相反应法制备了Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xMoxO3(x=0,0.01,0.03,0.05)陶瓷,研究了MoO3掺杂对Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的相结构、表面形貌和介电性能的影响。X射线衍射分析表明所有样品均是四方晶体结构,x=0.03时Mo^6+能够完全溶入Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷晶格中。所有陶瓷样品均表现出弛豫铁电体的特征。掺杂MoO3后,陶瓷晶粒尺寸减小,介电常数提高,介质损耗、剩余极化强度、矫顽场强均减小。当x=0.01时,陶瓷介电性能最佳:εmax=7129(10kHz),tanδ=0.0116。
4-7

改进的固相法合成铌酸钾粉体

摘要:采用改进的固相反应合成法,以碳酸钾和草酸铌为原料,少量水为溶剂,充分研磨干燥后得到KNbO3前驱体,再将前驱体分别于475,600和800℃焙烧3h后得到KNbO3粉体,研究了所制KNbO3粉体的性能。结果表明:该制备方法简单快捷,碳酸钾和草酸铌在研磨过程中发生了离子交换反应。所得KNbO3均为单相粉体,475℃(通常需大于800℃)焙烧即可得到KNbO3晶体,其晶粒长为200-400mm,宽约50nm。
8-11

Zn—Zr共掺对0.95MgTiO3—0.05CaTiO3陶瓷介电性能的影响

摘要:采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xZrx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Zr共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)瓷介电性能的影响。结果表明:Zn-Zr共掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数%具有调节作用。当Zn^2+和Zr^4+掺杂量均为摩尔分数0.02时,在1300℃烧结2.5h获得的95MCT陶瓷具有最佳介电性能:εr=22.02,tanδ=2.78×10^-4,αc=2.98×10^-6/℃。
12-14

低温溶剂热法一步制备氧化铟纳米粉体

摘要:以硝酸铟为原料,尿素为沉淀剂,将反应物溶于乙二醇,放入聚四氟乙烯内衬的反应釜中于200℃反应,采用溶荆热法一步制得In2O3纳米粉体。研究了反应时间和温度对粉体的结构、表面形貌和粒度的影响,并初步探讨了反应机理。结果表明:所制粉体为类球形,平均粒径约为25nm。制备过程无需高温煅烧、操作简单,所得产物纯度高、粒度均匀、分散性好。
15-17
电子元件与材料杂志综合信息

转换效率高达41.1%的多层太阳能电池

摘要:据有关媒体报道,德围弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)的科研人员研发出了转换效率高达41.1%,几乎是传统硅太阳能电池两倍的太阳能电池。这种电池采用了太阳能电池堆叠技术,使整个太阳光谱都可用于能源生产。
17-17
电子元件与材料杂志研究与试制

Nd2O3掺杂K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷压电性能的研究

摘要:采用传统固相反应法制备了K05Na0.5NbO3-xNd2O3(简称KNN-xNd)系列无铅压电陶瓷,研究了不同Nd2O3含量(x=0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.50,0.60,1.00)样品的物相组成、显微结构及压电性能。结果表明:A位的Nd^3+少量加入并没有改变所制陶瓷的相结构,仍为单一斜方相钙钛矿。随着掺杂量x的增大样品的压电系数(d33)、平面机电耦合系数(kp)和样品密度(ρ)均先增大后减少,介质损耗(tanδ)先变小后增大,而相对介电常数一直变大。当x=0.50时,材料的综合性能达到最佳:ρ=4.42g/cm^3,d33=121pC/N,εr=742,kp=0.43,tanδ=0.021。
18-20

MnO2掺杂对ZnO-B2O3-P2O5-RnOm玻璃性能的影响

摘要:在ZnO-B2O3-P2O5-RnOm玻璃中掺杂摩尔分数0-5%的MnO2,分析了MnO2掺杂对该玻璃线膨胀系数田、密度ρ、电阻率Rv的影响,通过DTA、红外、拉曼光谱和XRD分析了玻璃的结构。结果表明:x(MnO2)〉3%时,随着x(MnO2)的增加,tg和和α;的值增高,而Rv和ρ的值降低。x(MnO2)≤3%时,Mn主要作为玻璃网络的形成体存在,x(MnO2)〉3%时,Mn主要作为玻璃网络修饰体存在。掺杂MnO2后BPO4晶相衍射峰强度增强,并随MnO2的增多而减弱,Zn2P2O7主晶相衍射峰强度随MnO2的增多而减弱。
21-24

Pr^3+掺杂SrTiO3薄膜的聚合物前驱体法制备及发光性能

摘要:采用聚合物前驱体法,在LaNiO3/Si(100)衬底上低温制备了Pr^3+掺杂SrTiO3薄膜。用XRD、AFM、PL手段分析了薄膜的晶体结构、表面形貌与发光性能。结果显示,退火温度决定SrTiO3薄膜的晶粒大小和表面形貌,在600℃退火2h获得的薄膜表面均匀、无裂痕,晶粒大小约为60nm,表面粗糙度约为2.5nm。该薄膜样品的发光集中在490,592和616am三个波段,主要对应于Pr^3+的^1D2→^3H4和^3P0→^3H4的能级跃迁。这种高稳定性、水溶液基方法制备的薄膜具有优良的发光性能,有利于其在发光器件中的应用。
25-27
电子元件与材料杂志综合信息

节能美观的新型玻璃薄膜

摘要:据媒体报道,加拿大不列颠哥伦比亚大学的科研人员成功开发出可反射各种波长光线的玻璃薄膜,使普通透明玻璃能呈现包括紫外光、红外光以及可见光在内的各种斑斓颜色。该项成果既有助于节约能源,又可美化建筑外观。相关研究结果发表在近期出版的《自然》杂志上。
27-27
电子元件与材料杂志研究与试制

SiO2/VOx多层复合薄膜的结构与性能研究

摘要:采用射频磁控溅射法,在普通玻璃基片上成功制备了SiO2/Vox多层复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、紫外可见光分光光度计(UV-Vis)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究了薄膜的物相、热致相变特性及V的价态。结果表明,薄膜中VO2晶体具有(110)择优取向生长;SiO2底膜有助于多层复合薄膜中VO2相结晶度的提高,可使V^4+摩尔分数由53.9%提高至66.0%;同时,SiO2增透膜的增透效果明显,增透膜沉积时间为60min时,可使SiO2/VOx/SiO2多层复合薄膜可见光透过率提高至51%;制得的SiO2/VOx/SiO2多层复合薄膜具有较好的热致相变特性。
28-31
电子元件与材料杂志综合信息

日本利用常温工艺试制出全固体薄膜锂离子充电电池

摘要:据媒体报道,日本产业技术综合研究所与丰田合作,利用陶瓷材料常温高速涂装工艺——气溶胶沉积(AerosoDeposition,AD)法,对氧化物类的正极材料、负极材料及固体电解质材料进行薄膜层叠,在金属基板上试制出了3层构造构成的全固体薄膜锂离子充电电池,并全球首次确认了该电池的充放电特性。
31-31
电子元件与材料杂志研究与试制

外延CeO2高k栅介质层的结构及介电性能

摘要:利用脉冲激光沉积两步生长法在Si(111)衬底上制备了厚度为10~40nm的外延CeO2薄膜,构建了Pt/CeO2/SiMOS结构,研究了CeO2薄膜的界面及介电性能。实验发现,界面处存在的电荷对MOS结构C-V特性的测量有较大影响,采用两步生长法制备的外延CeO2薄膜在保持较大介电常数的同时有效降低了界面态密度。由等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出CeO2薄膜的介电常数为37;根据Hill-Coleman法计算出CeO2薄膜界面态密度为10^12量级。
32-35

Si掺杂对Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻电性能的影响

摘要:采用传统陶瓷工艺制备了Mn1.05-xCo0.92Ni0.03SixO4(0≤x≤0.05)系列NTC热敏电阻样品,借用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Si掺杂量对样品相结构和电性能的影响。结果表明:当0≤x≤0.03时,样品为尖晶石立方相和四方相的固溶体,室温电阻率ρ25和B25/50值均随着Si掺杂量的增加而增加;当0.03〈x≤0.05时,样品为尖晶石立方相,ρ25和B25/50值均随着Si掺杂量的增加而降低。当x=0.03时,在1373K烧结获得的样品电性能较好:ρ25=79501Ω·cm,B25/50=4142K。
36-39
电子元件与材料杂志综合信息

《有机介质电容器选集》内容简介

摘要:该选集包含专题论文篇、已获得的专利和未申请的专利资料篇、重要试验篇和“有机介质电容器设计资料”篇等四部分,共计专题论文136篇,共523页。
39-39
电子元件与材料杂志研究与试制

蛋膜结构WO3纳米材料的制备及其H2S气敏性能

摘要:以鸡蛋壳内膜为模板,通过简单环保的液相浸渍技术结合煅烧工艺制备了具有蛋膜结构特征的WO3纳米材料。利用XRD、SEM对其物相、结构进行了表征。结果表明:采用此方法制备的WO3纳米材料为单斜晶相,且很好地复制了蛋膜的交叉网状结构。利用该材料制成气敏元件,并采用静态配气法测试了元件的气敏性能。研究发现:元件在200℃下对体积分数为30×10^-6的H2S气体的灵敏度高达89,响应时间仅为1s多。
40-42

全固态聚苯胺-二氧化钛电致变色器件的制备

摘要:以聚苯胺(PANI)为电致变色材料,分别制备了对称结构(SSECD,ITO‖PANI‖解质‖PANI‖ITO)和非对称结构(ASECD,ITO‖PANI‖解质‖TiO2‖ITO)的全固态电致变色器件。TiO2薄膜的制备采用提拉法,经500℃处理后得到锐钛矿结构,所得薄膜由粒径10~20nm的TiO2颗粒组成,厚度约为200nm,循环伏安曲线显示其具有良好的电荷储存能力。通过光谱电化学对比研究发现,ASECD的最大透射率差值(光学对比度)△Tmax为43.3%,比SSECD增大几乎一倍,显示出黄(-1.4V)、绿(0V)、蓝(1.4V)三色变化,且具有更快的着褪色响应速度(0.8s),可进行实用开发。
43-47
电子元件与材料杂志综合信息

科学家有望开发出低成本性能卓越的有机太阳能电池

摘要:据海外媒体报道,美国罗格斯大学研究人员发现,激子在有机半导体晶体红荧烯中的扩散距离是以前认为的1000多倍,该距离与激子在制备无机太阳能电池的硅、砷化镓等材料中的距离相媲美。新发现将有望让有机太阳能电池的成本更低、性能更卓越,或许可以取代硅基太阳能电池。相关研究成果刊载于《自然·材料学》杂志在线版上。
47-47