电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2010年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究1-4

摘要：采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明：Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1～3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。

BaBiO3/SrFe0.9Sn0.1O3–δ厚膜NTCR的电性能研究5-7

摘要：以SrFe0.9Sn0.1O3–δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻（NTCR）。借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明：所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3–δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2~3μm范围内;随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000 k？降至372 k？,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K。

溶胶pH值对CoFe2O4/SiO2复合薄膜结构和磁性能的影响8-10

摘要：采用sol-gel法制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜（样品）。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计对样品的结构、形貌和磁性能进行了研究。结果表明：随着溶胶pH值的减小,样品中CoFe2O4的平均晶粒尺寸变小,CoFe2O4晶粒沿（111）晶面择优取向生长。样品的矫顽力随着平均晶粒尺寸的减小明显变大,当溶胶pH值为0.29时,垂直和平行膜面的矫顽力分别为290 kA.m^–1和250 kA.m^–1,样品具有较明显的垂直磁各向异性。当溶胶pH值为0.59时,样品垂直和平行膜面的剩磁比（Mr/Ms）分别为53.2%和51.5%。

丁二酸作分散剂制备球形银粉的研究11-13

摘要：以硝酸银为原料,甲醛为还原剂,丁二酸为分散剂,通过液相还原法制备了球形银粉。研究了丁二酸用量、硝酸银浓度、甲醛浓度、反应体系pH值对所制得银粉粒径的影响。结果表明：在c（硝酸银）为0.02 mol/L,c（甲醛）为1.44 mol/L,反应体系pH值为12.5～13.0的条件下,制备出了平均粒径为3μm的高纯球形银粉。

添加γ-氨丙基三乙氧基硅烷的LiFePO_4/C的制备及性能14-17

摘要：采用固-液相球磨法,在原料中加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH—550）为分散剂和掺杂剂,制备了LiFePO4/C正极材料。用XRD,SEM及电化学综合测试仪研究了所制材料的结构、表观形貌及电化学性能。结果表明：制备的LiFePO4为标准的橄榄石型结构,添加KH—550后,颗粒无团聚现象,材料的倍率性能和循环性能明显改善：在0.1 C时,首次放电比容量达到157.9 mAh/g,,比未添加KH—550样品高出6.5 mAh/g,,5 C倍率放电时,容量保持在110.3 mAh/g。经过100次循环后,容量保持率为97.3%,比未添加KH—550样品高出6.4%。

低声阻抗0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料的研制18-20

摘要：压电陶瓷材料的高声阻抗制约着其在水听器和超声成像方面的应用。为了对压电陶瓷材料的声阻抗和声速进行调节,本研究以聚偏氟乙烯（PVDF）及钛酸铅（PT）和锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷粉体为原料,经过流延、热压等工艺制得了4种含有不同量PT及PZT的0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料。研究了所制压电复合材料的声学、压电和介电性能。结果表明：所制压电复合材料的声阻抗均小于140 MPa.s/m,最优压电应变常数d33达43 pC/N,相对介电常数为185～210,介质损耗约为2×10–2。

低损耗高介电常数CCTO陶瓷的制备与性能研究21-24

摘要：为了降低CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3–yZry/2Ti4O12（CCZTO）的陶瓷样品。研究了ZrO2掺杂对CCTO陶瓷性能的影响。结果表明：所制CCZTO陶瓷样品在维持了CCTO陶瓷材料介电常数大、低频介电常数随频率和温度变化小的优点的同时,介质损耗大幅降低;其介电常数和介质损耗的指标满足美国电子工业协会EIAZ5U标准,而温度系数αc性能指标优于EIAX7A标准所规定的±55×10^–6/℃,是一种综合性能技术指标优良的新型高介电常数陶瓷材料。

一种新颖的脊波导功分器25-27

摘要：针对通常波导传输的功率分配器中T形接头体积大的不足,基于脊波导和阶梯阻抗变换对导波系统中电磁波传播性能的影响,提出了一种新颖的脊波导H面T形分支结构,利用高频仿真软件HFSS进行仿真优化,结果显示该结构在全X波段内匹配。以此结构为基础,设计加工一个一分六的脊波导功分器,得到较好的实测结果。实际内部尺寸比普通波导功分器减小46%,回波损耗小于20 dB,单路信号波动在±0.35 dB内。这种脊波导H面T形分支结构简单,适合于实际的工程应用。

宽带Wilkinson功分器的设计仿真与制作28-30

摘要：利用Ansoft公司的HFSS软件对设计宽带Wilkinson功分器模型进行仿真,制作出了工作频带为0.8～2.5 GHz,尺寸为4.0 cm×3.0 cm×0.5 cm的宽带功分器并进行了测试,仿真结果和实物测试结果比较接近。该功分器在整个频带范围内具有良好的性能指标,传输损耗〈0.8 dB,隔离度〉20 dB,该功分器实现了宽带化以及小型化。由于其工作频率处于ISM频段内,因此可广泛应用于GPS、蓝牙等通讯系统中。

pH值和灼烧温度对Fe2O3粒子结构及磁性能的影响31-33

摘要：以FeCl3为原料,尿素为添加剂,NaOH为pH值调节剂,采用sol-gel法制备出前驱体Fe（OH）3胶液。将其烘干、高温灼烧制备了磁性粒子Fe2O3。研究了pH值和灼烧温度对Fe2O3相成分和磁性能的影响。结果表明：当pH值为3,4,灼烧温度为450℃时,产物为高纯度γ-Fe2O3,饱和磁化强度Ms为12.8A·m^2·kg^-1;当pH值为7,灼烧温度为500℃时,产物是单相的α-Fe2O3,结晶完好,产物的饱和磁化强度Ms为3.1A·m^2·kg^-1。

基于钛酸锶钡变容管的可调匹配网络34-36

摘要：采用钛酸锶钡（BST）薄膜变容管作为可调电容元件,在LaAlO3基片上采用微细加工技术制备了共面波导结构的C-L-Cπ型可调匹配网络。仿真及测试结果表明,通过在BST薄膜变容管上施加直流偏置电压对BST变容管的电容进行调节,可以在740～770 MHz频率范围内,实现该匹配网络与终端负载之间良好的阻抗匹配。其中,在760 MHz时测得的匹配网络的反射系数S11达到–45.8 dB。

提高小功率白光LED热特性的新方法37-39

摘要：在传统直插式LED封装方法的基础上,提出了一种在环氧树脂中添加氮化硼（BN）填料的改进LED封装工艺。测量了BN填料质量分数与导热系数的关系,利用有限元分析软件ANSYS分析和实验测试了采用改进封装工艺φ5 mm白光LED的芯片结温、热阻等参数,并与传统封装方法的白光LED进行比较。结果表明：采用改进封装结构φ5 mm白光LED结温比传统封装方法下降4.5℃,热阻下降了17.8%,同时提高了初始光通量,降低了光衰。

基于LTCC技术的WLAN射频前端的研制40-43

摘要：采用低温共烧陶瓷（LTCC）集成技术,设计和制作了具有立体化新型结构的无线局域网（WLAN）射频前端,并对制得的产品模块进行了测试。结果表明：采用LTCC技术制得的WLAN射频前端的外形尺寸仅为29 mm×18 mm×5 mm,远小于传统同类型WLAN射频前端的尺寸。在2.4～2.5 GHz的工作频率范围内,所制WLAN射频前端的最大输出功率为27 dBm,噪声系数小于1.7 dB,接收增益大于15 dB,发射增益大于20 dB。

铁硼加入量对NdFeB材料吸波性能的影响44-47

摘要：采用高能球磨和微氧化热处理方法制备了铁和硼含量不同的钕铁硼（NdFeB）吸波粉体,研究了铁硼加入量对NdFeB粉体吸波性能的影响。结果表明：所制NdFeB粉体和NdFe粉体均由α-Fe、Nd2O3和Fe2O3相组成;向Nd2Fe14B粉体添加30%的Fe后,其反射率最小值从–7.02 dB降低到–13.63 dB,吸收峰频率从6.80 GHz升高到10.6 GHz;NdFe粉体对电磁波的损耗以介电损耗为主,而NdFeB粉体对电磁波的损耗以磁损耗为主。向70%Nd2Fe14＋30%Fe粉体加入B后,其反射率最小值降至–13.63 dB、吸收峰频率升至10.6 GHz。

电子元件与材料杂志综合信息

运营商比拼云计算47-47

摘要：2010年,在中国举行的云计算重要会议几乎都出现了电信运营商的身影。9月28日,在美国匹兹堡举行的Open Cirrus峰会上,中国电信宣布正式加入全球云计算研发测试平台Open Cirrus,设在中国电信广州研究院的云计算技术试验平台将成为OpenCirrus的全球节点之一。

电子元件与材料杂志研究与试制

阶跃阻抗同轴介质滤波器的研究48-51

摘要：为了有效减小均匀阻抗同轴滤波器的尺寸,并优化性能参数,设计了阶跃阻抗同轴滤波器。该滤波器基于一种BaO-Nd2O3-Sm2O3-Al2O3-TiO2（BNSTA）五元系高介电常数、低损耗、近零温度系数的微波介质材料,提出阶跃阻抗同轴滤波器的设计流程和方案,采用HFSS高频仿真软件对该滤波器的传输特性进行了整体仿真。结果表明所制滤波器通带特性优异：中心频率为2.01 GHz,带宽为15 MHz,插入损耗小于1.15 dB,带内纹波为0.23 dB。

电子元件与材料杂志综合信息

LED产业：整合资源 向上突破51-51

摘要：LED产业确实到了该认真思考未来如何发展的时候了。刚刚从国外回到国内、在一个月内连续参加了几个LED产业研讨会的苏州纳晶光电公司董事长梁秉文博士对记者表示。应用市场的不断扩大,让LED成为各路资金竞相投资的热点领域。我国LED产业近年来在重点应用工程的带动下,

电子元件与材料杂志研究与试制

低温烧结BaO-TiO2-ZnO系陶瓷的研究52-55

摘要：将ZnO-H3BO3（ZB）玻璃作为烧结助剂添加到BaO-TiO2-ZnO系（BTZ）陶瓷中,以实现BTZ陶瓷的低温烧结。研究了ZB玻璃的加入及球磨时间对BTZ陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。结果表明：ZB玻璃的加入,明显降低了BTZ陶瓷的烧结温度。添加质量分数6%的ZB玻璃、球磨10 h时,BTZ陶瓷能够在950℃下致密烧结,获得良好的介电性能（1 MHz）：εr=35.55,tanδ=2.2×10^–4,–10×10^–6/℃〈α〈＋10×10^–6/℃（–55～＋125℃）。